一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法技术

本发明专利技术涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内，开展4个不同温度环境下的应力试验，利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids

【技术实现步骤摘要】
一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法


[0001]本专利技术属于空间辐射环境探测
，涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法。

技术介绍

[0002]随着航天技术的快速发展，航天器上用了大量的高精端电子设备，而这些设备在空间应用时受到带电粒子辐射，导致航天器及电子设备发生故障或失效。因此，研究航天器及电子设备受到的辐射剂量的精确监测技术，对航天器的设计、元器件的选型、预报预警等非常重要的。PMOS剂量计作为一种星用辐射剂量监测设备，具有成本低、功耗低、体积小、测量电路简单等优点，被广泛的用于航天领域。研究高性能的PMOS剂量计对真实反映航天器及电子设备所处空间环境辐射剂量至关重要。
[0003]PMOS剂量计所处的空间环境的温度变化时，其输出电压发生较大的漂移，严重的影响了PMOS剂量计测量空间辐射剂量的精度。原因在于其核心辐射剂量传感器，是一种体硅厚氧化栅结构的MOS半导体器件，当受到环境温度的影响时，传感器的敏感参数会发生漂移，而这种由于空间环境温度的变化引起的漂移会造成PMOS剂量计测量辐射剂量的误差。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，其特征在于该方法涉及装置是由辐射剂量传感器、测试版、高低温箱、半导体参数系统和PC机组成，在测试板（2）上分别连接辐射剂量传感器（1）、高低温箱（3）和半导体参数系统（4），半导体参数系统（4）与PC机（5）连接，具体操作按下列步骤进行：a、温度试验开始前，将辐射剂量传感器（1）安装于测试板（2）上，测试板（2）通过长线电缆与半导体参数测试系统（4）进行连接；b、根据PMOS剂量计在空间的应用环境温度范围
‑
25℃
‑ꢀ
+55℃内至少选取4个温度点，其中4个温度点的选取包括临界温度
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25℃和+55℃，其余两个温度选择0℃和25℃；c、将安装有辐射剂量传感器（1）的测试板（2）放置于高低温环境试验箱（3）内，在步骤b中选取的4个温度条件下进行温度试验，每个温度环境下测试板（2）放置时间为30分钟，然后通过PC机（5）控制半导体参数测试系统（4）进行参试样品的转移特性曲线I
DS

【专利技术属性】
技术研发人员：孙静，刘海涛，李小龙，荀明珠，于钢，余学峰，何承发，郭旗，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：