一种激光器外延结构、VCSEL芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种激光器外延结构、VCSEL芯片，其中激光器外延结构包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结，可以提高激光器内量子效应，有效提升激光器的性能。有效提升激光器的性能。有效提升激光器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种激光器外延结构、VCSEL芯片


[0001]本技术涉及激光器
，更为具体地说，涉及一种激光器外延结构、VCSEL芯片。

技术介绍

[0002]近年来，随着网络技术的迅猛发展，网络用户急剧上升，网络拥挤日益严重，对网络的传输容量和传输速度的要求越来越高，其中激光器尤其引人注目。它不仅提供了更多的自由波长，大大降低系统的运营成本和备份成本，极大地提高了系统的容量和传输量，且波长实时可调，是未来全光网络的关键器件。
[0003]现有的激光器，通常采用多组DBR(分布式布拉格反射)作为谐振腔的反射镜，并具有一定的掺杂浓度，且N型DBR采用N型掺杂，P型DBR采用P型掺杂，但由于DBR采用折射率差值大的两种材料循环构成(如AlAs/GaAs)会存在较高的势垒差，电子很难跃迁，从而限制在势垒结中产生大量的热，在DBR对数多的情况下，激光器的内阻增大，电流在DBR中消耗过多，造成激光器的阈值电流较大，降低了芯片内部的电流扩展，严重影响激光器的性能。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供一种激光器外延结构、VCSEL芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光器外延结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为导电衬底；沿第一方向依次堆叠在所述衬底表面的缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结。2.根据权利要求1所述的激光器外延结构，其特征在于：所述低折射率物质层包括N型掺杂层，所述高折射率物质层包括P型掺杂层，所述隧穿结包括N型高掺层与P型高掺层的堆叠，且所述N型高掺层靠近所述N型掺杂层而设置，所述P型高掺层靠近所述P型掺杂层而设置，使所述N型掺杂层与P型掺杂层之间形成隧穿效应。3.根据权利要求1所述的激光器外延结构，其特征在于：所述N型DBR层沿所述第一方向的开始层和结束层均为N型掺杂；所述P型DBR层沿所述第一方向的开始层和结束层均为P型掺杂。4.根据权利要求2所述的激光器外延结构，其特征在于：所述N型高掺层的厚度不超过...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，童吉楚，谢昆江，徐枫，
申请(专利权)人：厦门乾照激光芯片科技有限公司，
类型：新型
国别省市：