LCOS中象素电压产生电路制造技术

本发明专利技术涉及一种ＬＣＯＳ中象素电压产生电路，包括：ＳＲＡＭ存储器单元（１）；第一传输门（２）和第二传输门（３）；第一传输门（２）的第一控制端和第二传输门（３）的第二控制端与ＳＲＡＭ存储器单元（１）的第一输出端（Ｑ）连接，第一传输门的第二控制端和第二传输门的第一控制端与ＳＲＡＭ存储器单元（１）的第二输出端（Ｑ）连接；第一传输门（２）的输入端与第一输入电压（Ｖａ）相连，第二传输门（３）的输入端与第二输入电压（Ｖｂ）相连；第一传输门（２）的输出端与第二传输门（３）的输出端相连接并与象素电极相连；通过调节输入电压Ｖａ和Ｖｂ电压值就可以满足液晶显示精度、亮度、对比度等方面的要求；采用传输门的优点使输出电压能跟随输入电压而变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LCOS(Liquid Crystal On Silicon即基于大规模集成电路上的反射液晶投影技术)，尤其涉及一种该技术中象素电压产生电路。
技术介绍
目前，液晶显示技术发展迅速，应用领域不断拓宽；在实际应用中有许多种液晶显示方法，最常用的LCD是twisted nematic(TN，即扭曲向力)型的液晶显示。TN型液晶的基本原理是对偏振光的控制当TN型液晶加上电压时，它的液晶分子极性会随着电场而扭曲。当光进入带有电磁场的TN型液晶时，这种极性的扭曲会影响光的反射，通过调整电磁场的强度，从而产生灰度效应。液晶显示的对比度和响应速度与液晶材料和液晶光电效应关系密切，不同的光电效应具有不同的利弊。常用的液晶材料有SS，VA，HAN，Frederickz，TN等。其中TN材料最适合各种要求、它取向容易、工艺成熟。目前显示主要用TN材料，其响应时间约为10ms。液晶显示与外加电压的关系也很密切。外加电压的大小对TN型液晶的响应至关重要，直接决定了液晶的显示精度，显示亮度、对比度以及液晶的整体工作。LCOS显示技术是将成熟的硅工艺和液晶技术结合的高新技术，将控制电路进入成像区下面，显示尺寸较小，成像与周边电路集成一体，不仅适合用于高密度、高分辨率、高开口率显示，而且由于LCOS可以利用CMOS工艺大批量生产，故具有低成本、高质量的商业优势。LCOS数字电视显示芯片是目前国际上最新的大屏幕高清晰度数字显示技术——LCOS(Liquid Crystal On Silicon即基于大规模集成电路上的反射液晶投影技术)的核心技术，LCOS是国际上一致看好的，最有可能以其高质量的技术指标和低价位的制造成本能进入普通百姓家庭的HDTV的产品技术，具有十分广阔的市场前景。LCOS数字电视专用芯片采用国际先进的0.35um和0.25um的CMOS工艺技术，是一个高性能，低价位的芯片组，芯片组用于三色光学驱动引擎，可产生XGA到UXGA/HDTV解像度的高对比，高亮度，24位彩色影像。LCOS主要应用于高清晰度数字电视(HDTV)。LCOS技术采用在大规模集成电路芯片上制造SRAM静态存储器阵列，每个SRAM存储器组成一个象素，形成象素阵列。并将液晶盒封装在大规模集成电路芯片上的象素阵列上组成反射式液晶光阀。对于HDTV解象度的LCOS显示芯片需要制造1920*1080个SRAM静态存储器组成的阵列。在每个象素的象素电极上加上显示电压VP。每个象素上的显示电压VP和液晶背电极电压VITO之间的电场决定了液晶分子的扭曲转向及对偏振光的反射而形成该象素的灰度。SRAM存储器存储的是数字电平电压，把SRAM存储器的输出直接加到象素电极上产生显示难以满足液晶显示精度、亮度、对比度等指标所需的外加电压。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供了一种LCOS中象素电压产生电路，通过SRAM存储的数字电平电压驱动产生所需要的象素电压，旨在解决上述的缺陷。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的本专利技术包括SRAM存储器单元；还包括一个第一传输门和一个第二传输门；所述的第一传输门的第一控制端和第二传输门的第二控制端与SRAM存储器单元的第一输出端连接，第一传输门的第二控制端与第二传输门的第一控制端与SRAM存储器单元的第二输出端连接；所述的第一传输门的输入端与第一输入电压相连，第二传输门的输入端与第二输入电压相连；所述的第一传输门的输出端与第二传输门的输出端相连接并与象素电极相连，以提供显示电压。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是通过调节输入电压Va和Vb电压值就可以满足液晶显示精度，显示亮度，对比度等方面的要求；而且采用传输门的优点在于使输出电压能紧跟随输入电压而变化。