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本发明涉及一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法，该方法首先将辐射剂量传感器放置于高低温环境试验箱内，开展4个不同温度环境下的应力试验，利用半导体参数测试系统对辐射剂量传感器的输出转移特性曲线Ids
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该专利属于中国科学院新疆理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院新疆理化技术研究所授权不得商用。

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