一种用于监控过孔工艺的电路版制造技术

本发明专利技术公开了一种用于监控过孔工艺的电路版，所述电路版为多层版，包括自下而上依次设置的N型阱层、有源区层、多晶硅层、硅阻挡层、接触孔层、第一金属层、过孔层以及第二金属层；所述电路版上设有第一PCM测试条和过孔；所述第一焊盘和所述第四焊盘均连接至与所述过孔连接的第一金属层，所述第二焊盘和所述第三焊盘均连接至与所述过孔连接的第二金属层；其中，通过向所述第一焊盘和所述第三焊盘输入电流，并根据所述第二焊盘和所述第四焊盘两端的电压监控过孔工艺。如果半导体器件通过本发明专利技术提供的电路版测试的电阻比通过PCM测试的电阻大，说明该半导体器件的过孔工艺不合格，否则，说明该半导体器件的过孔工艺合格。说明该半导体器件的过孔工艺合格。说明该半导体器件的过孔工艺合格。

【技术实现步骤摘要】
一种用于监控过孔工艺的电路版


[0001]本专利技术涉及电路版领域，特别涉及一种监控过孔工艺的电路版。

技术介绍

[0002]PCM(Process Control Monitor，工艺控制监控)测试是指通过电参数对工艺控制进行监控，是反映产品质量的一种手段。
[0003]目前的现有技术中，发现已经通过PCM测试的半导体器件在使用过程中仍然存在过孔开路的问题。因此，目前的PCM测试结构已经不能满足半导体测试的需求了，需要开发一种新的测试结构以监控过孔工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中的上述缺陷，提供一种监控过孔工艺的电路版。
[0005]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0006]本专利技术的第一方面提供一种用于监控过孔工艺的电路版，所述电路版为多层版，包括自下而上依次设置的N型阱层、有源区层、多晶硅层、硅阻挡层、接触孔层、第一金属层、过孔层以及第二金属层；
[0007]所述电路版上设有第一PCM测试条和过孔；r/>[0008]所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于监控过孔工艺的电路版，其特征在于，所述电路版为多层版，包括自下而上依次设置的N型阱层、有源区层、多晶硅层、硅阻挡层、接触孔层、第一金属层、过孔层以及第二金属层；所述电路版上设有第一PCM测试条和过孔；所述第一PCM测试条上设有第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘以及第四焊盘，所述第一焊盘和所述第四焊盘均连接至与所述过孔连接的第一金属层，所述第二焊盘和所述第三焊盘均连接至与所述过孔连接的第二金属层；其中，通过向所述第一焊盘和所述第三焊盘输入电流，并根据所述第二焊盘和所述第四焊盘两端的电压监控过孔工艺。2.如权利要求1所述的电路版，其特征在于，所述过孔通过第一金属层和接触孔连接至若干块多晶硅。3.如权利要求2所述的电路版，其特征在于，每块多晶硅的面积为100μm*100μm。4.如权利要求2所述的电路版，其特征在于，所述多晶硅的数量...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋丽萍，耿伟，陈志勇，徐霞，熊俊文，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：