低噪声放大电路及射频前端模块制造技术

本发明专利技术公开了一种低噪声放大电路及射频前端模块，该低噪声放大电路信号输入端、信号输出端、第一级放大电路、第二级放大电路、第一级输出匹配网络和第二级输出匹配网络；第一级放大电路和第二级放大电路串联式级联在信号输入端和信号输出端之间；第一级输出匹配网络，一端与第一级放大电路的输出端相连，另一端与第一供电电源端相连；第二级输出匹配网络，一端与第二级放大电路的输出端相连，另一端与第二供电电源端相连，其中，低噪声放大电路的输出阻抗与第二级输出匹配网络相关联。本技术方案能够快速地对低噪声放大电路的输出阻抗进行阻抗匹配的同时还能够保证低噪声放大电路的增益。大电路的增益。大电路的增益。

【技术实现步骤摘要】
低噪声放大电路及射频前端模块


[0001]本专利技术涉及射频集成电路
，尤其涉及一种低噪声放大电路及射频前端模块。

技术介绍

[0002]在射频集成电路中一般包括用于发射或接收射频信号的接收器。接收器包括用于对射频信号进行放大的低噪声放大器。低噪声放大器作为接收器的第一级，需要对射频集成电路发射或接收到的射频信号进行放大。
[0003]但是。目前现有的低噪声放大电路在对射频信号进行放大过程中，无法在提供足够的增益外，满足低噪声放大电路的输出阻抗匹配的条件。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种低噪声放大电路及射频前端模块，以解决现有的低噪声放大电路无法同时满足低噪声放大电路的输出阻抗匹配和增益的问题。
[0005]一种低噪声放大电路，包括信号输入端、信号输出端、第一级放大电路、第二级放大电路、第一级输出匹配网络和第二级输出匹配网络；
[0006]所述第一级放大电路和所述第二级放大电路串联在所述信号输入端和所述信号输出端之间；
[0007]连接在所述第二级放大电路的输出端和第一供电电源端之间的所述第一级输出匹配网络，被配置为与所述低噪声放大电路的输出阻抗的虚部相关联；
[0008]连接在所述第二级放大电路的输出端和第二供电电源端之间的所述第二级输出匹配网络，所述第二级输出匹配网络为电阻网络，被配置为与所述低噪声放大电路的输出阻抗的实部相关联。
[0009]进一步地，所述低噪声放大电路的增益与所述第二级输出匹配网络相关联。
[0010]进一步地，所述电阻网络为输出匹配电阻，其中，所述低噪声放大电路的输出阻抗与所述输出匹配电阻的阻值呈正比。
[0011]进一步地，所述电阻网络为可调节电阻，所述可调节电阻被配置为对所述低噪声放大电路的输出阻抗的实部进行调节。
[0012]进一步地，所述电阻网络包括多条阻抗调节支路，每一所述阻抗调节支路包括串联连接的匹配开关和匹配电阻。
[0013]进一步地，所述第一级输出匹配网络包括并联连接的第一电容和第一电感。
[0014]进一步地，所述第一级放大电路包括第一隔直电容、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二隔直电容；
[0015]所述第一隔直电容的第一端与所述信号输入端相连，所述第一隔直电容的第二端与所述第一放大晶体管的第一端相连；
[0016]所述第一放大晶体管的第二端与所述第二放大晶体管的第三端相连，所述第一放
大晶体管的第三端与接地端相连；
[0017]所述第二放大晶体管的第一端通过所述第二隔直电容与接地端相连；
[0018]所述第二放大晶体管的第二端与作为所述第一级放大电路的输出端与所述第二级放大电路的输入端相连。
[0019]进一步地，所述第二级放大电路包括第三隔直电容、第四隔直电容、第三放大晶体管和第四放大晶体管；
[0020]所述第三隔直电容的第一端作为所述第二级放大电路的输入端与所述第一级放大电路的输出端相连，所述第三隔直电容的第二端与所述第三放大晶体管的第一端相连；
[0021]所述第三放大晶体管的第二端与所述第四放大晶体管的第三端相连，所述第三放大晶体管的的第三端与接地端相连；
[0022]所述第四放大晶体管的第一端通过所述第四隔直电容与接地端相连，所述第四放大晶体管的第二端作为所述第二级放大电路的输出端与所述第二级输出匹配网络相连。
[0023]进一步地，所述低噪声放大电路还包括第一增益调节电路和第二增益调节电路；
[0024]所述第一增益调节电路，一端与所述第一级放大电路相连，另一端与接地端相连，被配置为对所述第一级放大电路进行增益调节；
[0025]所述第二增益调节电路，一端与所述第二级放大电路相连，另一端与接地端相连，被配置为对所述第二级放大电路进行增益调节。
[0026]一种射频前端模块，包括基板和设置在所述基板上的低噪声放大芯片，所述低噪声放大芯片上设有上所述的低噪声放大电路。
[0027]进一步地，所述射频前端模块还包括第一增益调节电路和第二增益调节电路；所述第一增益调节电路包括设置在所述基板上的第一增益调节电感，所述第二增益调节电路包括设置在所述基板上的第二增益调节电感；
