一种垂直腔面发射激光器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及激光器制备技术领域，提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，激光器安装架包括安装板架，所述安装板架的内侧中央活动连接有固定板，所述固定板的左右两侧均活动连接有关阀架构，同时气囊杆受到挤压通过负载架带动连接动杆进行下压，连接动杆通过连接板带动推动杆向下侧移动，推动杆通过轮齿啮合带动齿轮向下侧移动，轮齿控制整体的移动距离较为精确，负载弹簧杆对其的移动距离进行限位，齿轮通过伸缩杆带动两侧滑动阀门向外侧移动，将氧化层的空气停留在安装板架的内部，避免其通往下侧，弹簧杆架对滑动阀门的移动距离进行限位，从而实现了水蒸气在氧化过程中不会进入其他分层，防止其它层发生氧化反应，延长产品的使用寿命。使用寿命。使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及激光器制备
，具体为一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体的不断发展，激光器的研究受到重视，而垂直腔面发射激光器相比于传统的边发射激光器，具有不稳定的偏振模式输出，在注入电流由小持续增大或由大持续降低时，可以发生偏振转换，在改变某些其它参量时，也能发现偏振模式的转换，而垂直腔面发射激光器的制作采用分子束外延或金属有机化学气相沉淀的方式连线100多层半导体层外延制作。
[0003]目前的垂直腔面发射激光器在制作时，其需要对多层的半导体层进行外延，而其层数较多，在同步外延的过程中，前层的中心外延与下层的中心外延较难同步进行连接，中心较易偏离，则外延层无法较好的均匀制作，激光器制作后的反射率较低，且目前的垂直腔面发射激光器的后期制作会携带80度的水蒸气对ALAS层进行氧化，而水蒸气在氧化过程中较易进入其他分层，而半导体层大多数制作材料为金属，其较易受到腐蚀，发生氧化反应，进而产品的使用寿命较低，因此，我们提出了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器制备方法1，包括以下步骤，其特征在于：S1、初层安装：工作人员手动通过中央固定架(404)将初层的半导体层安装在固定板(402)上，下层的半导体层移动至中央，其向外侧延伸安装，其通过支撑架(204)向外侧移动。S2、：多层延伸：支撑架204通过滑动推杆(203)下压至外侧，滑动推杆(203)通过限位板(202)下压至偏转，根据半导体的体积，上下两侧的调距架构(2)对其进行挤压，左右两侧的关阀架构(3)为固定不动的，半导体通过上下两侧进行矫正。S3、均匀安装：挤压板(205)挤压气囊架(201)至平均的体积，同时气囊架(201)受到挤压带动挤压限位杆(504)向下侧移动，气囊杆(501)挤压的内部压强与气囊架(201)的压强强度一致，则挤压限位杆(504)移动至安装板架(4)的表面，则半导体的四侧同时受到平均的压力。S4、避免多层氧化：安装板架(4)的内部受到水蒸气进行ALAS层氧化，同时气囊杆(501)受到挤压通过负载架(502)带动连接动杆(503)进行下压，连接动杆(503)通过连接板带动推动杆(302)向下侧移动，推动杆(302)通过轮齿啮合带动齿轮(303)向下侧移动，轮齿控制整体的移动距离较为精确，负载弹簧杆(304)对其的移动距离进行限位，齿轮(303)通过伸缩杆(305)带动两侧滑动阀门(401)向外侧移动，将氧化层的空气停留在安装板架(4)的内部，避免其通往下侧，弹簧杆架(403)对滑动阀门(401)的移动距离进行限位。2.一种如权利要求1所述用于垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括激光器安装架(1)，所述激光器安装架(1)包括安装板架(4)，所述安装板架(4)的内侧中央活动连接有固定板(402)，所述固定板(402)的左右两侧均活动连接有关阀架构(3)，所述关阀架构(3)的左右两侧均活动连接有推动杆(302)，所述安装板架(4)的上下两侧均活动连接有支撑架...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑君雄，郑世进，崔雨舟，王青，
申请(专利权)人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：