一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于有机高分子材料技术领域，特别涉及一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，包括以下步骤：（1）内层含氟的SiO2中空球的制备；（2）将内层含氟的SiO2中空球加入到极性有机溶剂中，超声分散，然后加入等摩尔比的二胺和二酐，反应得到聚酰胺酸树脂溶液；（3）将所述聚酰胺酸树脂溶液经真空消泡处理后流涎成膜，加热亚胺化得到低介电聚酰亚胺薄膜。本发明专利技术采用简单、高效的方法制得低介电聚酰亚胺薄膜，该薄膜具有优良的介电性能和力学性能，在电子、微电子和航天航空等行业具有广阔的应用前景。电子和航天航空等行业具有广阔的应用前景。电子和航天航空等行业具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于有机高分子材料
，尤其涉及一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着微电子工业的迅猛发展，集成电路中芯片集成度迅速提高，芯片中互连线密度急剧增加，导致电阻、布线中的电容增大，电阻、电容延迟产生的寄生效应显著增强，引发信号容阻延迟、串扰以及功耗增大等问题。电容延迟成为制约芯片性能提高、限制集成电路满足微电子工业发展的束缚。解决这一问题的有效办法是寻找超低介电常数材料作为绝缘层材料，以满足微电子工业发展。
[0003]聚酰亚胺（PI）薄膜具有低介电常数、良好的热稳定性和化学稳定性、低吸湿率等优异性能，是作为层间绝缘的理想材料。然而，普通聚酰亚胺薄膜的介电常数在3.4左右，无法满足高密度集成电路的要求。为此，科技工作者对PI薄膜介电性能的开发研究给予了高度重视，由此推动了低介电聚酰亚胺薄膜的研发和生产。
[0004]申请号为201710574815.4的专利公开了一种高透明和低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，该专利采用含氟单体来降低薄膜的介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）内层含氟的SiO2中空球的制备：将氨基硅烷和含氟硅烷滴入水中，搅拌反应，离心洗涤，喷雾干燥，得到内层含氟的SiO2中空球；（2）将内层含氟的SiO2中空球加入到极性有机溶剂中，超声分散，然后加入等摩尔比的二胺和二酐，反应得到聚酰胺酸树脂溶液；（3）将所述聚酰胺酸树脂溶液经真空消泡处理后流涎成膜，加热亚胺化得到低介电聚酰亚胺薄膜。2.根据权利要求1所述低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述氨基硅烷选自γ
‑
氨丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
氨丙基三乙氧基硅烷、N
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β（氨乙基）
‑
γ
‑
氨丙基三甲氧基硅烷、N
‑
β（氨乙基）
‑
γ
‑
氨丙基三乙氧基硅烷、N
‑
β（氨乙基）
‑
γ
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氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N
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β（氨乙基）
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γ
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氨丙基甲基二乙氧基硅烷、二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种。3.根据权利要求2所述低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述氨基硅烷为γ
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氨丙基三甲氧基硅烷和二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷的复配混合物，物质的量之比为1:1
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6:1，优选地，为2:1
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4:1。4.根据权利要求1所述低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氟硅烷选自1H,1H,2H,2H
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全氟癸基三乙氧基硅烷、1H,1H,2H,2H
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全氟癸基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基甲基二甲氧基硅烷、3,3,3
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三氟丙基甲基二甲氧基硅烷、3,3,3
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三氟丙基三甲氧基硅烷、1H,1H,2H,2H
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全氟辛基三乙氧基硅烷或1H,1H,2H,2H
‑
全氟辛基三甲氧基硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁力，
申请(专利权)人：梁力，
类型：发明
国别省市：