用于执行参考电压训练操作的系统技术方案

本申请公开了用于执行参考电压训练操作的系统。该系统可以包括：控制器，其被配置为输出时钟信号、芯片选择信号、命令地址和数据；以及半导体器件，其被配置为当所述芯片选择信号和所述命令地址同步于所述时钟信号处于第一逻辑电平组合时，进入训练模式以控制参考电压的电平，配置为当所述芯片选择信号和所述命令地址处于第二逻辑电平组合时，进入ID设置模式以设置储存ID，以及被配置为当所述芯片选择信号和所述命令地址处于第三逻辑电平组合时，进入ID选择模式以更新在所述训练模式下产生的电压码。电压码。电压码。

【技术实现步骤摘要】
用于执行参考电压训练操作的系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月24日提交的申请号为10-2020-0050395的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术涉及一种用于执行参考电压训练操作的系统。

技术介绍

[0004]通常，包括DDR SDRAM(双倍数据速率同步DRAM)的存储器件基于从外部控制器输入的命令来执行数据读取/写入操作。存储器件使用参考电压来判定数据的逻辑电平，以执行这种读取/写入操作。在存储器件中使用的参考电压需要在处于数据的逻辑高电平与逻辑低电平之间的中间电压电平下产生，并且训练操作被提供以控制参考电压的电压电平。
[0005]随着集成度的增大，多个存储器件可以被包括在一个封装件中，并且需要各种方法来防止多个存储器件之间的操作错误。

