本发明专利技术公开了一种特殊长宽比有源矩阵液晶显示器及其激光切割制造方法，它无需投巨资即可直接生产正方形或其它非标比例的ＴＦＴ液晶显示器，充分利用了目前市场上大量生产的、已商品化的矩形屏幕（４∶３或１６∶９）的ＴＦＴ－ＬＣＤ，在原来的基础上，通过分解、定位、切割、裂断、封堵、连接成形等步骤即可制造出正方形或是其它矩形的ＴＦＴ－ＬＣＤ。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有源矩阵液晶显示器(以下简称TFT-LCD)及其制造方法，尤其是一种长宽比为非4∶3或16∶9标准的有源矩阵液晶显示器的制造方法，具体地说是。
技术介绍
目前，商用有源矩阵液晶显示器面板尺寸的长宽比只有4∶3和16∶9两种标准规格，它也是我们目前市场上所销售的液晶显示器或电视的主要规格。它广泛地被绝大多数场合普遍采用，其屏幕尺寸的宽高比例，是根据人眼对观察图像的宽高比的视图习惯及电视图像扫描制式的规则而决定的，是一种历史形成的传统习惯，而一旦形成了习惯，其局面很难改变，故目前全球几乎所有的TFT-LCD显示器生产企业都只生产这两种长宽比规格的液晶屏。对一些特殊用途的显示领域来说，常常需要用一些特殊长宽比的电子显示器，甚至圆形显示器。如医疗仪器、航空航天导航、雷达指示、极坐标显示、高分辨率的电子地图及航空显示器等，就常需要用长宽比是1∶1的正方形或其它比例的TFT液晶显示器，然而由于上述的几种原因，这种正方形或其它比例的TFT液晶显示器在TFT-LCD面板工厂是无法制造的，耗巨资建造的TFT-LCD面板流水线是为4∶3显示器量身订做的，对1∶1或其它比例的生产工艺过程来说，是不兼容的，如果要进行制造，则必须再次投入巨资对工厂进行一定规模的技术改造，但是投资的规模与正方形TFT液晶显示器的市场容量在现阶段是不相匹配的，难有收回投资的可能，存在很大的投资风险。所以，迄今为止，除了特定的军事用途不考虑投资风险的政府行为外(国防投资)，还鲜有TFT-LCD面板工厂愿意通过技术改造来生产这种长宽比为1∶1的正方形或其它比例的TFT液晶显示器，致使市场需求与生产的严重脱节。
技术实现思路
本专利技术的目的针对上述问题，提供一种长宽比为1∶1的正方形或其它任意比例的特殊长宽比有源矩阵液晶显示器及其激光切割制造方法。它无需投巨资即可直接生产正方形或其它非标比例的TFT液晶显示器，充分利用了目前市场上大量生产的、已商品化的矩形屏幕(4∶3或16∶9)的TFT-LCD，在原来的基础上，通过激光切割方法来制造出正方形或是其它矩形的TFT-LCD。本专利技术的技术方案是一种特殊长宽比有源矩阵液晶显示器，其特征是所述的显示器的长宽比或为N∶3、或为M∶9，其中N的取值范围为0.5～4，M的取值范围为1～16。当为N等于3，M等于9，所得的显示器为正方形显示器。显示器的一边为切割边，切割边上封装有封口胶，封口胶中均布有7～9微米粒径的有机支撑隔珠。对上玻璃基板与下玻璃基板切口平齐的切割边(即上切割线与下切割线重合)，其封口胶分别与组成显示器上偏振片、上玻璃基板、液晶材料、下玻璃基板、下偏振片相接触；对上玻璃基板与下玻璃基板切口错层的切割边(即上切割线与下切割线不重合)，其封口胶或与上玻璃基板及液晶材料相接触、或与下玻璃基板及液晶材料相接触。上述的特殊长宽比有源矩阵液晶显示器可采用以下方法制造一种特殊长宽比有源矩阵液晶显示器的激光切割制造方法，以长宽比为4∶3或16∶9的、行扫描电极单边引出结构的成品有源矩阵液晶显示器模块为基材采用激光切割法沿宽度方向切割而成，其特征是包括以下步骤a、分解取成品有源矩阵液晶显示器模块首先分解取出其中的面板屏；b、定位将所述的面板屏固定在激光切割器的工作台面上，并将激光器的切割头对准根据最终成形产品所需的长宽比计算所得的沿宽度方向的切割线位置； c、切割启动激光切割器并使激光头与工作台以120～130mm/秒的相对速度沿上玻璃基板上的切割线移动，同时对激光光束经过的轨迹进行喷液或喷气冷却，在上玻璃基板沿上形成上切割线，将其翻转后按上述方法重新定位，启动激光切割器并使激光头与工作台以120～130mm/秒的相对速度沿下玻璃基板上的切割线移动，同时对激光光束经过的轨迹进行喷液或喷气冷却，在下玻璃基板沿上形成下切割线；d、裂断将上述两面分别形成有上、下切割线的面板屏置于有源液晶显示器专用裂片机上进行一次性折断；e、封堵对上述折断后的面板屏的断裂处用紫外光固化胶进行封口堵胶，并使堵胶后液晶盒的厚度维持在7～9微米之间，同时使胶液渗入液晶层之间的距离L控制在0.3～0.7mm之间，确保封口有效；f、连接成形将完成上述工艺过程的装入与其相配的模块中，即得本专利技术的特殊长宽比有源矩阵液晶显示器。