本实用新型专利技术公开了一种双面增加粘接层的平板型半导体。为了克服现有技术平板型半导体陶瓷板与铜粒之间采用烧结的方式，使得其之间应力很大的问题；本实用新型专利技术包括陶瓷板、铜粒和导线，铜粒设置在两个陶瓷板之间，导线焊接在两个陶瓷板之间；所述的铜粒两侧与陶瓷板之间分别设置有采用导热胶水的粘接层；在陶瓷板之间的导线焊点处填充有胶水。半导体两侧的陶瓷板与铜粒之间设置有粘接层，能够有效释放应力，提高平板型半导体的可靠性。在焊点处填充满高强度胶水，能够保证增加双面粘接层的平板型半导体导线焊点处的结合力，避免因结合力低导致焊点脱开。导致焊点脱开。导致焊点脱开。
【技术实现步骤摘要】
一种双面增加粘接层的平板型半导体
[0001]本技术涉及一种平板型半导体领域，尤其涉及一种双面增加粘接层的平板型半导体。
技术介绍
[0002]陶瓷平板型半导体由上下面陶瓷基板和中间半导体材料组成。普通陶瓷平板型产品的陶瓷基板采用陶瓷板和铜粒烧结而成，陶瓷板和铜粒间应力很大，产品在冷热循环条件下运行可靠性低。例如，一种在中国专利文献上公开的“一种低氧铜烧结DBC半导体热电基片的生产方法”，其公告号CN107819066B，包括以下步骤：瓷片表面印胶点、装配和烧结的过程；选取Al2O3陶瓷基片，将胶点按照导流条尺寸用相应尺寸丝网印至Al2O3陶瓷基片表面；先将导流条筛入模具中；然后把步骤A中Al2O3陶瓷基片表面印上胶点的基片扣入筛满导流条的模具中；将步骤B中装配好的DBC半导体热电基片半成品放入高温且氮气纯度为99.999％的体系中直接键合而成的DBC半导体热电基片；采用Al2O3陶瓷基片与低氧铜直接覆铜烧结而成。采用烧结的方式使得陶瓷板和铜粒间应力很大，产品在冷热循环条件下运行可靠性低。
技术实现思路
[0003]本技术主要解决现有技术平板型半导体陶瓷板与铜粒之间采用烧结的方式，使得其之间应力很大的问题；提供一种双面增加粘接层的平板型半导体，陶瓷板与铜粒之间使用导热胶粘接，有效释放应力。
[0004]本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
[0005]一种双面增加粘接层的平板型半导体包括陶瓷板、铜粒和导线，铜粒设置在两个陶瓷板之间，导线焊接在两个陶瓷板之间；所述的铜粒两侧与陶瓷板之间分别设置有采用导热胶水的粘接层；在陶瓷板之间的导线焊点处填充有胶水。
[0006]本方案中的平板型半导体两侧的陶瓷板与铜粒之间设置有粘接层，采用高强度导热胶粘接陶瓷板和铜粒，能够有效释放应力，提高平板型半导体的可靠性。但是相对于烧结的方式导线焊接的结合力低，在焊点处填充满高强度胶水，能够保证增加双面粘接层的平板型半导体导线焊点处的结合力，避免因结合力低导致焊点脱开。
[0007]作为优选，所述的导线焊点处填充的胶水强度大于等于0.5kg/mm2。在本方案中胶水强度大于等于0.5kg/mm2为符合使用标准的高强度胶水，能够保证焊点处的结合力，避免因采用双层粘接的结构而导致导线焊点结合力降低而焊点脱离的现象发生。
[0008]作为优选，所述的两个陶瓷板之间的边缘侧填充有环氧胶水。陶瓷板两侧之间填充有环氧胶水，保证平板型半导体产品的可靠性和牢固程度。
[0009]作为优选，所述的导热胶水的导热范围在2.3~2.7W/(m
·
k)。在本方案中，导热胶水的导热范围在2.3~2.7W/(m
·
k)之间为符合使用高导热标准的高导热胶水。使用本方案能够在保证减少铜粒与陶瓷板之间的应力的同时保证半导体的热传递能力，保证其制冷或
制热的效率。
[0010]作为优选，所述的陶瓷板上设置有适配于铜粒的凹槽，铜粒设置在凹槽中。在陶瓷板上开设凹槽，便于铜粒的定位与安装，保持铜粒之间的距离。
[0011]作为优选，所述的铜粒阵列设置在陶瓷板之间，凹槽的宽度由上至下逐渐缩小。凹槽的宽度由上至下逐渐缩小，便于铜粒的定位安装。
[0012]本技术的有益效果是：
[0013]1. 半导体两侧的陶瓷板与铜粒之间设置有粘接层，能够有效释放应力，提高平板型半导体的可靠性。
