一种特殊通电形式的热电半导体模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种特殊通电形式的热电半导体模块，包括上陶瓷基板、若干P/N结颗粒和下陶瓷基板，P/N结颗粒焊接在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间，下陶瓷基板上连接有第一导体，第一导体连接第二导体。本申请主要是在台阶式热电半导体模块焊盘上，焊接一种特殊形状的铜块，通过对特殊形状铜块导电而使热电半导体模块通电工作。本实用新型专利技术一种导线很短时容易焊接的特殊通电形式的热电半导体模块。易焊接的特殊通电形式的热电半导体模块。易焊接的特殊通电形式的热电半导体模块。

【技术实现步骤摘要】
一种特殊通电形式的热电半导体模块


[0001]本技术涉及制冷模块
，尤其是涉及一种特殊通电形式的热电半导体模块。

技术介绍

[0002]目前随着互联网快速的发展，对于数据传输速率有很高的要求。目前，通过光模块进行短距离传输达到要求，但光波对温度很敏感，所以在传输过程中需要对光模块进行控温。因此，热电半导体模块需求得到喷发式递增。常规热电半导体模块通电的形式为：焊接导线或长方体铜块两种形式。在一些光模块中，因空间限制导致热电半导体模块导线很短，会增加热电半导体模块制造成本；若是采用长方体通电形式，一、成本会上升；二、热电半导体模块与器件焊接，在经过回流焊中，因长方体重量过重，导体焊接失效。为此，专利技术了一种特殊通电形式的热电半导体模块。
[0003]中国专利公开号CN111952200A，公开日2020年11月17日，专利技术创造的名称为半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具，该申请案包括：通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。该申请方案的技术方案在半导体模块的连接方式上，不能使得综合效果达到最好。

