基于操作参数的电流调节技术制造技术

本申请涉及基于操作参数来调节电流的技术。一种设备可以包含放大器、反馈部件以及第一和第二电流发生器。所述放大器可以包含用于接收第一电压的输入和用于输出第二电压的输出。所述第一电流发生器可以与所述放大器的所述输出耦合，并且至少部分地基于所述第二电压产生第一电流。所述反馈部件可以与所述第一电流发生器耦合，以至少部分地基于与存储器装置相关联的工作温度修改所述第一电流。所述第一电流可以与所述工作温度成比例。所述第二电流发生器可以与所述第一电流发生器耦合，以至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。流产生第二电流。流产生第二电流。

【技术实现步骤摘要】
基于操作参数的电流调节技术
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请要求褚(Chu)等人于2020年4月17日提交的标题为“基于操作参数来调节电流的技术(TECHNIQUES FOR ADJUSTING CURRENT BASED ON OPERATING PARAMETERS)”的第16/852,019号美国专利申请的优先权，所述专利申请被分配给本申请的受让人，并以全文引用的方式明确并入本申请中。


[0003]本
涉及基于操作参数来调节电流的技术。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。为了存取所存储信息，部件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，部件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
[0005]存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可维持所存储逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失它们所存储状态。

技术实现思路
r/>[0006]描述一种设备。所述设备可以包含：放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的输入和用于输出至少部分地基于所述第一电压的第二电压的输出；第一电流发生器，所述第一电流发生器与所述放大器的所述输出耦合，并用于至少部分地基于由所述放大器输出的所述第二电压产生第一电流；反馈部件，所述反馈部件与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于与所述设备相关联的工作温度修改所述第一电流，所述第一电流与所述工作温度成比例；以及第二电流发生器，所述第二电流发生器与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。
[0007]描述一种设备。所述设备可以包含：放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的第一输入、第二输入和输出；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极和源极，所述栅极与所述放大器的所述输出耦合；电阻部件，所述电阻部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述电阻部件还与所述放大器的所述第二输入耦合；跟踪部件，所述跟踪部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述跟踪部件包括以二极管配置彼此耦合的一对晶体管；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极和源极，所述栅极与所述放大器的所述输出耦合，所述第二晶体管经配置以在所述第二晶体管的所述源极上产生第一电流，
所述第一电流镜射在所述第一晶体管的所述源极上产生的第二电流。
[0008]描述一种方法。所述方法可以包含：在放大器的输入处接收输入电压；识别与所述输入电压相关联的存储器装置的工作温度；至少部分地基于所述放大器的输出处的电压，通过第一电流发生器来产生第一电流，所述第一电流与所述工作温度成比例；通过反馈部件汲取由所述第一电流发生器产生的所述第一电流；至少部分地基于通过所述反馈部件汲取所述第一电流，通过第二电流发生器产生用于存储器单元阵列的第二电流，所述第二电流镜射所述第一电流并且与所述工作温度成比例；以及将由所述第二电流发生器产生的所述第二电流输出到所述存储器单元阵列。
附图说明
[0009]图1示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的存储器裸片的实例。
[0010]图2示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的电路的实例。
[0011]图3示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的相对于温度的电流分布的曲线图。
[0012]图4示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的电路的实例。
[0013]图5示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的存储器装置的框图。
[0014]图6示出的流程图示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的一或多种方法。
具体实施方式
