垂直腔面发光器件制造技术

一种垂直腔面发光器件包括：基板、形成在所述基板上的第一多层膜反射镜、形成在所述第一多层膜反射镜上的包括发光层的发光结构层和形成在所述发光结构层上的第二多层膜反射镜，所述第二多层膜反射镜构成所述第一多层膜反射镜和所述第二多层膜反射镜之间的共振器。所述发光结构层具有高电阻区域和电阻低于高电阻区域的电阻的低电阻区域。低电阻区域具有多个部分区域，所述多个部分区域在所述发光结构层的平面内由高电阻区域分隔开的同时排列成环状。成环状。成环状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】垂直腔面发光器件


[0001]本专利技术涉及垂直腔面发光器件，例如垂直腔面发射激光器。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(以下简称为面发射激光器)是一种半导体激光器，其包括由堆叠在基板上的多层膜形成的反射镜，并在垂直于基板表面的方向上发光。例如，专利文献1公开了一种使用氮化物半导体的面发射激光器。
[0003]专利文献1：日本特许第5707742号公报

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的技术问题
[0005]例如，在诸如面发射激光器等垂直腔面发光器件中，优选发光图样是稳定的，例如，远场图样是稳定的。因此，例如，优选将被构造为以期望的横模产生光的共振器构造在垂直腔面发光器件中。例如，以基本本征模产生激光束能够获得具有低发射角和高输出功率的单峰激光束的远场图样。
[0006]本专利技术考虑到上述问题而作出，其目的是提供一种能够以稳定的横模发射光的垂直腔面发光器件。
[0007]解决问题的方案
[0008]本专利技术的垂直腔面发光器件包括基板、第一多层膜反射镜、发光结构层和第二多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种垂直腔面发光器件，其包括：基板；形成在所述基板上的第一多层膜反射镜；形成在所述第一多层膜反射镜的发光结构层，所述发光结构层包括发光层；和形成在所述发光结构层上的第二多层膜反射镜，所述第二多层膜反射镜构成所述第一多层膜反射镜和所述第二多层膜反射镜之间的共振器，其中，所述发光结构层具有高电阻区域和电阻低于所述高电阻区域的电阻的低电阻区域，所述低电阻区域具有多个部分区域，所述多个部分区域在所述发光结构层的平面内由所述高电阻区域分隔开的同时排列成环状。2.如权利要求1所述的垂直腔面发光器件，其中，所述低电阻区域的所述多个部分区域以旋转对称的方式排列在所述发光结构层的平面内。3.如权利要求1或2所述的垂直腔面发光器件，其中，所述低电阻区域具有设置在所述多个部分区域内侧并连接到所述多个部分区域各自的内侧区域。4.如权利要求3所述的垂直腔面发光器件，其中，所述低电阻区域的内侧区域设置为环状。5.如权利要求4所述的垂直腔面发光器件，其中，所述低电阻区域具有设置在所述内侧区域内侧并由所述高电阻区域包围的中心区域。6.如权利要求1至5中任一项所述的垂直腔面发光器件，其中，所述高电阻区域具有包围所述低电阻区域的外周区域，所述共振器具有低折射率区域和高折射率区域，所述低折射率区域在所述第一多层膜反射镜和第二多层膜反射镜之间延伸，对应于所述发光结构层的高电阻区域的外周区域，所述高折射率区域设置在对应于所述低电阻区域的低折射率区域内侧，所述高折射率区域的等效折射率大于所述低折射率区域的等效折射率。7.如权利要求1至6中任一项所述的垂直腔面发光器件，其中，所述发光结构层具有形成在所述第一多...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓本大，小林静一郎，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：