一种自组装MXene非晶化纳米片超结构及其制备方法技术

技术编号:30324136 阅读:51 留言:0更新日期:2021-10-09 23:58
本发明专利技术涉及一种自组装MXene非晶化纳米片超结构及其制备方法。所述自组装MXene非晶化纳米片超结构是由V2O5/M

【技术实现步骤摘要】
一种自组装MXene非晶化纳米片超结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种普适性的自组装MXene成三维非晶化纳米片超结构及其制备方法,具体涉及一种通过水热法将少层MXene纳米片自组装成三维非晶化的粒径尺寸在微米级的超结构表面增强拉曼散射(SERS)衬底及其制备方法,属于激光拉曼光谱和检测


技术介绍

[0002]表面增强拉曼散射(Surface EnhancementRaman Scattering,SERS)是一种快速、高灵敏的痕量检测技术,可以用于鉴定物质并给出分子精细的结构振动信息,在食品安全、生物传感、环境分析和文物分析等领域有广阔的应用前景。基于大量的SERS技术的应用研究发现被广泛应用的SERS衬底大多为贵金属。然而,其不良的生物相容性和使蛋白质变性的能力是限制贵金属底物在病毒等生物大分子实际检测的两个罪魁祸首。与贵金属衬底相比,半导体材料在生物相容性、高光谱稳定性、强抗干扰能力和靶向分子选择性SERS增强等方面表现出许多迷人的优势,使得半导体基SERS衬底在生物分子的识别和传感中得到了广泛的应用。但半导体衬底因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自组装MXene非晶化纳米片超结构,其特征在于,所述自组装MXene非晶化纳米片超结构是由V2O5/M
x
O
y
@M
n+1
X
n
纳米片自组装得到;其中M为过渡金属元素,优选为Nb、Ti、Ta、V、Sc和Cr中的一种,X为C元素,1≤n≤3,1≤x≤2,2≤y≤5;所述V2O5/M
x
O
y
@M
n+1
X
n
纳米片是由非晶V2O5/M
x
O
y
混合层原位包裹在结晶M
n+1
X
n
纳米片表面而成。2.根据权利要求1所述的自组装MXene非晶化纳米片超结构,其特征在于,所述自组装MXene非晶化纳米片超结构的颗粒尺寸为微米级,优选为2μm~8μm。3.根据权利要求1或2所述的自组装MXene非晶化纳米片超结构,其特征在于,所述V2O5/M
x
O
y
@M
n+1
X
n
纳米片的总厚度为3nm~12nm,横向尺寸为30nm~150nm。4.根据权利要求1

3中任一项所述的自组装MXene非晶化纳米片超结构,其特征在于,所述非晶V2O5/M
x
O
y
混合层的厚度为0.1nm~0.5nm。5.根据权利要求1

4中任一项所述的自组装MXene非晶化纳米片超结构,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨勇彭宇思黄政仁姚秀敏
申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
类型:发明
国别省市:

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