高导温致冷芯片制造技术

本发明专利技术公开一种高导温致冷芯片，其包括：一致冷芯片，一第一导温模块及一第二导温模块。其具有高导热材质及具有可焊性，因金属焊点可增加热穿透的导热效率，其导热系数远大于导热膏等的导热系数，加上散热鳍片的粗糙散热表面，亦可增加与空气接触表面的散热面积，而表面积越大散热效率越好，进而具有良好致冷与散热的功效，配合无线感应的AI智能排热风扇安装至窗户，亦可防雨水，又解决了移动冷气需装排热管的不便，据此本发明专利技术具有小体积即可达到极佳致冷与散热效果，进而可广泛被使用在致冷与散热需求较高且体积不能太大的可携式或移动式制冷产品上。动式制冷产品上。动式制冷产品上。

【技术实现步骤摘要】
高导温致冷芯片


[0001]本专利技术有关一种高导温致冷芯片，尤指一种致冷芯片具有高导温性。

技术介绍

[0002]致冷芯片(thermoelectric cooler)具有致冷或致热速度快、体积小、温度控制准确度高、不使用冷媒无环保问题的优点，已逐步取代传统加温装置或散热装置，而广泛应用于电脑中央运算处理器、医疗器材、航天工业、激光发光头。
[0003]如图1A所示，现有的致冷芯片10，包含：一第一基板11及相反侧的第二基板12，该第一基板11与该第二基板12之间包括多个N型半导体晶粒13与多个P型半导体晶粒14，且该多个N型半导体晶粒13与该多个P型半导体晶粒14以多个金属导体15连接成一完整线路16，当施加一预定电流时，该多个N型半导体晶粒13与该多个P型半导体晶粒14产生珀尔帖效应，使该第一基板11与该第二基板12之间产生一温度差。
[0004]如图1B所示，该第二基板12焊黏一散热片(S)，使该第二基板12与该散热片(S)之间形成一黏合层(L)，且该散热片(S)上结合一风扇(F)，而该第一基板11与该第二基板12在业界通常以纯陶瓷材料所构成，可用于散热及提供低热阻冷却路径，也因纯陶瓷材料具有良好的绝缘性。但是纯陶瓷材料的导热系数只有1.22W/MK，不仅影响致冷芯片的散热效果，相对的也影响到其致冷功能。
[0005]再者，纯陶瓷材料的延展性极低，在成型、加工及组装时，易脆及易产生微裂缝，从而使该第二基板12焊黏该散热片(S)时，易脆及易产生微裂缝，及该黏合层(L)会影响该第二基板12的热温至该散热片(S)，从而影响散热，且导热膏的导热系数低，进而影响其致冷与散热效果，导致现有的致冷芯片，仅能使用在少数的低致冷需求的商品上，无法广泛被使用在致冷需求较高且体积不能太大的可携式或移动式制冷产品上，例如：个人可携式小冷气机、室内移动冷气机、移动小冷藏箱、宠物冷暖两用活水机、宠物移动背包、移动宠物车、冷暖两用宠物窝、水族冷暖恒温交换器等商品上，且因不管用致冷芯片与压缩机制冷，都必须将产生的废热排到户外，才能够达到致冷与散热的效果，也是现在移动式冷气无法普及与被消费者嫌弃的最重要原因，加上因机体要装排热管占空间，而无法移动又不美观；因此致冷芯片仍有改善空间，此亦为本专利技术所欲解决的课题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的，在于提供一种高导温致冷芯片，其第一非绝缘体或第一非绝缘板冷焊至第一非绝缘面上与第二非绝缘体或第二非绝缘板冷焊至第二非绝缘面上，因可焊性，而且金属焊点可增加热穿透的导热效率，其导热系数远大于导热膏的导热系数，并配合第一非绝缘体与第二非绝缘体的形状呈鳍片状且表面粗糙，亦可增加与空气接触表面的散热面积，而表面积越大散热效率越好，进而具有良好的致冷与散热效果。
[0007]本专利技术的又一目的，则在于提供一种高导温致冷芯片，其结合AI智能排热风扇，且AI智能排热风扇与高导温致冷芯片之间具有无线感应，可将高导温致冷芯片所产生的废热
排到户外，进而能够提高致冷与散热的效果。
[0008]本专利技术的再一目的，则在于提供一种高导温致冷芯片，其具有小体积即可达到极佳致冷与散热效果，进而可广泛被使用在致冷与散热需求较高且体积不能太大的可携式或移动式制冷产品上。
[0009]为达上述目的，本专利技术所采用的技术手段，包含：一致冷芯片，具备一第一绝缘层及相反侧的第二绝缘层，该第一绝缘层与该第二绝缘层由高导热材质所构成，以该第一绝缘层产生一冷温与该第二绝缘层产生一热温，且该第一绝缘层的边缘镶镀一第一非绝缘面与该第二绝缘层的边缘镶镀一第二非绝缘面；一第一导温模块，具备一第一非绝缘体及一第一风扇，并将该第一非绝缘体冷焊至该第一非绝缘面上，而该第一非绝缘体的下表面接触该第一绝缘层的上表面，形成该冷温在该第一绝缘层与该第一非绝缘体之间具有高导温性，令该第一绝缘层可快速导出该冷温，再由该第一风扇将该冷温吹出；以及一第二导温模块，具备一第二非绝缘体及一第二风扇，并将该第二非绝缘体冷焊至该第二非绝缘面上，而该第二非绝缘体的下表面接触该第二绝缘层的上表面，形成该热温在该第二绝缘层与该第二非绝缘体之间具有高导温性，令该第二绝缘层可快速导出该热温，再由该第二风扇将该热温排出。
[0010]在本专利技术一实施例中，该第一非绝缘面与该第二非绝缘面的材料为铜；该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的材料为铝。
[0011]在本专利技术一实施例中，该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的形状呈鳍片状，且该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的表面粗糙，而该第一风扇位于该第一非绝缘体上与该第二风扇位于该第二非绝缘体上。