技术实现思路

[0004]本技术是为了克服现有技术的导线很短时不易焊接的问题，提供一种导线很短时容易焊接的特殊通电形式的热电半导体模块。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种特殊通电形式的热电半导体模块，包括上陶瓷基板、若干P/N结颗粒和下陶瓷基板，P/N结颗粒焊接在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间，下陶瓷基板上连接有第一导体，第一导体连接第二导体。本申请主要是在台阶式热电半导体模块焊盘上，焊接一种特殊形状的铜块，通过对特殊形状铜块导电而使热电半导体模块通电工作。
[0007]作为优选，所述上陶瓷基板和下陶瓷基板上紧密覆盖有铜片。在上下陶瓷基板表面通过烧结技术覆上铜片，通过焊锡连接把P/N结颗粒固定在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间。
[0008]作为优选，所述下陶瓷基板上还设有第三导体，第三导体平放在下陶瓷基板上，第三导体连接第二导体。第三导体和下陶瓷基板的接触面积较大，这样使得焊接面积增加，使得焊接更为牢固。
[0009]作为优选，所述第一导体、第二导体和第三导体为铜制导体。铜材料的综合效果最好。
[0010]作为优选，所述第三导体靠近下陶瓷基板一侧开有若干容纳槽。在使用焊接材料将第三导体焊接在下陶瓷基板上时，焊接材料可以进入到容纳槽中，这样可以在增加焊接
材料和第三导体的接触面积，使得焊接材料与第三导体的连接变得紧密，第三导体会被牢固的焊接在下陶瓷基板上。
[0011]作为优选，所述容纳槽呈S状弯曲。容纳槽呈S状弯曲可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积，使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积，使得焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密，第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上。
[0012]作为优选，所述容纳槽为燕尾槽。容纳槽为燕尾槽可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积，使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积，在焊接材料凝固后，更加不能脱离第三导体，保证了焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密，第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上。
[0013]因此，本技术具有如下有益效果：（1）本申请主要是在台阶式热电半导体模块焊盘上，焊接一种特殊形状的铜块，通过对特殊形状铜块导电而使热电半导体模块通电工作；（2）第三导体和下陶瓷基板的接触面积较大，这样使得焊接面积增加，使得焊接更为牢固；（3）在使用焊接材料将第三导体焊接在下陶瓷基板上时，焊接材料可以进入到容纳槽中，这样可以在增加焊接材料和第三导体的接触面积，使得焊接材料与第三导体的连接变得紧密，第三导体会被牢固的焊接在下陶瓷基板上；（4）容纳槽为燕尾槽可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积，使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积，在焊接材料凝固后，更加不能脱离第三导体，保证了焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密，第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上；（5）容纳槽为燕尾槽可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积，使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积，在焊接材料凝固后，更加不能脱离第三导体，保证了焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密，第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上。
附图说明
[0014]图1是本技术的一种结构示意图
[0015]图2是本技术的一种第三导体结构示意图
[0016]图中：1.负极导线，11.第三导体，12. 第二导体，13. 第一导体，2.正极导线，3.上陶瓷基板，4. P/N结颗粒， 5. 下陶瓷基板。
具体实施方式
[0017]下面结合附图与具体实施方式对本技术做进一步的描述。
[0018]实施例：一种特殊通电形式的热电半导体模块，包括上陶瓷基板3、若干P/N结颗粒4和下陶瓷基板5，P/N结颗粒焊接在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间，下陶瓷基板上连接有第一导体13，第一导体13连接第二导体12。上陶瓷基板和下陶瓷基板上紧密覆盖有铜片。下陶瓷基板上还设有第三导体，第三导体平放在下陶瓷基板上，第三导体11连接第二导体12。第一导体13、第二导体和第三导体为铜制导体。第三导体靠近下陶瓷基板一侧开有若干容纳槽。容纳槽呈S状弯曲。容纳槽为燕尾槽。
[0019]本申请主要是在台阶式热电半导体模块焊盘上，焊接一种特殊形状的铜块，通过对特殊形状铜块导电而使热电半导体模块通电工作。
[0020]在上下陶瓷基板表面通过烧结技术覆上铜片，通过焊锡连接把P/N结颗粒固定在
上陶瓷基板和下陶瓷基板之间。
[0021]第三导体和下陶瓷基板的接触面积较大，这样使得焊接面积增加，使得焊接更为牢固。
[0022]铜材料的综合效果最好。
[0023]在使用焊接材料将第三导体焊接在下陶瓷基板上时，焊接材料可以进入到容纳槽中，这样可以在增加焊接材料和第三导体的接触面积，使得焊接材料与第三导体的连接变得紧密，第三导体会被牢固的焊接在下陶瓷基板上。
[0024]容纳槽呈S状弯曲可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积，使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积，使得焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密，第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上。
[0025]容纳槽为燕尾槽可以增加容纳槽所容纳的焊接材料的体积，使得焊接增加焊接材料和第三导体的接触面积，在焊接材料凝固后，更加不能脱离第三导体，保证了焊接材料与第三导体的连接变得更为紧密，第三导体会被更为牢固的焊接在下陶瓷基板上。
[0026]由于下陶瓷基板上烧结一层铜片，使得铜片在下陶瓷基板上的附着性较好，所以在铜片上通过焊锡连接第三导体，这样可以使得第三导体牢固的连接在下陶瓷基板上，第一导体、第二导体和第三导体形成Z字状，节约了材料，并且便于安装，焊接类型Z铜块；本技术在高温环境下不会导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种特殊通电形式的热电半导体模块，其特征是包括上陶瓷基板、若干P/N结颗粒和下陶瓷基板，P/N结颗粒焊接在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间，下陶瓷基板上连接有第一导体，第一导体连接第二导体。2.根据权利要求1所述的一种特殊通电形式的热电半导体模块，其特征是上陶瓷基板和下陶瓷基板上紧密覆盖有铜片。3.根据权利要求1所述的一种特殊通电形式的热电半导体模块，其特征是下陶瓷基板上还设有第三导体，第三导体平放在下陶瓷基板上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯林，吴永庆，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：