光电转换装置和装备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了光电转换装置和装备。遮光部的上端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离长。遮光部的下端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离短。在包括遮光膜和遮光部的平面中，配设有由遮光部限定的开口和在遮光部与遮光膜之间的间隙，该间隙的宽度小于开口的宽度。口的宽度。口的宽度。

【技术实现步骤摘要】
光电转换装置和装备


[0001]实施例方面涉及光电转换装置。

技术介绍

[0002]光电转换装置配设有光接收像素和遮光像素。各个遮光像素通过遮光膜遮光。在光接收像素之间使用遮光壁进行遮光防止了串扰的发生。
[0003]日本特开第2019
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12739号公报讨论了一种固态图像传感器，该固态图像传感器包括遮光像素和遮光壁，该遮光像素各自包括在绝缘层中的靠近滤色器布设的遮光膜，该遮光壁布设在像素之间的绝缘层中。
[0004]在日本特开第2019
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12739号公报中讨论的技术在光学特性上仍有改进的空间。即，例如，在有效像素区域中的光学黑色(OPB)像素区域的端部处的有效像素中可能发生串扰。

技术实现思路

[0005]根据本专利技术的一个方面，一种光电转换装置，其包括光接收像素区域和遮光像素区域，所述光电转换装置包括：光电转换层，其包括多个光电转换部；在光接收像素区域中的光电转换层上方的遮光部，该遮光部围绕各个透光部，各个透光部作为入射到光接收像素区域中的多个光电转换部中的各个上的光的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电转换装置，其包括光接收像素区域和遮光像素区域，所述光电转换装置包括：光电转换层，其包括多个光电转换部；在光接收像素区域中的光电转换层上方的遮光部，所述遮光部围绕各个透光部，各个透光部作为入射到光接收像素区域中的所述多个光电转换部中的各个上的光的光路；以及沿着光电转换层的主表面的遮光膜，所述遮光膜在遮光像素区域中的光电转换层上方，其中，所述遮光部包括下端和上端，该下端作为在垂直于所述光电转换层的主表面的第一方向上更靠近所述光电转换层的一端，该上端作为在第一方向上与所述遮光部的下端相对的一端，其中，所述遮光膜包括作为在第一方向上更靠近光电转换层的表面的下表面和作为在第一方向上与光电转换层相对的表面的上表面，其中，所述遮光部的上端与光电转换层之间的距离比所述遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离长，其中，所述遮光部的下端与光电转换层之间的距离比所述遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离短，其中，在包括所述遮光膜和所述遮光部的平面中，配设有由所述遮光部限定的开口和在所述遮光部与所述遮光膜之间的间隙，并且其中，间隙在开口和间隙并排布置的第二方向上的宽度比开口在第二方向上的宽度窄。2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，满足以下不等式：B/D>(W+L)/L其中，W是间隙的宽度，L是所述遮光部在第一方向上的宽度，B是所述遮光膜的上表面与光电转换层之间的距离，D是所述遮光部的下端与光电转换层之间的距离。3.根据权利要求2所述的光电转换装置，其中，满足D＜W。4.根据权利要求2所述的光电转换装置，其中，满足D＜W/2。5.根据权利要求2所述的光电转换装置，其中，满足W＜B。6.根据权利要求3所述的光电转换装置，其中，满足W＜B。7.根据权利要求4所述的光电转换装置，其中，满足W＜B。8.根据权利要求2所述的光电转换装置，其中，满足L＜B。9.根据权利要求2所述的光电转换装置，其中，满足W＜L和/或满足B
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D<W。10.根据权利要求8所述的光电转换装置，其中，满足W＜L和/或满足B
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D<W。11.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：都甲宪二，石野英明，林良之，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：