一种芯片封装结构和芯片封装方法技术

一种芯片封装结构和芯片封装方法，芯片封装结构包括：封装基板；与所述封装基板的表面贴合的芯片，通过减小所述芯片与所述封装基板之间的贴合面积，使得芯片封装结构中芯片的形变降低。变降低。变降低。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构和芯片封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，具体涉及一种芯片封装结构和芯片封装方法。

技术介绍

[0002]芯片是一种把电路小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。一种芯片例如为MEMS(Micro－Electro－Mechanica lSystem)传感器芯片，MEMS(Micro－Electro－Mechanica lSystem)的全称是微型电子机械系统，利用传统的半导体工艺材料，集微传感器、微执行器、微机械结构、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统，具有小体积、低成本、集成化等特点。MEMS器件可广泛应用于智能驾驶、智能家居、环境监测、智慧医疗和可穿戴等消费电子等领域。
[0003]芯片在制备完成之后，通常需要贴合在封装基板上，例如陶瓷基板，封装基板上还设置有其他的电学模块，用于和芯片进行电学连接，构成芯片封装结构。
[0004]然而，现有技术中的芯片封装结构中存在芯片的形变较大的不足。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题在于如何有效的克服现有技术中芯片封装结构中芯片的形变较大的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种芯片封装结构，包括：封装基板；芯片，所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外。
[0007]可选的，所述芯片包括芯片本体和与芯片本体的背面连接的连接基板；所述连接基板的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面与所述封装基板的表面贴合，所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面延伸至所述封装基板之外。
[0008]可选的，所述连接基板的热膨胀系数小于等于所述封装基板的热膨胀系数的55％且大于等于所述芯片本体的热膨胀系数的112％。
[0009]可选的，所述封装基板包括陶瓷基板，所述连接基板包括玻璃基板，所述芯片本体包括硅基芯片本体。
[0010]可选的，所述芯片包括芯片本体，所述芯片本体的部分背面与所述封装基板的表面贴合，所述芯片本体的部分背面延伸至所述封装基板之外。
[0011]可选的，所述芯片延伸至所述封装基板之外的背面面积与所述芯片和所述封装基板的贴合面积之比为1：4至4：1。
[0012]可选的，所述芯片本体包括：半导体基层和功能层，所述功能层位于半导体基层的表面；所述半导体基层中设置有背腔，所述功能层横跨在所述背腔上；或者，所述半导体基层为实体结构。
[0013]可选的，述芯片包括MEMS压力传感芯片。
[0014]可选的，述芯片包括碳化硅基芯片，所述封装基板包括陶瓷基板。
[0015]本专利技术还提供一种芯片封装结构，包括：封装基板；位于所述封装基板上的芯片，所述芯片的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。
[0016]可选的，所述芯片包括芯片本体和与芯片本体的背面连接的连接基板；所述连接基板的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；所述连接基板的侧壁与所述封装基板的表面贴合，所述芯片本体的侧壁延伸至所述封装基板之外。
[0017]可选的，所述连接基板的热膨胀系数小于等于所述封装基板的热膨胀系数的55％且大于等于所述芯片本体的热膨胀系数的112％。
[0018]可选的，所述封装基板包括陶瓷基板，所述连接基板包括玻璃基板，所述芯片本体包括硅基芯片本体。
[0019]可选的，所述芯片仅包括芯片本体，所述芯片本体的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。
[0020]可选的，所述芯片和所述封装基板之间的贴合面积与所述芯片朝向所述封装基板一侧的侧壁面积之比为0.2～0.7。
[0021]可选的，所述芯片本体包括：半导体基层和功能层，所述功能层位于半导体基层的表面；所述半导体基层中设置有背腔，所述功能层横跨在所述背腔上；或者，所述半导体基层为实体结构。
[0022]可选的，所述芯片包括碳化硅基芯片，所述封装基板包括陶瓷基板。
[0023]可选的，所述芯片包括MEMS压力传感芯片。
[0024]本专利技术还提供一种芯片封装方法，包括：提供封装基板和芯片；将所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且将所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外。
[0025]可选的，形成所述芯片的步骤包括：提供连接基板和芯片本体，所述连接基板的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；将所述芯片本体的背面设置在所述连接基板的表面；将所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且将所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外的步骤包括：将所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面与所述封装基板的表面贴合，将所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面延伸至所述封装基板之外。