附图说明图1是本专利技术的线路图；具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述由图1可见本专利技术包括SRAM存储器单元1；还包括一个第一传输门2和一个第二传输门3；所述的第一传输门2的第一控制端和第二传输门3的第二控制端与SRAM存储器单元1的第一输出端Q连接，所述第一传输门2的第二控制端与第二传输门的第一控制端与SRAM存储器单元1的第二输出端Q连接；所述的第一传输门2的输入端与第一输入电压Va相连，第二传输门3的输入端与第二输入电压Vb相连；所述的第一传输门2的输出端与第二传输门3的输出端相连接并与象素电极相连，以提供显示电压；所述的第一传输门2包括第一PMOS管T1和第一NMOS管T2；所述的第二传输门3包括第二NMOS管T3和第二PMOS管T4；所述的第一PMOS管T1和第二NMOS管T3的栅极与SRAM存储器单元1的第一输出端Q连接，第一NMOS管T2和第二PMOS管T4的栅极与SRAM存储器单元1的第二输出端Q连接；第一PMOS管T1和第一NMOS管T2的源极与第一输入电压Va相连，第二NMOS管T3和第二PMOS管T4的源极与第二输入电压Vb相连，第一PMOS管T1和第一NMOS管T2的漏极与第二NMOS管T3和第二PMOS管T4的漏极相连接并与象素电极相连。Q，Q是SRAM存储器单元的二个输出端。当SRAM存“1”时，Q输出高电平，Q输出低电平；当SRAM存“0”时，Q输出低电平，Q输出高电平。T1，T4是PMOS管，T2，T3是NMOS管；T1，T2组成第一个传输门；T3，T4组成第二个传输门。当SRAM存储器单元存1时，Q输出高电平，Q输出低电平，使T2和T1导通，第一传输门导通，T3、T4关闭，第二传输门关闭，使输入电压Va通过第一传输门到象素电极即VP＝Va。当SRAM存储器存0时，Q输出低电平，Q输出高电平，使T3和T4导通，第二传输门导通。T1，T2关闭，第一传输门关闭，输入电压Vb通过第二传输门到象素电极，即VP＝Vb。在显示状态时，使输入电压Vb＝VITO，则当SRAM存1时，由于第一传输门导通使象素电极电压VP＝Va，则液晶背电极和象素电极间电压为VITO-VP＝VITO-Va。VITO和Va电压的差即VITO-Va，使液晶分子转向，使入射到液晶的光线在该象素电极上反射而使该象素形成白色；当SRAM存0时，由于第二传输门导通，使象素电极电压VP＝Vb＝VITO，则液晶背电极和象素电极间电压为VITO-VP＝0，则液晶不转向，使入射到液晶的光线在该象素电极上不反射，使该象素形成黑色。如果入射光是红、绿、兰三色光之一则形成该颜色的图象。权利要求1.一种LCOS中象素电压产生电路，包括SRAM存储器单元(1)；还包括一个第一传输门(2)和一个第二传输门(3)；所述的第一传输门(2)的第一控制端和第二传输门(3)的第二控制端与SRAM存储器单元(1)的第一输出端(Q)连接，所述第一传输门(2)的第二控制端与第二传输门的第一控制端与SRAM存储器单元(1)的第二输出端(Q)连接；所述的第一传输门(2)的输入端与第一输入电压(Va)相连，第二传输门(3)的输入端与第二输入电压(Vb)相连；所述的第一传输门(2)的输出端与第二传输门(3)的输出端相连接并与象素电极相连，以提供显示电压。2.根据权利要求1所述的LCOS中象素电压产生电路，其特征在于所述的第一传输门(2)包括第一PMOS管(T1)和第一N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＣＯＳ中象素电压产生电路，包括：ＳＲＡＭ存储器单元（１）；还包括一个第一传输门（２）和一个第二传输门（３）；所述的第一传输门（２）的第一控制端和第二传输门（３）的第二控制端与ＳＲＡＭ存储器单元（１）的第一输出端（＊）连接，所述第一传输门（２）的第二控制端与第二传输门的第一控制端与ＳＲＡＭ存储器单元（１）的第二输出端（Ｑ）连接；所述的第一传输门（２）的输入端与第一输入电压（Ｖａ）相连，第二传输门（３）的输入端与第二输入电压（Ｖｂ）相连；所述的第一传输门（２）的输出端与第二传输门（３）的输出端相连接并与象素电极相连，以提供显示电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：印义言，印义中，
申请(专利权)人：上海华园微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]