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本实用新型提供了一种激光器外延结构、VCSEL芯片，其中激光器外延结构包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物...
该专利属于厦门乾照激光芯片科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照激光芯片科技有限公司授权不得商用。

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