高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法，所述装置包括：高能电子发生装置、深层充电装置以及高能电子探测器，其中所述深层充电装置与所述高能电子探测器均设置于所述高能电子发生装置的后端，以接收所述高能电子发生装置发射的高能电子束。所述方法包括：同时向深层充电装置和高能电子探测器发射高能电子束；计算发射至所述深层充电装置的高能电子通量F0；计算所述高能电子探测器的高能电子通量探测值F

【技术实现步骤摘要】
高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法


[0001]本专利技术涉及卫星内部介质充电
，具体涉及一种高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法。

技术介绍

[0002]空间高能电子穿过卫星表面，在卫星构件的电解质材料的内部传输并沉积从而建立电场的过程称为内部介质充电，内部介质充电是引起地球同步轨道卫星故障和异常的主要原因。根据探测结果显示，介质深层充电电压与高能电子通量密切相关。鉴于高能电子对中高轨道卫星影响的日益严重，在轨高能电子通量的探测准确性受到科研和航天部门的重视。
[0003]为了提高空间高能电子探测设备的准确性，在地面实验室对高能电子探测设备进行定标非常重要，但由于目前高能电子加速器初始电子通量无法精确控制，造成高能电子束流的强度不能准确获得，对定标工作的进行带来了很大的不便。

技术实现思路

[0004]为了解决
技术介绍
中的技术问题，提高高能电子探测器的准确性，本专利技术提供一种高能电子探测器定标装置、方法及反演高能电子通量方法。
[0005]本专利技术所采用的技术方案具体如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高能电子探测器的定标装置，其特征在于，包括：高能电子发生装置、深层充电装置以及高能电子探测器，其中所述深层充电装置与所述高能电子探测器均设置于所述高能电子发生装置的后端，以接收所述高能电子发生装置发射的高能电子束。2.根据权利要求1所述的高能电子探测器的定标装置，其特征在于，所述深层充电装置与所述高能电子发生装置并排设置，且所述深层充电装置与所述高能电子探测器沿所述高能电子束发射方向的中心轴线呈对称分布。3.一种高能电子探测器的定标方法，其特征在于，所述定标方法采用权利要求1～2中任一项所述的定标装置，包括：同时向深层充电装置和高能电子探测器发射高能电子束；计算发射至所述深层充电装置的高能电子通量F0；计算所述高能电子探测器的高能电子通量探测值F
d
；根据所述深层充电装置的高能电子通量F0与所述高能电子探测器的高能电子通量探测值F
d
对空间高能电子探测器进行定标。4.根据权利要求3所述的高能电子探测器的定标方法，其特征在于，计算发射至所述深层充电装置的高能电子通量包括以下步骤：计算入射至所述深层充电装置介质层表面的高能电子通量F和计算入射至所述深层充电装置屏蔽层的电子通量变化率rat；根据所述深层充电装置屏蔽层的电子通量变化率rat和入射至所述深层充电装置介质层表面的高能电子通量F，计算入射至所述深层充电装置的高能电子通量F0；其中F0＝F/rat。5.根据权利要求4所述的高能电子探测器的定标方法，其特征在于，计算入射至所述深层充电装置介质层表面的高能电子通量F包括以下步骤：获取所述深层充电装置的深层充电电压U；根据所述深层充电电压U计算深层充电电压变化量du；根据所述深层充电电压的变化量du和所述深层充电电压U计算入射至所述深层充电装置介质层表面的高能电子通量F；其中，du＝(SFQ
e-U/R)/C，F＝(du
×
C+U/R)/(SQ
e
)，S为所述深层充电装置的介质面积，单位为cm2；Qe为电子电荷量，C为所述深层充电装置的介质电容，R为所述深层充电装置的介质电阻。6.根据权利要求4所述的反演高能电子通量的方法，其特征在于，根据以下公式计算所述电子通量变化率rat：r为能量为E的高能电子的最大射程；a为电子通量发生衰减的临界厚度；r0为屏蔽层的厚度。7.根据权利要求3所述的高能电子探测器的定标方法，其特征在于，根据所述深层充电装置的高能电子通量F0与所述高能电子探测器的高能电子通量探测值Fd对空间高能电子
探测器进行定标还包括以下步骤：根据公式C＝F0/F
d
获得常数C；将所述空间高能电子探测器的高能...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛炳森，张宇，曹建峰，李黎，郑巍，周率，
申请(专利权)人：北京天译科技有限公司，
类型：发明
国别省市：