在机台零件上形成纳米涂层的方法及纳米涂层技术

本发明专利技术提供一种在机台零件上形成纳米涂层的方法，包括：清洁零件表面；提供类金刚石离子束，利用PVD工艺将类金刚石离子束沉积至零件表面，形成第一膜层；提供TiN和CrN离子束，利用PVD工艺将TiN和CrN离子束沉积至第一膜层表面，形成第二膜层；提供TiCN和TiClN离子束，利用PVD工艺将TiCN和TiClN离子束沉积至第二膜层表面，形成第三膜层；第一膜层、第二膜层和第三膜层形成纳米涂层。本发明专利技术利用PVD工艺在零件表面依序附着类金刚石的第一膜层、含TiN和CrN的第二膜层和含TiCN和TiClN的第三膜层，形成纳米级的膜层，该膜层密度大，结构紧凑，能够降低杂质颗粒的附着力，同时提高该纳米涂层的耐高温、耐腐蚀性能。耐腐蚀性能。耐腐蚀性能。

【技术实现步骤摘要】
在机台零件上形成纳米涂层的方法及纳米涂层


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种在机台零件上形成纳米涂层的方法及纳米涂层。

技术介绍

[0002]在制备半导体时，通常会在晶圆上进行沉积工艺，例如，将晶圆置于CVD机台的基座上，利用CVD工艺(化学气相沉积)在晶圆上沉积形成相应的功能层。由于半导体制备对环境的洁净度要求十分高，因此在进行沉积前，需要对机台内的零件进行清洁。
[0003]目前，一般通过对NF3进行解离以去除附着在零件表面的杂质，再利用惰性气体对机台零件表面进行吹扫，以将杂质脱离零件表面，并用吸泵抽走。但是，该方法虽然能够将大部分杂质去除，但仍有部分杂质颗粒会残留在零件表面，不能彻底去除，该部分杂质颗粒会影响半导体的制备良率。
[0004]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一个主要目在于提供一种在机台零件上形成纳米涂层的方法，能够在零件表面形成具有较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在机台零件上形成纳米涂层的方法，其特征在于，包括：清洁零件表面；提供类金刚石离子束，利用PVD工艺将所述类金刚石离子束沉积至所述零件表面，形成第一膜层；提供TiN和CrN离子束，利用PVD工艺将所述TiN和CrN离子束沉积至所述第一膜层表面，形成第二膜层；提供TiCN和TiClN离子束，利用PVD工艺将所述TiCN和TiClN离子束沉积至所述第二膜层表面，形成第三膜层；所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层形成所述纳米涂层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供所述类金刚石离子束包括：提供高温熔融的类金刚石粒子，利用射频电流将所述类金刚石粒子解离成所述类金刚石离子束。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用PVD工艺将所述类金刚石离子束沉积至所述零件表面，形成第一膜层包括：将所述零件升温至130℃～180℃；利用所述PVD工艺将所述类金刚石离子束沉积至所述零件表面，待所述零件冷却至60℃～90℃，形成所述第一膜层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供TiN和CrN离子束包括：提供高温熔融的TiN和CrN粒子，利用射频电流将所述TiN和CrN粒子解离成所述TiN和CrN离子束。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用PVD工艺将所述TiN和CrN离子束沉积至所述第一膜层表面，形成第二膜层包括：将所述零件升温至60℃～100℃；利用所述PVD工艺将所述TiN和CrN离子束沉积至所述第一膜层表面，形成所述第二膜层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供TiCN和TiClN离子束包括：提供高温熔融的TiCN和TiClN粒子，利用射频电流将所述TiCN和TiClN粒子解离成所述TiCN和TiClN离子束。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用PVD工艺将TiCN和TiClN离子束沉积至所述第二膜层表面，形成第三膜层包括：将所述零件升温至60℃～100℃；利用所述PVD工艺将所述TiCN和TiClN离子束沉积至所述第二膜层表面，形成所述第三膜层。8.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佩勋，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：