一种耐磨导电金刚石定位器制造技术

本发明专利技术公开了一种耐磨导电金刚石定位器，包括：支撑座、固定于所述支撑座上的CVD绝缘金刚石膜、固接于所述CVD绝缘金刚石膜上的掺硼导电金刚石膜及位于所述掺硼导电金刚石膜上往复运动的运动件；所述掺硼导电金刚石膜沿长度方向上刻蚀有多个沟槽，多个所述沟槽用于将掺硼导电金刚石膜分割成多个独立的区域段，所述区域段用于运动件位于掺硼导电金刚石膜上往复运动时与掺硼导电金刚石膜形成接触和脱离接触两个接触状态。根据本发明专利技术，具有耐磨损，可以在恶劣的环境中稳定运行。可以在恶劣的环境中稳定运行。可以在恶劣的环境中稳定运行。

【技术实现步骤摘要】
一种耐磨导电金刚石定位器


[0001]本专利技术涉及真空微电子的
，特别涉及一种耐磨导电金刚石定位器。

技术介绍

[0002]在很多机械加工领域，在加工过程中对运动组件的位置时刻需要有精确的定位要求。利用已经定位的多电极组成的电极阵列与运动组件构成电极对的导电与否进行对往复运动件的定位是一种常用的定位方式。但是在使用中，由于运动件电极与固定件电极之间因为往复运动，容易产生磨损甚至失效，导致这种定位方式的使用期限不够理想；另外，在一些有腐蚀性的使用环境中，对定位器的化学稳定性也有较高的要求。
[0003]金刚石具有最高的硬度，同时金刚石表面具有非常低的摩擦系数，因此金刚石具有非常优异的耐磨性能。如果能用金刚石作为往复运动之间的摩擦面材料，可以大幅度提高摩擦面的耐摩擦性能，从而提高定位器的使用寿命。同时金刚石在常温环境中可以抵御任何化学物品的侵蚀，因此用金刚石作为定位器，可以使用在比较恶劣的环境中，比如含有辐射，有化学品辐射的环境中。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的不足之处，本专利技术的目的是提供一种耐磨导电金刚石定位器，具有耐磨损，可以在恶劣的环境中稳定运行。为了实现根据本专利技术的上述目的和其他优点，提供了一种耐磨导电金刚石定位器，包括：
[0005]支撑座、固定于所述支撑座上的CVD绝缘金刚石膜、固接于所述CVD绝缘金刚石膜上的掺硼导电金刚石膜及位于所述掺硼导电金刚石膜上往复运动的运动件；
[0006]所述掺硼导电金刚石膜沿长度方向上刻蚀有多个沟槽，多个所述沟槽用于将掺硼导电金刚石膜分割成多个独立的区域段，所述区域段用于运动件位于掺硼导电金刚石膜上往复运动时与掺硼导电金刚石膜形成接触和脱离接触两个接触状态。
[0007]优选的，所述支撑座上开设有一安装槽，所述安装槽内固接有CVD绝缘金刚石膜，且所述安装槽的长度为第一长度值，所述第一长度值大于CVD绝缘金刚石膜的长度值。
[0008]优选的，所述区域段包括平面部以及与所述平面部一体式连接的竖直部，所述平面部位于CVD绝缘金刚石膜远离支撑座的端面上，所述竖直部位于与平面部相邻的CVD绝缘金刚石膜侧面上。
[0009]优选的，所述运动件位于所述平面部上做往复运动，所述竖直部的端面上固接有电极导线连接点，所述电极导线连接点上固接有电极导线。
[0010]优选的，所述CVD绝缘金刚石膜的电阻率>1013Ω/cm，所述掺硼导电金刚石膜的电阻率在10
‑3‑‑‑
106Ω/cm之间。
[0011]优选的，每个区域段之间相互绝缘。
[0012]优选的，所述CVD绝缘金刚石膜与掺硼导电金刚石膜构成固定电极，所述运动件构成运动电极，所述固定电极的形状根据运动电极的运动轨迹进行一一相对应。
[0013]优选的，所述固定电极的形状包括直线形、圆环形、2D形状或3D形状。
[0014]本专利技术与现有技术相比，其有益效果是：通过将掺硼导电金刚石膜分割成多个独立的区段，使得运动电极在该掺硼导电金刚石膜上进行往复运动，使得运动电极分别与导电金刚石膜接触和脱离接触，使得不同区段的导电CVD金刚石膜处于电极接通和脱离接通的状态，从而能确定运动部件的行程定位，该定位器具有耐磨损，可以在恶劣的环境中稳定运行。
附图说明
[0015]图1为根据本专利技术的耐磨导电金刚石定位器的结构示意图；
[0016]图2为根据本专利技术的耐磨导电金刚石定位器的半剖结构示意图。
[0017]图中：1.运动件；2.掺硼导电金刚石膜；3.电极导线；4.支撑座；5.CVD绝缘金刚石膜；6.电极导线连接点；7.电极导线连接点。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]参照图1
