一种用于机械化学研磨的吸附膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于机械化学研磨的吸附膜，为凹型圆结构；所述凹形圆结构的底面上设置有第一环形折部、第二环形折部、第一环形凹部和第二凹部；所述凹形结构的侧面上从顶端到底端依次设置有第一横部、第二横部和凸台所述第一环形折部包括垂直于底面设置的第一环形垂直部和所述第一垂直部相连接的第一环形水平部，所述第一环形水平部和所述底面相平行；所述第一环形凹部为渐缩型结构；所述第二凹部为渐缩结构；本实用新型专利技术提供的吸附膜，通过对吸附膜的设计，使得该膜用于300mm晶圆研磨时可以实现良好的加载和卸载效果，对晶圆有良好的固持效果，可以保证机械化学研磨具有良好的研磨效果。好的研磨效果。好的研磨效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于机械化学研磨的吸附膜


[0001]本技术涉及机械化学研磨领域，具体涉及一种用于机械化学研磨的吸附膜。

技术介绍

[0002]机械化学研磨作为目前常用的抛光技术，广泛使用于晶圆的研磨，以实现对晶圆表面的良好处理。
[0003]如CN101879700A公开了一种化学机械研磨元件、晶圆的研磨方法及晶圆研磨系统，其中一种处理晶圆的化学机械研磨(CMP)元件，包含一板，以面朝上方向支撑欲进行处理的晶圆；一研磨头，面对此板，其中研磨头包含可旋转的研磨垫，当研磨垫旋转时，研磨垫可操作来接触晶圆；以及一研磨浆涂布系统，提供研磨浆给研磨垫来研磨晶圆。应用本技术可进行面朝上的晶圆的化学机械研磨工艺；因此可降低晶圆弯折，而可产生较佳的全域平坦度，进而可节省扫描机工艺窗时间，并且可缩减化学反应时间，而可缩减微影处理的碟状化或侵蚀。此外由于晶圆为面朝上，因此有较简单的原位晶圆表面监控，而具有精确研磨控制，从而更加适于实用。
[0004]CN110394727A公开了一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备，可以在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨，当需要启动测试晶圆的监控时，在设定的研磨参数下控制研磨机进行测试晶圆的研磨，通过专用测量设备可以获得测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差，根据第一整体厚度偏差可以获得更新的研磨参数，以更新的研磨参数作为设定的研磨参数，控制研磨机进行量产晶圆的研磨，从而得到厚度更加均匀的晶圆，从而提高研磨后的晶圆的平整度。
[0005]然而现有技术中针对直接为300mm晶圆的研磨过程中用于加载和卸载的膜无合适的产品，或无法对晶圆实现良好的加载效果，无法保证晶圆的研磨质量。