[0014]2.在焊点处填充满高强度胶水，能够保证增加双面粘接层的平板型半导体导线焊点处的结合力，避免因结合力低导致焊点脱开。
附图说明
[0015]图1是本技术的一种平板型半导体的结构示意图。
[0016]图2是本技术的一种平板型半导体的剖视图。
[0017]图3是本技术实施例二的陶瓷板与铜粒连接结构示意图。
[0018]图中1.陶瓷板，2.铜粒，3.粘接层，4.导线，5.胶水。
具体实施方式
[0019]下面通过实施例，并结合附图，对本技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0020]实施例一：
[0021]本实施例的一种双面增加粘接层的平板型半导体，如图1、图2所示，包括陶瓷板1、铜粒2和导线4。
[0022]铜粒2设置在两个陶瓷板1之间，导线4焊接在两个陶瓷板1之间。铜粒2两侧与陶瓷板1之间分别设置有采用导热胶水的粘接层3。导热胶水的导热范围在2.3~2.7W/(m
·
k)。
[0023]在本实施例中，导热胶水的导热范围在2.3~2.7W/(m
·
k)之间为符合使用高导热标准的高导热胶水。使用本实施例的方案能够在保证减少铜粒2与陶瓷板1之间的应力的同时保证半导体的热传递能力，保证其制冷或制热的效率。
[0024]在陶瓷板1之间的导线4焊点处填充有高强度的胶水5。导线4焊点处填充的胶水5强度大于等于0.5kg/mm2。
[0025]在本实施例中胶水强度大于等于0.5kg/mm2为符合使用标准的高强度胶水5，在本实施例中为环氧胶水，能够保证焊点处的结合力，避免因采用双层粘接的结构而导致导线焊点结合力降低而发生焊点脱离的现象。
[0026]两个陶瓷板1之间的边缘侧填充有环氧胶水。陶瓷板1两侧之间填充有环氧胶水，保证平板型半导体产品的可靠性和牢固程度。
[0027]本实施例方案中的平板型半导体两侧的陶瓷板1与铜粒2之间设置有粘接层3，采用高强度导热胶粘接陶瓷板1和铜粒2，能够有效释放应力。
[0028]但是相对于烧结的方式导线焊接的结合力低，在焊点处填充满高强度胶水5，能够保证增加双面粘接层的平板型半导体导线焊点处的结合力，避免因结合力低导致焊点脱开。
[0029]实施例二：
[0030]本实施例的一种双面增加粘接层的平板型半导体，如图1所示，包括陶瓷板1、铜粒2和导线4。
[0031]如图2所示，陶瓷板1上设置有适配于铜粒2的凹槽，铜粒2设置在凹槽中。铜粒2阵列设置在陶瓷板1之间，凹槽的宽度由上至下逐渐缩小。
[0032]在陶瓷板1上开设凹槽，凹槽的宽度由上至下逐渐缩小，便于铜粒的定位与安装，保持铜粒之间的距离。
[0033]本实施例的一种双面增加粘接层的平板型半导体在陶瓷板1与铜粒2的连接结构上进行优化，其他结构同实施例一。
[0034]应理解，实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。此外应理解，在阅读了本技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双面增加粘接层的平板型半导体，包括陶瓷板（1）、铜粒（2）和导线（4），铜粒（2）设置在两个陶瓷板（1）之间，导线（4）焊接在两个陶瓷板（1）之间；其特征在于，所述的铜粒（2）两侧与陶瓷板（1）之间分别设置有采用导热胶水的粘接层；在陶瓷板（1）之间的导线焊点处填充有胶水（5）。2.根据权利要求1所述的一种双面增加粘接层的平板型半导体，其特征在于，所述的导线焊点处填充的胶水（5）强度大于等于0.5kg/mm2。3.根据权利要求1或2所述的一种双面增加粘接层的平板型半导体，其特征在于，所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：包东升，阮炜，吕庆鑫，
申请(专利权)人：浙江先导热电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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