技术实现思路

[0006]在一个实施例中，一种用于执行参考电压训练操作的系统可以包括：控制器，其被配置为输出时钟信号、芯片选择信号、命令地址和数据；以及半导体器件，其被配置为当芯片选择信号和命令地址同步于时钟信号处于第一逻辑电平组合时，进入训练模式以控制参考电压的电平，被配置为当芯片选择信号和命令地址处于第二逻辑电平组合时，进入ID设置模式以设置储存ID，以及被配置为当芯片选择信号和命令地址处于第三逻辑电平组合时，进入ID选择模式以更新在训练模式下产生的电压码。
[0007]在另一个实施例中，一种用于执行参考电压训练操作的系统可以包括：控制器，其被配置为输出时钟信号、芯片选择信号、命令地址、第一数据和第二数据；以及包括第一存储器件和第二存储器件的半导体器件，其中，该半导体器件被配置为当芯片选择信号和命令地址同步于时钟信号处于第一逻辑电平组合时，进入训练模式以控制参考电压的电平，其中该半导体器件被配置为当芯片选择信号和命令地址处于第二逻辑电平组合时，进入ID设置模式以为第一存储器件设置第一储存ID以及然后为第二存储器件设置第二储存ID，其中该半导体器件被配置为当芯片选择信号和命令地址处于第三逻辑电平组合时，进入ID选择模式以在第一存储器件和第二存储器件中更新电压码。
附图说明
[0008]图1是示出根据一个实施例的执行参考电压训练操作的系统的配置的框图。
[0009]图2是示出图1所示的系统中包括的第一存储器件的配置的框图。
[0010]图3是示出根据一个实施例的用于执行训练模式、ID设置模式和ID选择模式的芯片选择信号和命令地址的逻辑电平的表。
[0011]图4是示出图2所示的第一存储器件中包括的操作控制电路的配置的框图。
[0012]图5是示出图4所示的操作控制电路中包括的使能信号发生电路的配置的电路图。
[0013]图6是示出图2所示的第一存储器件中包括的输入控制电路的配置的图。
[0014]图7是示出图6所示的输入控制电路中包括的操作码发生电路的配置的电路图。
[0015]图8是示出图2所示的第一存储器件中包括的ID设置电路的配置的示图。
[0016]图9是示出图8所示的ID设置电路中包括的控制信号发生电路的配置的框图。
[0017]图10是示出图9所示的控制信号发生电路中包括的逻辑电路的配置的电路图。
[0018]图11是示出图8所示的ID设置电路中包括的标志信号发生电路的配置的示图。
[0019]图12是示出图8所示的ID设置电路中包括的ID输入电路的配置的框图。
[0020]图13是示出图12所示的ID输入电路中包括的第一ID输入电路的配置的电路图。
[0021]图14是示出图12所示的ID输入电路中包括的第二ID输入电路的配置的电路图。
[0022]图15是示出图2所示的第一存储器件中包括的参考电压发生电路的配置的框图。
[0023]图16是示出图15所示的参考电压发生电路中包括的电压码发生电路的配置的电路图。
[0024]图17是用于描述根据本实施例的系统的训练模式的时序图。
[0025]图18和图19是用于描述根据本实施例的系统的ID设置模式和ID选择模式的时序图。
[0026]图20是示出根据应用了图1至图19所示的用于执行参考电压训练操作的系统的一个实施例的电子系统的配置的示图。
具体实施方式
[0027]术语“预设”指示当在过程或算法中使用参数时，预先确定该参数的值。根据一个实施例，可以在启动过程或算法时或者在执行过程或算法时设置该参数的值。
[0028]用于在各种组件之间进行区分的、诸如“第一”和“第二”的术语不受组件的限制。例如，第一组件可以被称为第二组件，而反之亦然。
[0029]当一个组件被称为“耦接”或“连接”到另一组件时，它可以指示这些组件彼此直接耦接或连接，或者通过插入它们之间的另一组件彼此耦接或连接。另一方面，当一个组件被称为“直接耦接”或“直接连接”到另一组件时，它这可以指示这些组件彼此直接耦接或连接而没有另一组件插入在它们之间。
[0030]“逻辑高电平”和“逻辑低电平”被用于描述信号的逻辑电平。具有“逻辑高电平”的信号与具有“逻辑低电平”的信号相区别。例如，当具有第一电压的信号对应于“逻辑高电平”时，具有第二电压的信号可以对应于“逻辑低电平”。根据一个实施例，“逻辑高电平”可以被设置为高于“逻辑低电平”的电压。根据一个实施例，可以将信号的逻辑电平设置为不同的逻辑电平或相反的逻辑电平。例如，根据一个实施例，可以将具有逻辑高电平的信号设置为具有逻辑低电平，并且可以将具有逻辑低电平的信号设置为具有逻辑高电平。
[0031]此后，将通过实施例更详细地描述本公开。实施例仅用于举例说明本公开，并且本公开的范围不受实施例的限制。
[0032]本公开的各个实施例针对一种用于执行参考电压训练操作的系统，该系统基于从控制器输入的命令地址来执行训练模式以产生用于设置在多个存储器件中使用的参考电
压的电压电平的电压码。
[0033]此外，本公开的各个实施例针对一种执行参考电压训练操作的系统，该系统基于从控制器输入的命令地址来执行ID设置模式以设置多个存储器件的储存ID。
[0034]此外，本公开的各个实施例针对一种执行参考电压训练操作的系统，该系统执行ID选择模式以将ID设置模式中储存的储存ID与从控制器输入的选择ID进行比较并通过选择性地将多个存储器件的操作使能来更新在训练模式下产生的电压码。
[0035]根据本实施例，该系统可以执行参考电压训练操作，以基于从控制器输入的命令地址来执行训练模式而产生用于设置在多个存储器件中使用的参考电压的电压电平的电压码。
[0036]此外，该系统可以执行参考电压训练操作，以基于从控制器输入的命令地址来执行ID设置模式而设置多个存储器件的储存ID。
