图像传感器制造技术

公开了一种图像传感器，包括：衬底，该衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，该隔离图案在衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在衬底的第一表面上并且耦接到隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在衬底的第二表面上。该接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。该隔离图案的一部分延伸以跨过衬底中的第一区和第二区。第一区与第一接触插塞竖直重叠。第二区与第二接触插塞竖直重叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月22日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请号10
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2020
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0048593的优先权，其公开内容由此通过引用全部并入。


[0003]本专利技术构思涉及一种图像传感器，更具体地，涉及包括接触插塞的图像传感器。

技术介绍

[0004]图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的器件。图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(CCD)类型和互补金属氧化物半导体(CMOS)类型。将CMOS类型的图像传感器缩写为CIS(CMOS图像传感器)。CIS具有多个二维布置的像素。每一个像素包括光电二极管。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的图像质量的图像传感器。
[0006]本专利技术构思的目的不限于上述内容，并且从以下描述中，本领域技术人员将清楚地理解上面未提及的其他目的。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施例，图像传感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，在所述衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在所述衬底的所述第二表面上；其中，所述接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞，其中，所述隔离图案的一部分延伸跨过所述衬底中的第一区和第二区，其中，所述第一区与所述第一接触插塞竖直重叠，并且其中，所述第二区与所述第二接触插塞竖直重叠。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，当在平面图中观察时，所述第一接触插塞处于由所述第一微透镜图案中的四个相邻的第一微透镜图案的中心点包围的区域中。3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：布线结构，在所述衬底的所述第一表面上并且耦接到所述接触插塞；焊盘端子，在所述衬底的所述第二表面上；以及导电图案，所述导电图案穿透所述衬底并且耦接到所述焊盘端子，其中，所述布线结构通过所述导电图案电连接到所述焊盘端子。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离图案包括：多个第一部分，所述多个第一部分中的每一个第一部分具有平行于平面图中的第一方向的主轴；第二部分，具有平行于与所述第一方向不同的第二方向的主轴；以及多个交叉部分，在所述第一部分与所述第二部分相交的相应部分处，其中，所述接触插塞与所述隔离图案的相应的交叉部分接触。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述接触插塞具有与所述隔离图案接触的底表面，其中，所述接触插塞的所述底表面在第三方向上的宽度小于所述交叉部分的顶表面在所述第三方向上的宽度，其中，所述接触插塞的所述底表面在所述第一方向上的宽度大于所述第二部分的顶表面在所述第一方向上的宽度，其中，所述第一方向平行于所述衬底的所述第一表面，并且其中，所述第三方向平行于所述衬底的所述第一表面并且与所述第一方向和所述第二方向交叉。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述衬底包括由所述隔离图案限定的第一聚焦像素区和第二聚焦像素区，其中，所述隔离图案包括：第一部分，在所述第一聚焦像素区和所述像素区之间；以及第二部分，在所述第一聚焦像素区和所述第二聚焦像素区之间；并且其中，所述接触插塞不在所述隔离图案的所述第二部分上。7.根据权利要求6所述的图像传感器，还包括：第二微透镜图案，在所述衬底的所述第二表面上，
其中，所述第二微透镜图案与所述第一聚焦像素区、所述第二聚焦像素区和所述隔离图案的所述第二部分重叠。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述衬底包括多个像素组，所述多个像素组中的每一个像素组包括所述像素区中的多个像素区，其中，所述隔离图案包括所述像素组之间的多个第一部分和所述像素组中的多个第二部分，其中，所述接触插塞不在所述第二部分上，并且其中，所述接触插塞与所述第一部分接触。9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述多个像素组包括第一像素组，其中，所述图像传感器还包括所述衬底的所述第二表面上的所述第一像素组上的滤色器，并且其中，所述滤色器与包括在所述第一像素组中的多个像素区重叠。10.根据权利要求8所述的图像传感器，还包括：共享浮动扩散区，所述共享浮动扩散区在平面图中在所述多个像素组中的第一像素组的中心部分上，其中，所述共享浮动扩散区包括：多个杂质区，在所述衬底中并且在所述像素区上；以及掺杂部分，在所述像素区之间并且连接到所述杂质区。11.根据权利要求10所述的图像传感器，还包括：上隔离图案，在所述隔离图案的顶表面上，其中，所述上隔离图案包括所述共享浮动扩散区的所述掺杂部分与所述隔离图案之间的介电部分，并且其中，所述共享浮动扩散区的所述掺杂部分与所述隔离图案电绝缘。12.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述隔离图案包括晶体半...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冈勋，罗承柱，郑熙根，赵万根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：