本申请公开了一种芯片及信号位移电路，应用于充电器或适配器等移动终端上，该芯片合封有采用硅基工艺制作的第一硅基驱动裸片和第二硅基驱动裸片，以及采用氮化镓工艺制作的第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，第一硅基驱动裸片与控制器的两个输出端连接，第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路，氮化镓电路耐高压，第一硅基电路接收控制器输出的脉冲信号HI，并将HI传递到氮化镓电路；氮化镓电路分担第二硅基电路的输入电压VB，并将HI传递到第二硅基电路。这样可以确保采用低压硅基工艺制作的低压第二硅基驱动裸片不被高输入电压损坏，从而降低了芯片的成本。成本。成本。成本。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋其梦，彭兴强，孙程豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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