[0026]可选的，所述芯片包括芯片本体；将所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且将所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外的步骤包括：将所述芯片本体的部分背面与所述封装基板的表面贴合，将所述芯片本体的部分背面延伸至所述封装基板之外。
[0027]可选的，将所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且将所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外的方法包括：采用粘合胶粘附所述芯片的部分背面和所述封装基板的表面；对所述粘合胶进行固化处理，所述固化处理采用的温度为60摄氏度～80摄氏度。
[0028]本专利技术还提供一种芯片封装方法，包括：提供封装基板和芯片；将芯片的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。
[0029]可选的，形成所述芯片的步骤包括：提供连接基板和芯片本体，所述连接基板的热
膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；将所述芯片本体的背面设置在所述连接基板的表面；将芯片的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合的步骤为：将所述连接基板的侧壁与所述封装基板的表面贴合，将所述芯片本体的侧壁延伸至所述封装基板之外。
[0030]可选的，所述芯片仅包括芯片本体；将芯片的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合的步骤包括：将所述芯片本体的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。
[0031]可选的，将芯片的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合的方法包括：采用粘合胶粘附所述芯片的侧壁与所述封装基板；对所述粘合胶进行固化处理，所述固化处理采用的温度为60摄氏度～80摄氏度。
[0032]本专利技术技术方案，具有如下优点：
[0033]1.本专利技术技术方案提供的芯片封装结构，所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外，这样使得芯片与所述封装基板之间的贴合面积减小，所述封装基板给芯片的热应力减小，降低了芯片的形变。
[0034]2.进一步，芯片包括芯片本体和与芯片本体的背面连接的连接基板，所述连接基板的热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板；芯片，所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括芯片本体和与芯片本体的背面连接的连接基板；所述连接基板的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面与所述封装基板的表面贴合，所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面延伸至所述封装基板之外；优选的，所述连接基板的热膨胀系数小于等于所述封装基板的热膨胀系数的55％且大于等于所述芯片本体的热膨胀系数的112％；优选的，所述封装基板包括陶瓷基板，所述连接基板包括玻璃基板，所述芯片本体包括硅基芯片本体。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括芯片本体，所述芯片本体的部分背面与所述封装基板的表面贴合，所述芯片本体的部分背面延伸至所述封装基板之外。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片延伸至所述封装基板之外的背面面积与所述芯片和所述封装基板的贴合面积之比为1：4至4：1。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片本体包括：半导体基层和功能层，所述功能层位于半导体基层的表面；所述半导体基层中设置有背腔，所述功能层横跨在所述背腔上；或者，所述半导体基层为实体结构；优选的，所述芯片包括MEMS压力传感芯片；优选的，所述芯片包括碳化硅基芯片，所述封装基板包括陶瓷基板。6.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板；位于所述封装基板上的芯片，所述芯片的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括芯片本体和与芯片本体的背面连接的连接基板；所述连接基板的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；所述连接基板的侧壁与所述封装基板的表面贴合，所述芯片本体的侧壁延伸至所述封装基板之外；优选的，所述连接基板的热膨胀系数小于等于所述封装基板的热膨胀系数的55％且大于等于所述芯片本体的热膨胀系数的112％；优选的，所述封装基板包括陶瓷基板，所述连接基板包括玻璃基板，所述芯片本体包括硅基芯片本体。8.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片仅包括芯片本体，所述芯片本体的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。9.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片和所述封装基板之间的
贴合面积与所述芯片朝向所述封装基板一侧的侧壁面积之比为0.2～0.7。10.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片本体包括：半导体基层和功能层，所述功能层位于半导体基层的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂泳忠，杨文奇，吴桂珊，李腾跃，李舜华，
申请(专利权)人：西人马联合测控泉州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：