制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法，包括：形成半导体纳米结构以及牺牲层的交替膜层的鳍片；横向蚀刻牺牲层的侧壁部分；以及在半导体纳米结构以及牺牲层的侧壁上沉积额外的半导体材料。在额外的半导体材料上沉积介电材料以及额外的蚀刻之后，半导体结构的剩余部分以及额外的半导体材料在鳍片各自的两侧共同形成锤形(hammer shape)。在鳍片两侧上形成的外延源极/漏极区将接触锤形的头部。极/漏极区将接触锤形的头部。极/漏极区将接触锤形的头部。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法


[0001]本专利技术实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法，且特别关于一种 场效晶体管装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置被用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机以 及其他电子设备。一般通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层 以及半导体层材料以制造半导体装置，并使用微影对各种材料层进行图案 化，以在其上形成电路组件及元件。
[0003]半导体产业通过持续减小最小部件尺寸以持续提高各种电子组件(例如 晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，其允许将更多组件整合至给 定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的额外问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括：形成半导体 堆叠，包括：在基板上沉积第一半导体层；以及在第一半导体层上沉积第二 半导体层；蚀刻半导体堆叠以形成鳍片，鳍片包括纳米结构的堆叠；在鳍片 上形成虚设栅极结构；蚀刻鳍片以形成凹口，凹口邻近虚设栅极结构，凹口 露出基板，凹口露出在虚设栅极结构下方的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，包括：形成一半导体堆叠，包括：在一基板上沉积一第一半导体层；以及在该第一半导体层上沉积一第二半导体层；蚀刻该半导体堆叠以形成一鳍片，该鳍片包括多个纳米结构的一堆叠；在该鳍片上形成一虚设栅极结构；蚀刻该鳍片以形成一凹口，该凹口邻近该虚设栅极结构，该凹口露出该基板，该凹口露出在该虚设栅极结构下方的该第一半导体层以及该第二半导体层的多个第一侧部；蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张罗衡，张荣宏，林志昌，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：