一种半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体结构及其制作方法。其中半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一屏蔽层；形成贯穿所述第一屏蔽层的第一电极；在所述第一电极上形成存储结构；在所述存储结构的顶部和侧壁形成第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层共同构成屏蔽层；形成贯穿所述屏蔽层且与所述存储结构电连接的第二电极。本发明专利技术中，通过先形成第一屏蔽层，然后再依次形成第一电极、存储结构和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层形成包覆所述存储结构的屏蔽层，可更好的屏蔽外部电磁场对所述存储结构的干扰，确保信息能够被正确存储以及读写。确保信息能够被正确存储以及读写。确保信息能够被正确存储以及读写。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]自旋转移矩(STT)磁性存储器(MRAM)是通过自旋电流实现信息写入的一种存储器，其存储单元的核心是一个MTJ(Magnetic Tunnel Junction，磁性隧道结)，由磁性层堆叠结构、第一电极和第二电极构成，其中磁性层堆叠结构包括从上到下叠层设置的自由层、间隔层和固定层，第二电极位于自由层的顶部，第一电极位于固定层的底部。
[0003]但是，STT-MRAM容易受到外部电磁场的干扰，目前芯片级的屏蔽不足以完全屏蔽外部电磁场的干扰。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种半导体结构及其制作方法，以屏蔽外部电磁场的干扰。
[0005]本专利技术实施例提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
[0006]提供衬底；
[0007]在所述衬底上形成第一屏蔽层；
[0008]形成贯穿所述第一屏蔽层的第一电极；
[0009]在所述第一电极上形成存储结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一屏蔽层；形成贯穿所述第一屏蔽层的第一电极；在所述第一电极上形成存储结构；在所述存储结构的顶部和侧壁形成第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层共同构成屏蔽层；形成贯穿所述屏蔽层且与所述存储结构电连接的第二电极。2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述存储结构包括磁性层堆叠结构。3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一屏蔽层的第一电极的步骤，包括：在所述第一屏蔽层上形成第一介质层；在所述第一屏蔽层和所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中形成所述第一电极。4.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述存储结构的顶部和侧壁形成第二屏蔽层之前，还包括：形成覆盖所述磁性层堆叠结构的顶部和侧壁的第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层共同构成隔离层。5.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层的材料包括导电性材料和/或导磁性材料。6.如权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层的材质不同；利用自对准刻蚀工艺去除所述磁性层堆叠结构侧壁上的所述第二屏蔽层下方之外的所述第一屏蔽层；所述磁性层堆叠结构侧壁上的所述第二屏蔽层下方保留的所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层形成所述屏蔽层。7.如权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述屏蔽层的底部低于所述磁性层堆叠结构的底部。8.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述磁性层堆叠结构的顶部呈弧形。9.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述磁性层堆叠结构的横向尺寸大于所述第一电极的横向尺寸。10.如权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成贯穿所述屏蔽层且与所述存储结构电连接的第二电极的步骤，包括：在所述衬底和所述屏蔽层上形成第三介质层；利用研磨工艺去除所述磁性层堆叠结构上方的部分屏蔽层以暴露所述磁性层堆叠结...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴玉雷，吴保磊，王晓光，平尔萱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：