一种发光元件阵列芯片，其具备：低功率用发光元件阵列，该低功率用发光元件阵列具有第一基板，形成在所述第一基板上的发光元件层，以及与所述发光元件层电连接的第一阴极电极；以及高功率用发光元件阵列，该高功率用发光元件阵列具有第二基板，形成在所述第二基板上的非p型下部反射镜，以及与所述非p型下部反射镜电连接的第二阴极电极，其中，所述低功率用发光元件阵列设置在所述高功率用发光元件阵列的射出面侧。的射出面侧。的射出面侧。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件阵列芯片、发光装置、光学装置和信息处理装置
[0001]本专利技术涉及一种发光元件阵列芯片、发光装置、光学装置和信息处理装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了一种激光二极管驱动系统，其具备：第一高侧驱动电流源，其用于驱动包括一个以上的激光二极管的第一组二极管；第二高侧驱动电流源，其用于驱动包括一个以上的激光二极管的第二组二极管；能量存储电容器；以及能量存储电容器充电器，其用于对所述能量存储电容器进行充电。
[0003]专利文献2公开了一种VCSEL阵列，其构成为将VCSEL阵列分割为多个区域，到对象物的距离越远，越使更多的区域发光。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特表第2016
‑
507167号公报
[0007]专利文献2：美国专利公报第10135222号公报
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的课题
[0009]然而，在发光元件阵列中，从提高电力转换效率的观点出发，有由n型半导体或i型(本征)半导体等非p型半导体构成下部分布布拉格型反射镜的方法。
[0010]另外，在由非p型半导体构成下部分布布拉格型反射镜，并且与其他发光元件独立地驱动一部分发光元件的情况下，有将背面侧的阴极电极作为共用电极，并用一部分发光元件和其他发光元件对射出面侧的阳极电极进行分离，分别进行高侧驱动的方法。
[0011]在独立地驱动一部分发光元件和其他发光元件的情况下，从提高驱动速度的观点出发，期望有能够进行低侧驱动而不是高侧驱动的结构。
[0012]本公开的例示性的实施方式涉及提供一种在具有由非p型半导体构成的下部分布布拉格型反射镜的发光元件阵列芯片中，能够分别独立地使一部分发光元件和其他发光元件低侧驱动的发光元件阵列芯片、发光元件、光学装置以及信息处理装置。
[0013]用于解决课题的手段
[0014][1]根据本公开的一个方面，提供了一种发光元件阵列芯片，其具备：第一发光元件阵列，该第一发光元件阵列包括第一发光元件，该第一发光元件具有第一基板，形成在所述第一基板上的发光元件层，以及与所述发光元件层电连接的第一阴极电极；以及第二发光元件阵列，该第二发光元件阵列包括第二发光元件，该第二发光元件具有第二基板，形成在所述第二基板上的非p型下部反射镜，以及与所述非p型下部反射镜电连接的第二阴极电极，其中，所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的射出面侧。
[0015][2]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一阴极电极形成在所述第一基板的背面侧，所述第一发光元件阵列设置在设置于所述第二发光元件阵列的所述射
出面侧的阴极布线上。
[0016][3]也可以是，在[2]所述的发光元件阵列芯片中，连接到所述阴极布线的阴极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
[0017][4]也可以是，在[2]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列在射出面侧具有第一阳极电极，所述第一阳极电极与设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧的阳极布线通过接合线连接。
[0018][5]也可以是，在[4]所述的发光元件阵列芯片中，连接到所述阳极布线的阳极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
[0019][6]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列通过粘接部件粘接到所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。
[0020][7]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列的所述第一发光元件被所述第二发光元件阵列的所述第二发光元件包围。
[0021][8]也可以是，在[7]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的中央区域。
[0022][9]也可以是，在[1]所述的发光元件阵列芯片中，所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的端部区域。