[0028]所述第一增益调节电感，一端与设置在所述低噪声放大芯片上的所述第一级放大电路相连，另一端与接地端相连；
[0029]所述第二增益调节电感，一端与设置在所述低噪声放大芯片上的所述第二级放大电路相连，另一端与接地端相连。
[0030]上述低噪声放大电路及射频前端模块，低噪声放大电路的第一级输出匹配网络连接在第二级放大电路的输出端和第一供电电源端之间，被配置为与低噪声放大电路的输出阻抗的虚部相关联；第二级输出匹配网络连接在第二级放大电路的输出端和第二供电电源端之间，第二级输出匹配网络为电阻网络，被配置为与低噪声放大电路的输出阻抗的实部相关联，在第二级放大电路的输出端接入第二级输出匹配网络，通过第二级输出匹配网络即可对低噪声放大电路的输出阻抗和增益进行调整，从而实现在较宽频段范围内，不仅能保证低噪声放大电路的输出端实现阻抗匹配，还能保证低噪声放大电路的增益。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的一电路示意图；
[0033]图2是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0034]图3是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0035]图4是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0036]图5是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0037]图6是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图。
[0038]图中：10、第一级放大电路；20、第二级放大电路；30、第一级输出匹配网络；40、第二级输出匹配网络；41、阻抗调节支路；50、第一增益调节电路；60、第二增益调节电路。
具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0040]应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0041]应当明白，当本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括信号输入端、信号输出端、第一级放大电路、第二级放大电路、第一级输出匹配网络和第二级输出匹配网络；所述第一级放大电路和所述第二级放大电路串联在所述信号输入端和所述信号输出端之间；连接在所述第二级放大电路的输出端和第一供电电源端之间的所述第一级输出匹配网络，被配置为与所述低噪声放大电路的输出阻抗的虚部相关联；连接在所述第二级放大电路的输出端和第二供电电源端之间的所述第二级输出匹配网络，所述第二级输出匹配网络为电阻网络，被配置为与所述低噪声放大电路的输出阻抗的实部相关联。2.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路的增益与所述第二级输出匹配网络相关联。3.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电阻网络为输出匹配电阻，其中，所述低噪声放大电路的输出阻抗与所述输出匹配电阻的阻值呈正比。4.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电阻网络为可调节电阻，所述可调节电阻被配置为对所述低噪声放大电路的输出阻抗的实部进行调节。5.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电阻网络包括多条阻抗调节支路，每一所述阻抗调节支路包括串联连接的匹配开关和匹配电阻。6.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一级输出匹配网络包括并联连接的第一电容和第一电感。7.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一级放大电路包括第一隔直电容、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二隔直电容；所述第一隔直电容的第一端与所述信号输入端相连，所述第一隔直电容的第二端与所述第一放大晶体管的第一端相连；所述第一放大晶体管的第二端与所述第二放大晶体管的第三端相连，所述第一放大晶体管的第三端与接地端相连；所述第二放大晶体管的第一端通过所述第二隔直电容与接地端相连；所述第二放大晶体管的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋楠，奉靖皓，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：