[0037]该系统可以执行参考电压训练操作，以执行ID选择模式而将ID设置模式中储存的储存ID与从控制器输入的选择ID进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于执行参考电压训练操作的系统，所述系统包括：控制器，其被配置为输出时钟信号、芯片选择信号、命令地址和数据；以及半导体器件，其被配置为当所述芯片选择信号和所述命令地址同步于所述时钟信号处于第一逻辑电平组合时，进入训练模式以控制参考电压的电平，被配置为当所述芯片选择信号和所述命令地址处于第二逻辑电平组合时，进入ID设置模式以设置储存ID，以及被配置为当所述芯片选择信号和所述命令地址处于第三逻辑电平组合时，进入ID选择模式以更新在所述训练模式下产生的电压码。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述半导体器件包括多个存储器件，以及其中，所述半导体器件在所述ID设置模式下设置所述多个存储器件的储存ID，并且在所述ID选择模式下，在所述多个存储器件之中的输入了与所述储存ID相同的选择ID的存储器件中更新所述电压码。3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述训练模式是将所述参考电压的电压电平控制为设置电压电平的模式。4.根据权利要求2所述的系统，其中，所述ID设置模式是为其中输入到所述多个存储器件的数据处于预设逻辑电平的存储器件设置所述储存ID的模式。5.根据权利要求1所述的系统，其中，通过对基于在所述ID设置模式下输入的命令地址而产生的操作码进行锁存来产生所述储存ID。6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电压码具有被改变以在所述训练模式下控制所述参考电压的电平的逻辑电平组合，以及其中，通过对基于在所述训练模式下输入的所述命令地址而产生的操作码进行锁存来产生所述电压码。7.一种用于执行参考电压训练操作的系统，所述系统包括：控制器，其被配置为输出时钟信号、芯片选择信号、命令地址、第一数据和第二数据；以及半导体器件，其包括第一存储器件和第二存储器件，其中，所述半导体器件被配置为：当所述芯片选择信号和所述命令地址同步于所述时钟信号处于第一逻辑电平组合时，进入训练模式以控制参考电压的电平，其中，所述半导体器件被配置为：当所述芯片选择信号和所述命令地址处于第二逻辑电平组合时，进入ID设置模式以为所述第一存储器件设置第一储存ID，以及然后为所述第二存储器件设置第二储存ID，以及其中，所述半导体器件被配置为：当所述芯片选择信号和所述命令地址处于第三逻辑电平组合时，进入ID选择模式以在所述第一存储器件和第二存储器件中更新电压码。8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述ID设置模式是当输入到所述第一存储器件的所述第一数据处于预设逻辑电平时为所述第一存储器件设置第一储存ID以及当输入到所述第二存储器件的所述第二数据处于所述预设逻辑电平时为所述第二储存器件设置第二储存ID的模式。9.根据权利要求7所述的系统，其中，通过对基于在所述ID设置模式下输入的命令地址而产生的操作码进行锁存来产生所述第一储存ID和所述第二储存ID。10.根据权利要求7所述的系统，其中，所述电压码具有被改变以在训练模式下控制参
考电压的电平的逻辑电平组合，以及其中，通过对基于在所述训练模式下输入的命令地址而产生的操作码进行锁存来产生所述电压码。11.根据权利要求7所述的系统，其中，所述第一存储器件包括：第一操作控制电路，其被配置为产生第一参考电压命令，所述第一参考电压命令在所述芯片选择信号和所述命令地址同步于所述时钟信号而基于第一参考电压处于所述第一逻辑电平组合时被使能，以及被配置为产生第一ID命令和第一ID使能信号，所述第一ID命令和第一ID使能信号在所述芯片选择信号和所述命令地址同步于所述时钟信号而基于所述第一参考电压处于所述第二逻辑电平组合时被使能；第一输入控制电路，其被配置为：当所述第一参考电压命令和所述第一ID命令中的任意一个被使能时，基于所述第一参考电压来从所述命令地址产生第一操作码；第一ID设置电路，其被配置为：在所述ID设置模式下，当在所述第一ID使能信号被使能的间隔期间所述第一数据处于预设逻辑电平时，储存基于所述第一操作码而产生的所述第一储存ID，以及被配置为：在所述ID选择模式期间，当所述第一储存ID与基于被输入的第一操作码所产生的第一选择ID一致时，产生第一ID控制信号和第一供应控制信号；以及第一参考电压发生电路，其被配置为当所述第一ID控制信号被使能时，基于所述第一操作码来产生第一电压码，被配置为当所述第一供应控制信号被使能时，储存所述第一电压码，以及被配置为当所述第一参考电压命令被使能时，基于所述第一电压码来控制所述第一参考电压的电平。12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一操作控制电路包括：第一命令解码器，其被配置为产生所述第一参考电压命令，所述第一参考电压命令在所述芯片选择信号和所述命令地址同步于所述时钟信号而基于所述第一参考电压处于所述第一逻辑电平组合时被使能，以及被配置为产生所述第一ID命令，所述第一ID命令在所述芯片选择信号和所述命令地址基于所述第一参考电压处于所述第二逻辑电平组合时被使能；以及第一使能信号发生电路，其被配置为产生所述第一ID使能信号，所述第一ID使能信号在所述第一参考电压命令被使能时被禁止，而在所述第一ID命令被使能时被使能。13.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一输入控制电路包括：第一锁存控制信号发生电路，其被配置成产生第一锁存控制信号，当所述第一参考电压命令和所述第一ID命令中的任意一个被使能时，所述第一锁存控制信号被使能；以及第一操作码发生电路，其被配置为：当所述第一锁存控制信号被使能时，基...

【专利技术属性】
技术研发人员：金雄来，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：