[0023][10]根据本公开的另一方面，提供了一种发光装置，其具备：[1]至[9]中的任意一项所述的发光元件阵列芯片；以及光扩散部件，其设置在所述发光元件阵列芯片的所述第一发光元件阵列和所述发光元件阵列芯片的所述第二发光元件阵列的光射出路径上。
[0024][11]根据本公开的另一方面，提供了一种光学装置，其具备：[10]所述的发光装置；以及受光部，其接收从所述发光装置的所述第一发光元件阵列射出并由被测定物反射来的第一反射光、以及从所述发光装置的所述第二发光元件阵列射出并由所述被测定物反射来的第二反射光，其中，所述受光部输出与从所述第一发光元件阵列射出光起到该光由所述受光部接收到为止的时间相当的信号、以及与从所述第二发光元件阵列射出光起到该光由所述受光部接收到为止的时间相当的信号。
[0025][12]根据本公开的另一方面，提供了一种信息处理装置，其具备：[11]所述的光学装置；以及形状特定部，其基于从所述光学装置的所述第一发光元件阵列或所述第二发光元件阵列射出并由所述被测定物反射来的所述第一反射光或所述第二反射光，特定所述被测定物的三维形状。
[0026][13]也可以是，[12]所述的信息处理装置具备：认证处理部，其基于所述形状特定部的特定结果，进行与所述信息处理装置的使用相关的认证处理。
[0027]专利技术效果
[0028]根据[1]所述的发光元件阵列芯片，在具有由非p型半导体构成的下部反射镜的发光元件阵列芯片中，一部分发光元件和其他发光元件能够独立地进行低侧驱动。
[0029]根据[2]所述的发光元件阵列芯片，能够在第二发光元件阵列的射出面侧和背面侧分离地进行从外部向第一阴极电极和第二阴极电极的连接。
[0030]根据[3]所述的发光元件阵列芯片，在从外部与第一发光元件阵列的阴极电极连接的情况下，能够从第二发光元件阵列的射出面侧进行布线。
[0031]根据[4]所述的发光元件阵列芯片，与利用接合线从第一阳极电极直接连接到外
部的情况相比，能够缩短接合线的长度。
[0032]根据[5]所述的发光元件阵列芯片，在从外部与第一发光元件阵列的阳极电极连接的情况下，能够从第二发光元件阵列的射出面侧进行布线。
[0033]根据[6]所述的发光元件阵列芯片，第一发光元件阵列和第二发光元件阵列形成为一体。
[0034]根据[7]或[8]所述的发光元件阵列芯片，从第一发光元件阵列射出的光的反射光容易被接收。
[0035]根据[9]所述的发光元件阵列芯片，与所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的中央区域的情况相比，可以缩短来自第一发光元件阵列的布线的引出长度。
[0036]根据[10]所述的发光装置，与不具备扩散部件的情况相比，从发光元件阵列射出的光被照射到更宽的照射面。
[0037]根据[11]所述的光学装置，可以得到与从不同的发光元件阵列射出的光对应的距离信息。
[0038]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件阵列芯片，其具备：第一发光元件阵列，该第一发光元件阵列包括第一发光元件，该第一发光元件具有第一基板，形成在所述第一基板上的发光元件层，以及与所述发光元件层电连接的第一阴极电极；以及第二发光元件阵列，该第二发光元件阵列包括第二发光元件，该第二发光元件具有第二基板，形成在所述第二基板上的非p型下部反射镜，以及与所述非p型下部反射镜电连接的第二阴极电极，其中，所述第一发光元件阵列设置在所述第二发光元件阵列的射出面侧。2.根据权利要求1所述的发光元件阵列芯片，其中所述第一阴极电极形成在所述第一基板的背面侧，所述第一发光元件阵列设置在设置于所述第二发光元件阵列的所述射出面侧的阴极布线上。3.根据权利要求2所述的发光元件阵列芯片，其中连接到所述阴极布线的阴极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。4.根据权利要求2所述的发光元件阵列芯片，其中所述第一发光元件阵列在射出面侧具有第一阳极电极，所述第一阳极电极与设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧的阳极布线通过接合线连接。5.根据权利要求4所述的发光元件阵列芯片，其中连接到所述阳极布线的阳极焊盘设置在所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。6.根据权利要求1所述的发光元件阵列芯片，其中所述第一发光元件阵列通过粘接部件粘接到所述第二发光元件阵列的所述射出面侧。7.根据权利要求1所述的发光元件阵列芯片，其中所述第一发光元件阵列的所述第一发光元件被所述第二发光元件阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：近藤崇，稻田智志，皆见健史，井口大介，逆井一宏，崎田智明，村田道昭，
申请(专利权)人：富士胶片商业创新有限公司，
类型：发明
国别省市：
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