MEMS传感器以及用于运行MEMS传感器的方法技术

本发明专利技术涉及一种MEMS传感器，所述MEMS传感器包括：可偏移地布置的功能层；用于将所述功能层的偏移转换为电信号的转换装置，其中，所述转换装置包括至少一个电元件，其中，所述至少一个电元件与第一区域至少部分地电连接，其中，所述第一区域与第二区域至少部分地电连接，其中，第一和第二区域和/或第一区域和所述至少一个电元件能够在截止方向和导通方向上电运行；以及控制装置，其中，所述控制装置构造为使所述至少一个电元件和所述第一区域和/或所述第一区域和所述第二区域在导通方向上至少部分地为提供热能而运行。少部分地为提供热能而运行。少部分地为提供热能而运行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】MEMS传感器以及用于运行MEMS传感器的方法


[0001]本专利技术涉及一种MEMS传感器，该MEMS传感器包括以可偏移的方式布置的功能层。
[0002]本专利技术还涉及一种用于运行MEMS传感器的方法。
[0003]尽管本专利技术一般性地能够应用于具有可偏移地布置的功能层的任何MEMS传感器，但是基于MEMS压力传感器来描述本专利技术。

技术介绍

[0004]通过微系统技术制造的压力传感器通常具有由硅制成的膜，在膜表面上的压力发生变化时，该膜以膜的偏移做出反应。这种偏移或者说膜边缘处由此引起的机械应力可以借助压阻电阻转化为电信号。为了避免在低温下对传感器性能的负面影响——例如由于整体结构中的膨胀系数，具有集成加热器的压力传感器已经变得众所周知，其可以将传感器的温度提高到一定的最低水平。在这些压力传感器中，在金属导体轨道中或也在扩散式半导体导体轨道中通过电流产生焦耳热，这些导体轨道通过附加焊盘连接。

技术实现思路

[0005]本在一种实施方式中，本专利技术提供一种MEMS传感器，该MEMS传感器包括：可偏移地布本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种MEMS传感器(1)，所述MEMS传感器包括：可偏移地布置的功能层(3)，用于将所述功能层(3)的偏移转换为电信号的转换装置(2)，其中，所述转换装置(2)包括至少一个电元件，其中，所述至少一个电元件(9)与第一区域(10)至少部分地电连接，其中，所述第一区域(10)与第二区域(11)至少部分地电连接，其中，第一和第二区域(10，11)和/或第一区域(10)和所述至少一个电元件(9)能够在截止方向和导通方向上电运行，以及控制装置(5)，其中，所述控制装置(5)构造为使所述至少一个电元件(9)和所述第一区域(10)和/或所述第一区域(10)和所述第二区域(11)在导通方向上至少部分地为提供热能而运行。2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其中，一方面第一区域(10)和至少一个电元件(9)的截止方向和导通方向与另一方面第一区域(10)和第二区域(11)的截止方向和导通方向是相反的。3.根据权利要求1至2中任一项所述的MEMS传感器，其中，所述转换装置(2)包括具有呈电阻(9)形式的至少四个电元件的惠斯通电桥电路。4.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其中，所述电阻(9)是植入式或扩散式的压阻电阻。5.根据权利要求1至4中至少一项所述的MEMS传感器，其中，所述控制装置(5)构造为使所述第一和第二区域(10，11)暂时地在截止方向上运行以及暂时地在导通方向上运行。6.根据权利要求4或5所述的MEMS传感器，其中，所述第一区域(10)以槽池的形式构造，所述至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：罗伯特，
类型：发明
国别省市：