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一种制造半导体装置的方法，包括：形成半导体纳米结构以及牺牲层的交替膜层的鳍片；横向蚀刻牺牲层的侧壁部分；以及在半导体纳米结构以及牺牲层的侧壁上沉积额外的半导体材料。在额外的半导体材料上沉积介电材料以及额外的蚀刻之后，半导体结构的剩余部分以及...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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