上述的切割、封堵过程必须在1000级以上及有静电防护的洁净工作间内进行，其中切割裂断到封堵的间隔时间应小于10分钟。上述的上切割线与下切割线重合时，折断后的上玻璃基板和下玻璃基极的断口呈平齐状；上切割线与下切割线不重合时，裂断后的上玻璃基板和下玻璃基板的断口呈台阶状。在上述的固化胶中均布有7～9微米粒径的有机支撑隔珠，以保证切割后的液晶盒的厚度。上述的分解过程还可包括以下步骤a、分离将上述面板屏上的行、列驱动器与面板屏分离；b、揭片在50～100℃温度条件下揭去与面板屏相连接的上、下偏振片，即得所需的可供激光切割的面板屏。必要时在裂断结束后应对折断处进行清理，去除裂断过程中产生的玻璃粉尘及外溢的液晶，必要时还应在清理结束后采用加压灌晶工艺重新补充液晶。所述的连接成形中必要时还包括上、下偏振片及行、列驱动器的连接。上、下偏振片与上、下玻璃基板的连接也可称为贴片，其过程为固化胶固化后(用紫外光对紫外光固化胶进行固化)，重新将上、下偏振片与相应的上、下玻璃基板相贴合；在此过程中必要时还需进行补线操作，在面板屏的外部通过柔性连接电极将面板屏两端被切断的电极重新压接；此外，在上述切割过程中，必要时还必须立即对切割后的双面或单面电路板采用直接焊接补线的方式来恢复电路板的功能，此时元器件容易修复及更换，若电路密度很高而且排列均匀规则，则可用各向异性导电膜热压工艺(即ACF)作柔性连接，恢复原来功能。如果TAB封装上连接的是多层电路板，必须通过多种方式才能恢复板的功能，在大多数情况下，比较好的方式是重新制板。所述的补线操作可采用常规的各向异性导电膜热压工艺进行；所述的行、列驱动器重新与面板屏相连时也可采用常规各向异性导电膜热压工艺(以下简称ACF)进行。目前，在有源矩阵液晶显示器(TFT-LCD)制造工艺中，其开关阵列器件主要采用非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT.)和多晶硅薄膜晶体管(poLy-Si TFT)的制造工艺。在多晶硅薄膜晶体管的制造工艺中，又分为低温poLy-Si TFT和高温poLy-Si TFT两种，高温工艺是指整个加工过程中温度高于620℃，a-SiTFT采用的是高温工艺，低温工艺是指整个加工过程中温度低于620℃，对于不同的工艺，采用了不同材料特性的TFT玻璃基板。低温工艺可用普通的平板玻璃做衬底，高温工艺则必须采用石英玻璃为TFT的衬底，而滤色器屏面一般采用由碱石灰或硼硅酸盐成份组成的平板玻璃，这几种玻璃的热膨胀系数、硬度、工作温度和材料组成等理化特性都不一样，对同样的切割方法会造成不同的结果，所以在切割工艺操作中，应根据不同的TFT面板情况区别对待。本专利技术的制造方式尤其适合于非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT.)制造的有源矩阵液晶显示器的非标规格的再造。此外，本专利技术必须首先根据实际应用要求来选择被切割的TFT屏，如屏的有效显示面积、视角范围、对比度、最高分辨率、响应速度等。一般均采用普通商业等级的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种特殊长宽比有源矩阵液晶显示器，其特征是所述的显示器的长宽比或为Ｎ∶３、或为Ｍ∶９，其中Ｎ的取值范围为０．５～４，Ｍ的取值范围为１～１６。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：余雷，李慧芝，吴金华，金强宁，范宁，方俊，周琦，顾适宜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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