【技术实现步骤摘要】
甲硅烷基化异氰脲酸酯化合物、金属防腐蚀剂、固化性有机硅树脂组合物及半导体装置
[0001]本专利技术涉及一种用作金属防腐蚀剂的甲硅烷基(silyl)化异氰脲酸酯化合物、固化性有机硅树脂组合物及半导体装置。
技术介绍
[0002]近年来,光半导体装置被用作室外照明或车载用照明等LED照明。在这样的光半导体装置的密封材料中,通常使用有机硅树脂(silicone resin) 等透气性或透水性高的树脂。因此,在室外等严苛的环境下,存在被用作光半导体装置的电极或反射层的镀银层因硫类的气体或水分而遭腐蚀、亮度大幅下降的问题。
[0003]作为其对策,研究了通过引入苯基等芳香族类取代基而进行高折射率化并提高阻气性(专利文献1~2),但若引入芳香族类取代基,则存在耐热性变差的问题。
[0004]此外,作为不腐蚀金属的防腐蚀剂,例如已知有苯并三唑及5
‑
甲基苯并咪唑这样的含N芳香族烃类的化合物、或锌等的金属络合物,且研究并尝试了添加这些防腐蚀剂。然而,存在树脂的耐热性因防腐蚀剂、金属配体的变色而大幅下降的问题(专利文献3)。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2014
‑
088513号公报专利文献2:国际公开WO2013/005859号公报专利文献3:日本特开2012
‑
056251号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题
[0006]本专利技术是鉴于上述问题而进行的,其目的在于提供一种能够作为耐热性、耐硫 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种甲硅烷基化异氰脲酸酯化合物,其由下述通式(1)表示,在所述通式(1)中,R独立地为选自氢原子、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为2~10的烯基、下述通式(2
‑
a)或下述通式(2
‑
b)所表示的基团中的任意一种的取代基,至少1个所述R为下述通式(2
‑
b),在所述通式(2
‑
a)~(2
‑
b)中,R1表示氢原子或碳原子数为1~8的烷基;q表示1~10的整数;R2相互独立地为选自氢原子、碳原子数为1~10的烷基及下述通式(3)所表示的基团中的任意一种的取代基,至少1个R2为下述通式(3),R4为氢原子或OR2,在所述通式(3)中,R3相互独立地表示选自氢原子、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为2~10的烯基或碳原子数为6~10的芳基中的任意一种的取代基。2.一种金属防腐蚀剂,其特征在于,所述金属防腐蚀剂含有权利要求1所述的甲硅烷基化异氰脲酸酯化合物。3.一种固化性有机硅树脂组合物,其特征在于,其含有:(A)在一分子中至少具有2个烯基的有机硅化合物;(B)在一分子中至少具有2个键合在硅原子上的氢原子的有机硅化合物,该有机硅化合物的量为使所述(B)成分的SiH基相对于所述(A)成分的烯基1mol为0.1~4.0mol的量;(C)铂族金属类催化剂;及(D)作为金属防腐蚀剂的下述通式(1)所表示的甲硅烷基化异氰脲酸酯化合物,
在所述通式(1)中,R独立地为选自氢原子、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为2~10的烯基、下述通式(2
‑
a)或下述通式(2
‑
b)所表示的基团中的任意一种的取代基,至少1个所述R为下述通式(2
‑
b),在所述通式(2
‑
a)~(2
‑
b)中,R1表示氢原子或碳原子数为1~8的烷基;q表示1~10的整数;R2相互独立地为选自氢原子、碳原子数为1~10的烷基及下述通式(3)所表示的基团中的任意一种的取代基,至少1个R2为下述通式(3),R4为氢原子或OR2,在所述通式(3)中,R3相互独立地表示选自氢原子、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为2~10的烯基或碳原子数为6~10的芳基中的任意一种的取代基。4.根据权利要求3所述的固化性有机硅树脂组合物,其特征在于,所述(A)成分为:(A1)含有SiO
4/2
单元或者R4SiO
3/2
单元中的至少任意一种,且在一分子中至少具有2个与硅原子键合的烯基的树脂状的有机聚硅氧烷,其中,R4为碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为2~10的烯基或碳原子数为6~10的芳基。5.根据权利要求4所述的固化性有机硅树脂组合物,其特征在于,所述(A1)成分为由0~60mol%的SiO
4/2
单元、0~90mol%的R4SiO
3/2
单元、0~50mol%的(R4)2SiO
2/2
单元及10~50mol%的(R4)3SiO
1/2
单元构成的、所述SiO
4/2
单元与所述R4SiO
3/2
单元之和为50mol%以上的树脂状的有机聚硅氧烷,所述有机聚硅氧烷的重均分子量为1,000~5,00...
【专利技术属性】
技术研发人员:水梨友之,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。