[0015]在一些存储器装置中，电路中电流的使用可以基于存储器装置的不同操作条件而变化。例如，电流可以基于存储器装置的温度、存储器装置上的其它电流、存储器系统中不同部件的制造差异或其组合而变化。在一些实例中，一些电流可能以互补的方式而不是成比例的方式随一些操作参数而变化。例如，提供给存储器装置的电流量可以与存储器装置的工作温度相反地变化(例如，较高的温度可导致较低的电流)。但是在许多情况下，存储器装置在更高的温度下可能会使用更多的电流，而不是更少(例如，电流的使用可与工作温度成比例地变化)。
[0016]描述了用于为存储器装置提供电流的技术、系统和装置，使得电流以与存储器装置的操作参数成正比的方式变化。电流修改部件可以包含反馈部件，反馈部件包含跟踪器部件。跟踪器部件可以包含呈二极管配置的两个或更多个晶体管。跟踪器部件可经配置以至少部分地基于存储器装置的温度、存储器装置上的其它电流或电压、存储器系统中不同部件的制造差异或其组合来改变输出电流或输出电压。
[0017]首先在如参考图1描述的存储器系统和裸片的上下文中描述本公开的特征。在如参考图2到4描述的与基于工作温度来调节电流的技术有关的电路和对应曲线图的上下文中描述本公开的特征。通过如参考图5到6描述的与基于操作参数来调节电流的技术有关的
设备图和流程图进一步示出并参考所述设备图和流程图描述本公开的这些和其它特征。
[0018]图1示出根据本文公开的实例的支持基于操作参数来调节电流的技术的存储器裸片100的实例。在一些实例中，存储器裸片100可以被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片100可以包含一或多个存储器单元105，每个存储器单元可以被编程为存储不同的逻辑状态(例如，被编程为两个或多个可能状态的集合中的一个)。在一些实例中，存储器单元105可以被布置成阵列。
[0019]存储器单元105可以存储表示电容器中的可编程状态的电荷。DRAM架构可以包含电容器，所述电容器包含电介质材料以存储表示可编程状态的电荷。在其它存储器架构中，其它存储装置和部件也是可能的。存储器单元105可以包含逻辑存储部件，例如电容器130和开关部件135。电容器130可以是介电电容器或铁电电容器的实例。电容器130的节点可以与电压源140耦合，所述电压源可以是例如Vpl的电池板参考电压，或者可以是例如Vss的地。
[0020]存储器裸片100可以包含以例如网格状图案的图案布置的一或多个存取线(例如，一或多个字线110和一或多个数字线115)。存取线可以是与存储器单元105耦合的导线，并且可以用于对存储器单元105执行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的输入和用于输出至少部分地基于所述第一电压的第二电压的输出；第一电流发生器，所述第一电流发生器与所述放大器的所述输出耦合，并用于至少部分地基于由所述放大器输出的所述第二电压产生第一电流；反馈部件，所述反馈部件与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于与所述设备相关联的工作温度修改所述第一电流，所述第一电流与所述工作温度成比例；以及第二电流发生器，所述第二电流发生器与所述第一电流发生器耦合，并用于至少部分地基于由所述反馈部件修改的所述第一电流产生第二电流。2.根据权利要求1所述的设备，其中至少部分地基于所述反馈部件修改所述第一电流，所述第一电流的第一变化方向和所述第二电流的第二变化方向都与所述工作温度的变化成比例。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述反馈部件包括：电阻部件，所述电阻部件与所述第一电流发生器和所述放大器的所述输入耦合，并用于从所述第一电流发生器汲取所述第一电流的第一部分；以及跟踪部件，所述跟踪部件与所述第一电流发生器耦合，并用于从所述第一电流发生器汲取所述第一电流的第二部分。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一电流的所述第一部分相对于所述工作温度的变化成反比，并且所述第一电流的所述第二部分相对于所述工作温度的所述变化成比例。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述跟踪部件包括一对晶体管，所述一对晶体管经配置以接收所述第一电流的所述第二部分。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述一对晶体管包括p沟道晶体管和n沟道晶体管。7.根据权利要求5所述的设备，其中所述晶体管以二极管配置彼此耦合。8.根据权利要求5所述的设备，其中所述跟踪部件包括第二对晶体管，所述第二对晶体管彼此耦合并且经配置以接收所述第一电流的所述第二部分。9.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第一电流发生器经配置以具有第一增益；并且所述第二电流发生器经配置以具有高于所述第一电流发生器的所述第一增益的第二增益。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述反馈部件包括均与所述第一电流发生器耦合的电阻部件和跟踪部件，所述电阻部件与所述放大器耦合且经配置以向所述放大器提供反馈，并且所述跟踪部件经配置以跟踪由所述第二电流发生器产生的所述第二电流。11.一种设备，其包括：放大器，所述放大器包括用于接收第一电压的第一输入、第二输入和输出；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极和源极，所述栅极与所述放大器的所述输出耦合；电阻部件，所述电阻部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述电阻部件还与所述放大器的所述第二输入耦合；
跟踪部件，所述跟踪部件具有与所述第一晶体管的所述源极耦合的输入，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚炜路，潘栋，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：