‑
2，一种耐磨导电金刚石定位器，包括：支撑座4、固定于所述支撑座4上的CVD绝缘金刚石膜5、固接于所述CVD绝缘金刚石膜5上的掺硼导电金刚石膜2及位于所述掺硼导电金刚石膜2上往复运动的运动件1，在绝缘CVD金刚石膜5表面有一层掺硼的导电CVD金刚石膜，利用激光切割技术或者图形转化技术将掺硼金刚石膜2分割成独立的区段；所述掺硼导电金刚石膜2沿长度方向上刻蚀有多个沟槽7，多个所述沟槽7用于将掺硼导电金刚石膜2分割成多个独立的区域段，所述区域段用于运动件1位于掺硼导电金刚石膜2上往复运动时与掺硼导电金刚石膜2形成接触和脱离接触两个接触状态，所述运动件1为运动电极，利用运动电极的往复运动，分别与掺硼导电金刚石膜2接触和脱离接触，使得不同区段的掺硼导电金刚石膜2处于电极接通和脱离接通的状态，从而能确定运动部件的行程定位，该定位器具有耐磨损，可以在恶劣的环境中稳定运行。
[0020]进一步的，所述支撑座4上开设有一安装槽，所述安装槽内固接有CVD绝缘金刚石膜5，且所述安装槽的长度为第一长度值，所述第一长度值大于CVD绝缘金刚石膜5的长度值。
[0021]进一步的，所述区域段包括平面部以及与所述平面部一体式连接的竖直部，所述平面部位于CVD绝缘金刚石膜5远离支撑座4的端面上，所述竖直部位于与平面部相邻的CVD绝缘金刚石膜5侧面上。
[0022]进一步的，所述运动件1位于所述平面部上做往复运动，所述竖直部的端面上固接有电极导线连接点6，所述电极导线连接点上固接有电极导线3。
[0023]进一步的，所述CVD绝缘金刚石膜5的电阻率>1013Ω/cm，所述掺硼导电金刚石膜2的电阻率在10
‑3‑‑‑
106Ω/cm之间。
[0024]进一步的，用激光切割或者其他刻蚀的方法将掺硼导电金刚石膜2分割成彼此电
绝缘的区段，每个区域段之间相互绝缘。
[0025]进一步的，所述CVD绝缘金刚石膜5与掺硼导电金刚石膜2构成固定电极，所述运动件1构成运动电极，所述固定电极的形状根据运动电极的运动轨迹进行一一相对应。
[0026]进一步的，所述固定电极的形状包括直线形、圆环形、2D形状或3D形状。
[0027]这里说明的设备数量和处理规模是用来简化本专利技术的说明的，对本专利技术的应用、修改和变化对本领域的技术人员来说是显而易见的。
[0028]尽管本专利技术的实施方案已公开如上，但其并不仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本专利技术的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本专利技术并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐磨导电金刚石定位器，其特征在于，包括：支撑座(4)、固定于所述支撑座(4)上的CVD绝缘金刚石膜(5)、固接于所述CVD绝缘金刚石膜(5)上的掺硼导电金刚石膜(2)及位于所述掺硼导电金刚石膜(2)上往复运动的运动件(1)；所述掺硼导电金刚石膜(2)沿长度方向上刻蚀有多个沟槽(7)，多个所述沟槽(7)用于将掺硼导电金刚石膜(2)分割成多个独立的区域段，所述区域段用于运动件(1)位于掺硼导电金刚石膜(2)上往复运动时与掺硼导电金刚石膜(2)形成接触和脱离接触两个接触状态。2.如权利要求1所述的一种耐磨导电金刚石定位器，其特征在于，所述支撑座(4)上开设有一安装槽，所述安装槽内固接有CVD绝缘金刚石膜(5)，且所述安装槽的长度为第一长度值，所述第一长度值大于CVD绝缘金刚石膜(5)的长度值。3.如权利要求1所述的一种耐磨导电金刚石定位器，其特征在于，所述区域段包括平面部以及与所述平面部一体式连接的竖直部，所述平面部位于CVD绝缘金刚石膜(5)远离支撑座(4)的端面上，所述竖直部位...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡常青，赵建海，王子龙，
申请(专利权)人：上海铂世光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：