具有预制凹坑的信息记录介质和使用该信息记录介质的记录/再现设备及方法技术

技术编号:3049272 阅读:193 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供一种可被快速终结的信息记录介质和使用该信息记录介质的记录/再现设备及方法。在该信息记录介质中,预制凹坑预形成于终结区域中。由于在制造信息记录介质时将在对信息记录介质进行终结时必须使用数据填充的部分被预先形成为预制凹坑系列,因此,对信息记录介质进行终结所需时间可被缩短,从而实现该介质的快速终结。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光信息记录介质,更具体地讲,涉及一种可被迅速终结 的信息记录介质和使用该信息记录介质的记录/再现设备及方法。
技术介绍
光记录介质(光盘)用于以非接触方式记录/再现数据的光学装置。光盘 通常包括用于根据信息记录容量以非接触方式数字地存储数据的致密盘(CD)、数字多功能盘(DVD)、高清晰视频盘(HD-DVD)、蓝光视频盘 (Blu-Ray)以及其他介质。有些由用户用于存储数据、^L频或音频的光盘是 可写或可重写的。记录察除/读取光盘的示例包括650MB CD-R、 CD-RW、 4.7GB DVD+R/RW、 DVD-RAM和DVD-R/RW。只读盘的示例包括650MB CD、 4.7GB DVD-ROM、 HD-DVD和蓝光盘。此外,使用发展的光介质的以 更高的密度和更快的速度来记录数据的其他技术正在开发当中。DVD-RAM和DVD-RW介质通常具有4.7GB的记录数据容量,并且能 够将数据记录在其上,删除或者再现其上的数据。具体地讲,每个光盘具有 沟槽,以在数据记录操作期间在圆周方向上沿轨道引导光学拾取器。沟槽形 成于制造盘的期间,即,当制造用于基底的压模(stamper)时。然而,DVD-RAM和DVD-RW之间的最大区别在于记录区域。在 DVD-RAM中,数据被记录在沟槽区域和位于两个相邻沟槽区域之间的岸台 区域中。此外,为了基于物理单元的存取,包含每个单元的地址的物理标识 符(ID)区域形成为凹坑序列。相反,在DVD-RW中,数据仅被记录在沟槽 区域,而未形成凹坑。反之,在岸台区域中形成有块地址作为岸台预制凹坑。此外,由于沟槽的深度和宽度,因此DVD-RW具有优良的记录/再现特 性(比如优良的抖动特性)。有利的抖动特性提供较好的抖动裕度,以允许可 为介质产生过高或过低的传输转速的光学读/写装置具有优良的灵活性。在没 有凹坑的情况下为了优良的抖动特性而确定DVD-RW中的沟槽的宽度和深度。DVD-RW沟槽的适当的深度约为20-40 mm, ^f吏用激光束的波长(人)和 光盘的折射率(n)可将其表示为入/12n。DVD-RW的沟槽深度小于DVD-RAM 的表示为入/6n的沟槽深度。图1A至图1D是示出当波长为650 nm、 NA为0.60以及最小标记长度 为0.42jum时根据凹坑的深度计算的再现信号的曲线图。在图1A至图1D 中,横轴代表时间(以ns为单位),纵轴显示再现信号的归一化值。图1A示 出当凹坑的深度为入/3时得到的再现信号;图1B示出当凹坑的深度为入/4 时得到的再现信号;图1C示出当凹坑的深度为入/6时得到的再现信号;图 1D示出当凹坑的深度为人/12时得到的再现信号。图2显示使用最大值(即,来自DVD-RAM的深度的信号)执行归一化 时的结果。参照图2,当在人/12 (0.08入)以下形成凹坑时,3T或14T标记 的再现信号具有与在入/4 (0.25人)深度给定的结果的约30%或更低相应的 信号电平。因此,无法从该信号获得可靠的凹坑信号。因此,需要调节凹坑 的深度。由于DVD-RAM中的凹坑和沟槽具有约入/6的深度,因此可容易地从沟 槽获得推挽(push-pull)信号,从凹坑获得再现信号。然而,由于DVD-RW 的沟槽深度浅很多,因此如果凹坑的深度与沟槽的深度相同,则难以从凹坑 获得推挽信号。因此,采用具有不同深度的沟槽和凹坑制造的DVD-RW将提 高凹坑再现信号电平。为解决这个问题,第5,501,926号美国专利公开了 一种通过使用特殊光致 抗蚀剂和刻蚀工艺来制造两个具有不同深度的凹坑和沟槽的技术。然而,这 种技术的缺点可包括复杂的制造工艺和高制造成本。第5,500,850号美国专利也公开了一种制造具有不同深度的沟槽的工艺。 然而出现这样的问题,即,必须非常准确地调节两束激光束的路径以形成具 有不同深度的沟槽。同样地,可多次利用蚀刻工艺限定具有不同深度的凹坑和沟槽。即,可 使用蚀刻工艺来制造双深度盘。然而,该制造工艺也复杂并且产量低。因此, 盘的生产成本可能很高。为了克服这些缺点,已经提出如申请人较早的工作成果(第2001-0108961 号韩国专利公告,现在公布为第6,906,994号美国专利)所公开的通过控制激 光束的功率来形成具有不同深度的凹坑和沟槽的优良的方法,其公开包含于此,以资参考
技术实现思路
