一种碳化硅粉料的合成方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅粉料的合成方法，包括：通过将高纯碳粉和高纯硅粉进行混合，并装入石墨坩埚内，其中石墨坩埚内设有氟化石墨内衬，将所述石墨坩埚放置炉腔内；将所述炉腔升温，并在升温过程中，向所述炉腔内通入氢气与惰性气体的混合气体，且所述氟化石墨内衬分解释放含氟气体；抽出所述炉腔内的气体，使所述高纯碳粉和所述高纯硅粉反应，得到中间相产物；将所述炉腔升温，使所述中间相产物反应生成碳化硅粉料。通过本发明专利技术提供的一种碳化硅粉料合成方法，能够得到高纯度的碳化硅粉料。能够得到高纯度的碳化硅粉料。能够得到高纯度的碳化硅粉料。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅粉料的合成方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅合成领域，特别涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件、光电子器件等领域。而碳化硅单晶的质量制约着后续器件的性能，碳化硅单晶常采用碳化硅粉料制备，因此对碳化硅粉料的质量要求越来越严苛。目前碳化硅的制备方法主要有：固相法、液相法及气相法，碳化硅单晶生长用的原材料碳化硅，主要是通过高温固相法合成，该方法是采用高纯硅粉和碳粉为原料，通过外部加热法保证硅粉和碳粉固相反应的持续进行。
[0003]在高温固相法合成过程中，由于硅的熔点较低，反应前的温度需要维持在较低温度，防止硅的融化和升华，这会造炉腔内的杂质无法在反应前排除，导致杂质参与反应，造成合成的碳化硅纯度降低，合成的碳化硅粉料纯度达不到高纯半绝缘碳化硅单晶生长的要求。因此，如何在反应前的温度时，去除杂质成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：将高纯碳粉和高纯硅粉进行混合，并装入石墨坩埚内，其中所述石墨坩埚内设有氟化石墨内衬，将所述石墨坩埚放置炉腔内；将所述炉腔升温，并在升温过程中，向所述炉腔内通入氢气与惰性气体的混合气体，且所述氟化石墨内衬分解释放含氟气体；抽出所述炉腔内的气体，使所述高纯碳粉和所述高纯硅粉反应，得到中间相产物；将所述炉腔升温，使所述中间相产物反应生成碳化硅粉料。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述高纯碳粉和所述高纯硅粉的摩尔比为1:1～1:1.2。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述氟化石墨内衬的厚度为2～10mm。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，还包括如下步骤：将所述炉腔内温度从室温升至第一温度，其中，所述第一温度为400～600℃，且在升温过程中多次对炉腔进行充惰性气体及抽真空。5.根据权利要求4所述的一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，将所述炉腔温度从所述第一温度升至第二温度，且在此期间向所述炉腔内通入氢气与惰性气体的混合气体，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈豆，关承浩，周玉洁，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：