技术实现思路

[0006]鉴于现有技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种用于机械化学研磨的吸附膜，本技术通过对吸附膜的设计，使得该膜用于300mm晶圆研磨时可以实现良好的加载和卸载效果，对晶圆有良好的固持效果，可以保证机械化学研磨具有良好的研磨效果。
[0007]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0008]本技术提供了一种用于机械化学研磨的吸附膜，所述用于机械化学研磨的吸附膜为凹型圆结构；
[0009]所述凹形圆结构的底面上设置有第一环形折部、第二环形折部、第一环形凹部和第二凹部；
[0010]所述凹形结构的侧面上从顶端到底端依次设置有第一横部、第二横部和凸台，所述第一横部和第二横部均与所述底面平行，所述第一横部和第二横部靠近所述凹型圆结构的中心线的一端设置有凸部；
[0011]所述第一环形折部包括垂直于底面设置的第一环形垂直部和所述第一垂直部相连接的第一环形水平部，所述第一环形水平部和所述底面相平行；
[0012]所述第一环形水平部的一端和第一环形垂直部的顶端相连接，所述第一环形水平部的另一端向所述凹型圆结构的中心线延伸；
[0013]所述第一环形水平部靠近所述凹型圆结构的中心线的一端设置有凸部，所述第一环形垂直部靠近所述凹型圆结构的中心线的侧面设置有凸台；
[0014]所述第二环形折部包括垂直于所述底面设置的第二环形垂直部和所述第二环形垂直部相连接的第二环形水平部，所述第二环形水平部和所述底面相平行；
[0015]所述第二环形水平部的一端和所述第二环形垂直部的顶端相连接，所述第二环形水平部的另一端向所述凹型圆结构的中心线延伸；
[0016]所述第二环形水平部靠近所述凹型圆结构的中心线的一端设置有凸部，所述第二环形垂直部靠近所述凹型圆结构的中心线的侧面设置有凸台；
[0017]所述第一环形凹部为渐缩型结构，以所述凹型圆结构的底面为起始位置；
[0018]与所述第一环形凹部的侧面相连接的第三横部的远离连接点的一端设置有凸部；
[0019]所述第二凹部为渐缩结构，以所述凹型圆结构的底面为起始位置；
[0020]与所述第二凹部的侧面相连接的第四横部的远离连接点的一端设置有凸部。
[0021]本技术提供的吸附膜，通过对吸附膜的设计，使得该膜可以和研磨机的研磨头实现良好的配合，使得该膜用于300mm晶圆研磨时可以实现良好的加载和卸载效果，对晶圆有良好的固持效果，可以保证机械化学研磨具有良好的研磨效果。
[0022]作为本技术优选的技术方案，所述凸部为半球形。
[0023]所述半球形的半径为1.5
‑
1.7mm，例如可以是1.5mm、1.55mm、1.6mm、1.65mm或1.7mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0024]作为本技术优选的技术方案，所述用于机械化学研磨的吸附膜的侧面最大高度为26
‑
28mm，例如可以是26mm、26.5mm、27mm、27.5mm或28mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0025]所述第一横部和第二横部之间的垂直距离为8
‑
10mm，例如可以是8mm、8.5mm、9mm、9.5mm或10mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0026]作为本技术优选的技术方案，所述凸台的高度为2
‑
5mm，例如可以是2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm或5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0027]本技术中，所述凸台为梯形凸台，该梯形凸台的上表面为梯形的上底。所述凸台的中心线距离第二横部或第一环形水平部的距离分别为2
‑
3mm或3
‑
4mm。
[0028]作为本技术优选的技术方案，所述第一环形凹部的内侧面和底面的夹角为45
‑
60
°
，例如可以是45
°
、50
°
、55
°
或60
°
等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0029]所述第二凹部的内侧面和底面的夹角为45
‑
60
°
，例如可以是45
°
、50
°
、55
°
或60
°
等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
[0030]作为本技术优选的技术方案，所述第一环形垂直部的高度为12.3
‑
12.5mm，例如可以是12.3mm、12.35mm、12.4mm、12.45mm或12.5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内
其他未列举的数值同样适用。
[0031]所述第一环形水平部的宽度为15.5
‑
15.8mm，例如可以是15.5mm、15.55mm、15.6mm、15.65mm、15.7mm、15.75mm或15.8mm等，但不限于所列举的数值，该范围本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于机械化学研磨的吸附膜，其特征在于，所述用于机械化学研磨的吸附膜为凹型圆结构；所述凹型圆结构的底面上设置有第一环形折部、第二环形折部、第一环形凹部和第二凹部；所述凹型圆结构的侧面上从顶端到底端依次设置有第一横部、第二横部和凸台，所述第一横部和第二横部均与所述底面平行，所述第一横部和第二横部靠近所述凹型圆结构的中心线的一端设置有凸部；所述第一环形折部包括垂直于底面设置的第一环形垂直部和所述第一垂直部相连接的第一环形水平部，所述第一环形水平部和所述底面相平行；所述第一环形水平部的一端和第一环形垂直部的顶端相连接，所述第一环形水平部的另一端向所述凹型圆结构的中心线延伸；所述第一环形水平部靠近所述凹型圆结构的中心线的一端设置有凸部，所述第一环形垂直部靠近所述凹型圆结构的中心线的侧面设置有凸台；所述第二环形折部包括垂直于所述底面设置的第二环形垂直部和所述第二环形垂直部相连接的第二环形水平部，所述第二环形水平部和所述底面相平行；所述第二环形水平部的一端和所述第二环形垂直部的顶端相连接，所述第二环形水平部的另一端向所述凹型圆结构的中心线延伸；所述第二环形水平部靠近所述凹型圆结构的中心线的一端设置有凸部，所述第二环形垂直部靠近所述凹型圆结构的中心线的侧面设置有凸台；所述第一环形凹部为渐缩型结构，以所述凹型圆结构的底面为起始位置；与所述第一环形凹部的侧面相连接的第三横部的远离连接点的一端设置有凸部；所述第二凹部为渐缩结构，以所述凹型圆结构的底面为起始位置；与所述第二凹部的侧面相连接的第四横部的远离连接点的一端设置有凸部。2.如权利要求1所述的用于机械化学研磨的吸附膜，其特征在于，所述凸部为半球形；所述半球形的半径为1.5
‑
1.7mm。3.如权利要求2所述的用于机械化学研磨的吸附膜，其特征在于，所述用于机械化学研磨的吸附膜的侧面最大高度为26
‑
28mm；所述第一横部和第二横部之间的垂直距离为8
‑
10mm。4.如权利要求1所述的用于机械化学研磨的吸附膜，其特征在于，所述凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，惠宏业，王学泽，杨加明，
申请(专利权)人：上海江丰平芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：