技术问题然而,仍存在对如提出的制造的光盘进行快速终结的需求。技术方案本专利技术的多个方面和示例性实施例提供一种在制造期间对信息记录介质 进行快速终结的新技术。有益效果如上所述,先前在信息记录介质100的制造期间以预制凹坑序列形成在 对信息记录介质IOO进行终结时必须使用数据填充的部分,因此,对信息记 录介质IOO进行终结所需时间可被缩短,从而实现介质IOO的快速终结。附图说明当结合附图进行阅读时,对本专利技术的更好理解/人以下对示例性实施例和 权利要求的详细描述将变得明显,上述所有内容组成本专利技术的公开的一部分。 尽管以下描述和示出的公开集中于公开本专利技术的示例性实施例,但应该清楚 地理解,这只是作为说明和示例,并且本专利技术不限于此。本专利技术的精神和范围仅由权利要求限定。以下是对附图的简要描述,其中图1A至图1D是示出才艮据当波长(入)为650 nm、 NA为0.60以及最 小标记长度为0.42 jam时的凹坑的深度的再现信号的曲线图2是当图1C所示的凹坑深度为人/4时的归一化信号的曲线记录介质的示意图4是当沟槽的底面被布置在与形成于终结区域中的预制凹坑的底面相 同的平面而沟槽的深度不同于预制凹坑的深度时,图3所示的信息记录介质 的透一见图5是当沟槽的底面与形成于终结区域中的预制凹坑的底面位于不同水 平面并且沟槽的深度不同于预制凹坑的深度时,图3所示的信息记录介质的透视图6是示出根据本专利技术实施例的双层信息记录介质的示图,其中,预制图7是示出根据本专利技术实施例的双层信息记录介质的示图,其中,预制 凹坑形成于用于对该介质进行终结的中间区域,并且该信息记录介质包括第 一灵活中间区域;图8是根据本专利技术实施例的信息记录介质的框图,该框图示出用于记录 指示预制凹坑形成于该介质的终结区域的信息的区域;图9是根据本专利技术实施例的使用信息记录介质的记录/再现设备的示意性 框图,所述信息记录介质具有用于指示预制凹坑形成于该介质的终结区域的 数据的区域。最佳方式根据本专利技术实施例,提供一种具有预先形成于用于对信息记录介质进行 终结的终结区域中的预制凹坑的信息记录介质。终结区域可包括信息记录介 质的中间区域。根据本专利技术一方面,信息记录介质可包括形成到一个或多个表面中的沟 槽,沟槽的深度不同于预制凹坑的深度。沟槽的底面可以与预制凹坑的底面 位于相同或不同的水平面。信息记录介质还可具有指示预制凹坑是否预先形 成于终结区域中的信息。指示存在预先形成于终结区域中的预制凹坑的信息 可被记录在信息记录介质的预定区域中。信息记录介质还可具有预定区域以 包括导入区或所述导入区的控制数据区域。根据本专利技术另一实施例,提供一种具有一个或多个层的信息记录介质, 包括数据区域,记录用户数据;终结区域,预先形成有用于信息记录介质 的快速终结的预制凹坑,终结区域包括中间区域。根据本专利技术一方面,信息记录介质还可包括灵活本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种信息记录介质,包括:    用户数据区域,存储用户数据;    终结区域,包括用于对信息记录介质进行终结的预先形成的预制凹坑序列。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2005-10-25 10-2005-01009151、一种信息记录介质,包括用户数据区域,存储用户数据;终结区域,包括用于对信息记录介质进行终结的预先形成的预制凹坑序列。2、 如权利要求1所述的信息记录介质,其中,终结区域包括中间区域。3、 如权利要求1所述的信息记录介质,还包括形成于信息记录介质中的 沟槽。4、 如权利要求3所述的信息记录介质,其中,每个沟槽的深度不同于每 个预制凹坑的深度。5、 如权利要求4所述的信息记录介质,其中,沟槽的底面与预制凹坑的 底面位于相同或不同的水平面。6、 如权利要求1所述的信息记录介质,其中,指示预制凹坑是否预先形 成于终结区域中的信息被记录在信息记录介质的预定区域中。7、 如权利要求6所述的信息记录介质,其中,信息记录介质的所述预定 区域包括导入区或所述导入区的控制数据区域。8、 一种具有一个或多个记录层的信息记录介质,包括 数据区域,记录用户数据;终结区域,预先形成用于信息记录介质的快速终结的预制凹坑。9、 如权利要求8所述的信息记录介质,还包括灵活中间区域,根据将 被记录在数据区域中的数据的大小而被布置,数据作为标记被记录在灵活中 间区域中。10、 如权利要求8所述的信息记录介质,其中,指示预制凹坑是否预先 形成于终结区域中的信息被记录在信息记录介质的预定区域中。11、 一种用于将数据记录在信息记录介质上或再现记录在信息记录介质 上的数据的记录/再现设备,包括写/读单元,被布置以将数据记录在信息记录介质上或从信息记录介质读 取数据;控制单元,被配置...

【专利技术属性】
技术研发人员:李坰根田坂修一
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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