温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种用于将离子(80)受控注入本体(20)中的衬底(10)以及一种制备所述衬底(10)的方法。所述衬底(10)包括由晶体第一材料(70)组成的所述本体(20)，所述本体(20)包括注入部(28)和表面(22)，其中所述注入部(28...该专利属于百及纳米科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过百及纳米科技（上海）有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种用于将离子(80)受控注入本体(20)中的衬底(10)以及一种制备所述衬底(10)的方法。所述衬底(10)包括由晶体第一材料(70)组成的所述本体(20)，所述本体(20)包括注入部(28)和表面(22)，其中所述注入部(28...