光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法技术

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据；根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。由于在半导体制程中，对伪结构层的光学邻近修正精度要求较低，因此可以采用比对获取所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法来进行修正处理，通过这种光学邻近修正流程能够有效的减少对所述待修正图形的计算时间，进而有效的提升了对所述待修正图形的修正效率。的修正效率。的修正效率。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。

技术介绍

[0002]光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
[0003]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
[0004]为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical Proximity Correction)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
[0005]然而，现有技术中光学邻近校正的效率还有待提升。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，能够有效的提升对待修正图形的光学邻近修正效率。
[0007]为解决上述问题，本专利技术提供一种光学邻近修正方法，包括：提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据；根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。
[0008]可选的，所述图形修正数据库中包括：每个所述参考图形对应的第二分类数据、以及每个所述参考图形对应的第二光学邻近修正数据。
[0009]可选的，根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法包括：当获取的所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库中一个参考图形的第二分类数据相同时，则所述待
修正图形的第一光学邻近修正数据为所述参考图形的第二光学邻近修正数据。
[0010]可选的，在获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据之后，还包括：采用所述第一光学邻近修正数据获取所述待修正图形对应的修正图形。
[0011]可选的，所述待修正图形的第一分类数据包括：尺寸分类数据和环境分类数据。
[0012]可选的，获取所述待修正图形的尺寸分类数据的方法包括：获取所述待修正图形的面积尺寸；根据所述待修正图形的面积尺寸进行尺寸分类，获取所述待修正图形的尺寸分类数据。
[0013]可选的，根据所述待修正图形的面积尺寸进行尺寸分类的方法包括：提供待修正图形的面积阈值；将获取的所述待修正图形的面积与所述面积阈值进行对比；当所述待修正图形的面积大于等于所述面积阈值时，所述待修正图形为第一尺寸类别；当所述待修正图形的面积尺寸小于所述面积阈值，所述待修正图形为第二尺寸类别。
[0014]可选的，获取每个所述待修正图形沿第一方向上的第一长度尺寸；获取每个所述待修正图形沿第二方向上的第二长度尺寸，所述第一方向与所述第二方向相垂直；根据每个所述待修正图形的第一长度尺寸与第二长度尺寸的长度值不同，将所述第二尺寸类别分为若干个第三尺寸类别。
[0015]可选的，当所述待修正图形为第二尺寸类别时，对所述待修正图形继续进行分类，获取所述待修正图形的环境分类数据。
[0016]可选的，所述待修正图形的环境分类数据包括：强相关区域分类数据和弱相关区域分类数据。
[0017]可选的，获取所述待修正图形的强相关区域分类数据的方法包括：获取第一相关区域，所述第一相关区域的中心与所述待修正图形的中心重合，所述第一相关区域内包括所述待修正图形与若干第一周围图形；获取每个所述第一周围图形的环境参数。
[0018]可选的，每个所述第一周围图形的环境参数包括：所述第一周围图形沿第一方向的尺寸、沿第二方向的尺寸以及位置坐标。
[0019]可选的，获取每个所述第一周围图形的位置坐标的方法包括：以所述待修正图形的中心为原点建立平面直角坐标系；在所述平面直角坐标系中，获取所述第一周围图形中心的坐标，以所述第一周围图形中心坐标作为所述第一周围图形的位置坐标。
[0020]可选的，在获取所述待修正图形的强相关区域分类数据之后，获取所述待修正图形的弱相关区域分类数据。
[0021]可选的，获取所述待修正图形的弱相关区域分类数据的方法包括：获取第二相关区域，所述第二相关区域包围所述第一相关区域，所述第二相关区域内包括若干第二周围图形；根据所述第二相关区域内的第二周围图形进行环境分类，获取所述待修正图形的弱相关区域分类数据。
[0022]可选的，将所述第二相关区域内的第二周围图形进行环境分类的方法包括：获取参考面积S1；获取所述第二相关区域内包括的所有第二周围图形的面积之和S2；获取所述第二相关区域的面积S3；获取第二相关区域的环境参量
[0023][0024]根据第二相关区域的环境参量D，获取所述待修正图形的弱相关区域分类数据。
[0025]可选的，获取所述参考面积S1的方法包括：在所述参考版图中获取第三相关区域，所述第三相关区域与所述第二相关区域相对应，所述第三相关区域内包括若干第三周围图形；获取所述第三相关区域内包括的所有第三周围图形的面积之和，所述参考面积S1为所述第三相关区域内包括的所有第三周围图形的面积之和。
[0026]可选的，根据第二相关区域的环境参量D，获取所述待修正图形的弱相关区域分类数据的方法包括：提供环境参量阈值；将获取的第二相关区域的环境参量D与所述环境参量阈值进行对比；当所述环境参量D小于所述环境参量阈值时，所述待修正图形为第一环境类别，当所述环境参量D大于等于所述环境参量阈值时，所述待修正图形为第二环境类别。
[0027]可选的，获取第一相关区域的方法包括：获取所述待修正图形的光学修正精度值；根据所述光学修正精度值获取区域面积，所述区域面积与所述光学修正精度值成正比；根据所述区域面积获取所述第一相关区域。
[0028]相应的，本专利技术还提供一种掩膜版的制作方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据；根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述图形修正数据库中包括：每个所述参考图形对应的第二分类数据、以及每个所述参考图形对应的第二光学邻近修正数据。3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法包括：当获取的所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库中一个参考图形的第二分类数据相同时，则所述待修正图形的第一光学邻近修正数据为所述参考图形的第二光学邻近修正数据。4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据之后，还包括：采用所述第一光学邻近修正数据获取所述待修正图形对应的修正图形。5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述待修正图形的第一分类数据包括：尺寸分类数据和环境分类数据。6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述待修正图形的尺寸分类数据的方法包括：获取所述待修正图形的面积尺寸；根据所述待修正图形的面积尺寸进行尺寸分类，获取所述待修正图形的尺寸分类数据。7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据所述待修正图形的面积尺寸进行尺寸分类的方法包括：提供待修正图形的面积阈值；将获取的所述待修正图形的面积与所述面积阈值进行对比；当所述待修正图形的面积大于等于所述面积阈值时，所述待修正图形为第一尺寸类别；当所述待修正图形的面积尺寸小于所述面积阈值，所述待修正图形为第二尺寸类别。8.如权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取每个所述待修正图形沿第一方向上的第一长度尺寸；获取每个所述待修正图形沿第二方向上的第二长度尺寸，所述第一方向与所述第二方向相垂直；根据每个所述待修正图形的第一长度尺寸与第二长度尺寸的长度值不同，将所述第二尺寸类别分为若干个第三尺寸类别。9.如权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述待修正图形为第二尺寸类别时，对所述待修正图形继续进行分类，获取所述待修正图形的环境分类数据。10.如权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述待修正图形的环境分类数据包括：强相关区域分类数据和弱相关区域分类数据。11.如权利要求10所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述待修正图形的强相关区域分类数据的方法包括：获取第一相关区域，所述第一相关区域的中心与所述待修正图形的中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈术，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：