[0012]在本专利技术一实施例中，该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的形状呈壳体状，而该第一风扇位于该第一非绝缘体内与该第二风扇位于该第二非绝缘体内。
[0013]在本专利技术一实施例中，该第一非绝缘体的形状呈壳体状与该第二非绝缘体的形状呈片状，而该第一风扇位于该第一非绝缘体内与该第二风扇位于该第二非绝缘体上，且该第一风扇与该第二风扇面向同一方向。
[0014]本专利技术所采用的另一技术手段，包含：一致冷芯片，具备一第一绝缘层及相反侧的第二绝缘层，该第一绝缘层与该第二绝缘层由高导热材质所构成，以该第一绝缘层产生一冷温与该第二绝缘层产生一热温，且该第一绝缘层的边缘镶镀一第一非绝缘面与该第二绝缘层的边缘镶镀一第二非绝缘面；一第一导温模块，具备一第一非绝缘体、一第一风扇及一第一非绝缘板，该第一非绝缘体位于该第一非绝缘板上，并将该第一非绝缘板冷焊至该第一非绝缘面上，而该第一非绝缘板的下表面接触该第一绝缘层的上表面，形成该冷温在该第一绝缘层、该第一非绝缘板及该第一非绝缘体之间具有高导温性，令该第一绝缘层可快速导出该冷温，再由该第一风扇将该冷温吹出；以及一第二导温模块，具备一第二非绝缘体、一第二风扇及一第二非绝缘板，该第二非绝缘体位于该第二非绝缘板上，并将该第二非绝缘板冷焊至该第二非绝缘面上，而该第二非绝缘板的下表面接触该第二绝缘层的上表面，形成该热温在该第二绝缘层、该第二非绝缘板及该第二非绝缘体之间具有高导温性，令该第二绝缘层可快速导出该热温，再由该第二风扇将该热温排出。
[0015]在本专利技术一实施例中，该第一非绝缘面与该第二非绝缘面的材料为铜；该第一非绝缘板与该第二非绝缘板的材料为铝。
[0016]在本专利技术一实施例中，该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的形状呈鳍片状，且该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的表面粗糙，而该第一风扇位于该第一非绝缘板上与该第二风扇位于该第二非绝缘板上，且该第一风扇的位置相对应该第二非绝缘体的位置与该第二风扇的位置相对应该第一非绝缘体的位置。
[0017]在本专利技术一实施例中，该高导热材质为硅基材料、碳化硅、金属基玻璃或陶瓷与玻璃的混合物其中之一。
[0018]在本专利技术一实施例中，该第一绝缘层与该第二绝缘层之间包括多个N型半导体晶粒与多个P型半导体晶粒，该多个N型半导体晶粒与该多个P型半导体晶粒相互交错排列，且该多个N型半导体晶粒与该多个P型半导体晶粒以多个金属导体连接成一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高导温致冷芯片，其特征在于，包含：一致冷芯片，具备一第一绝缘层及相反侧的第二绝缘层，该第一绝缘层与该第二绝缘层由高导热材质所构成，以该第一绝缘层产生一冷温与该第二绝缘层产生一热温，且该第一绝缘层的边缘镶镀一第一非绝缘面与该第二绝缘层的边缘镶镀一第二非绝缘面；一第一导温模块，具备一第一非绝缘体及一第一风扇，并将该第一非绝缘体冷焊至该第一非绝缘面上，而该第一非绝缘体的下表面接触该第一绝缘层的上表面，形成该冷温在该第一绝缘层与该第一非绝缘体之间具有高导温性，令该第一绝缘层快速导出该冷温，再由该第一风扇将该冷温吹出；以及一第二导温模块，具备一第二非绝缘体及一第二风扇，并将该第二非绝缘体冷焊至该第二非绝缘面上，而该第二非绝缘体的下表面接触该第二绝缘层的上表面，形成该热温在该第二绝缘层与该第二非绝缘体之间具有高导温性，令该第二绝缘层快速导出该热温，再由该第二风扇将该热温排出。2.如权利要求1所述的高导温致冷芯片，其特征在于，该第一非绝缘面与该第二非绝缘面的材料为铜；该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的材料为铝。3.如权利要求1所述的高导温致冷芯片，其特征在于，该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的形状呈鳍片状，且该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的表面粗糙，而该第一风扇位于该第一非绝缘体上与该第二风扇位于该第二非绝缘体上。4.如权利要求1所述的高导温致冷芯片，其特征在于，该第一非绝缘体与该第二非绝缘体的形状呈壳体状，而该第一风扇位于该第一非绝缘体内与该第二风扇位于该第二非绝缘体内。5.如权利要求1所述的高导温致冷芯片，其特征在于，该第一非绝缘体的形状呈壳体状与该第二非绝缘体的形状呈片状，而该第一风扇位于该第一非绝缘体内与该第二风扇位于该第二非绝缘体上，且该第一风扇与该第二风扇面向同一方向。6.如权利要求1所述的高导温致冷芯片，其特征在于，该高导热材质为硅基材料、碳化硅、金属基玻璃或陶瓷与玻璃的混合物其中之一。7.如权利要求1所述的高导温致冷芯片，其特征在于，该第一绝缘层与该第二绝缘层之间包括多个N型半导体晶粒与多个P型半导体晶粒，该多个N型半导体晶粒与该多个P型半导体晶粒相互交错排列，且该多个N型半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎焕斌，
申请(专利权)人：马思正，
类型：发明
国别省市：