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本发明实施例提供了一种半导体结构及其制作方法。其中半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一屏蔽层；形成贯穿所述第一屏蔽层的第一电极；在所述第一电极上形成存储结构；在所述存储结构的顶部和侧壁形成第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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