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本发明公开了一种用于监控过孔工艺的电路版,所述电路版为多层版,包括自下而上依次设置的N型阱层、有源区层、多晶硅层、硅阻挡层、接触孔层、第一金属层、过孔层以及第二金属层;所述电路版上设有第一PCM测试条和过孔;所述第一焊盘和所述第四焊盘均连接...该专利属于上海先进半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海先进半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种用于监控过孔工艺的电路版,所述电路版为多层版,包括自下而上依次设置的N型阱层、有源区层、多晶硅层、硅阻挡层、接触孔层、第一金属层、过孔层以及第二金属层;所述电路版上设有第一PCM测试条和过孔;所述第一焊盘和所述第四焊盘均连接...