【技术实现步骤摘要】
包括折叠数字线配置的集成组合件
[0001]存储器阵列(例如,DRAM阵列)。包括垂直堆叠的层面的集成组合件。包括折叠数字线配置的集成组合件。
技术介绍
[0002]现代计算架构中利用存储器来存储数据。一种类型的存储器是动态随机存取存储器(DRAM)。与替代类型的存储器相比,DRAM可提供结构简单、低成本及高速的优点。
[0003]DRAM可利用具有一个电容器组合一个晶体管的存储器单元(cell)(所谓的1T
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1C存储器单元),其中电容器与晶体管的源极/漏极区(region)耦合。图1中展示实例1T
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1C存储器单元2,其中晶体管被标记为T且电容器被标记为C。电容器具有与晶体管的源极/漏极区耦合的一个节点,及与共同板极CP耦合的另一节点。共同板极CP可与任何合适电压耦合,例如,在从大于或等于接地到小于或等于VCC的范围内的电压(即,接地≤CP≤VCC)。在一些应用中,共同板极处于约一半VCC的电压(即,约VCC/2)。晶体管具有耦合到字线WL(即,存取线、路由线、第一线性结构等)的栅极,且具有耦合到位线BL(即数字线、感测线、第二线性结构等)的源极/漏极区。在操作中,在读取/写入操作期间,由沿着字线的电压产生的电场可将位线门控耦合到电容器。
[0004]图2中展示另一现有技术1T
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1C存储器单元配置。图2的配置展示两个存储器单元2a及2b;其中存储器单元2a包括晶体管T1及电容器C1,且其中存储器单元2b包括晶体管T2及电容器C2。字线WL0及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成组合件,其包括:第一层面;第二层面,其在所述第一层面上方;第一真数字线,其具有沿着所述第一层面的第一区,所述第一区具有第一区段及第二区段;第一互补数字线,其具有沿着所述第二层面的第二区;所述第二区具有第三区段及第四区段;通过第一感测放大器电路将所述第一真数字线与所述第一互补数字线进行相对地比较;第二真数字线,其具有沿着所述第一层面的第三区及沿着所述第二层面的第四区;所述第三区横向邻近所述第一真数字线的所述第一区的所述第一区段,且所述第四区横向邻近所述第一互补数字线的所述第二区的所述第三区段;及第二互补数字线,其具有沿着所述第一层面的第五区且具有沿着所述第二层面的第六区;所述第五区横向邻近所述第一真数字线的所述第一区的所述第二区段,且所述第六区横向邻近所述第一互补数字线的所述第二区的所述第四区段;通过第二感测放大器电路将所述第二真数字线与所述第二互补数字线进行相对地比较。2.根据权利要求1所述的集成组合件,其中字线从沿着所述第二真数字线的所述第三区的存储器单元延伸到沿着所述第一真数字线的所述第一区的所述第一区段的存储器单元。3.根据权利要求1所述的集成组合件,其中字线从沿着所述第二真数字线的所述第四区的存储器单元延伸到沿着所述第一互补数字线的所述第二区的所述第三区段的存储器单元。4.根据权利要求1所述的集成组合件,其中字线从沿着所述第二互补数字线的所述第五区的存储器单元延伸到沿着所述第一真数字线的所述第一区的所述第二区段的存储器单元。5.根据权利要求1所述的集成组合件,其中字线从沿着所述第二互补数字线的所述第六区的存储器单元延伸到沿着所述第一互补数字线的所述第二区的所述第四区段的存储器单元。6.一种集成组合件,其包括:基底,其包括第一及第二感测放大器电路;第一层面,其在所述基底上方;第二层面,其在所述第一层面上方;第一真数字线,其具有沿着所述第一层面的第一区,所述第一区具有第一区段及第二区段;第一互补数字线,其具有沿着所述第二层面的第二区;所述第二区具有第三区段及第四区段;通过所述第一感测放大器电路将与所述第一互补数字线进行相对地比较;第二真数字线,其具有沿着所述第一层面的第三区且具有沿着所述第二层面的第四区;所述第三区横向邻近所述第一真数字线的所述第一区的所述第一区段,且所述第四区横向邻近所述第一互补数字线的所述第二区的所述第三区段;第二互补数字线,其具有沿着所述第一层面的第五区且具有沿着所述第二层面的第六
区;所述第五区横向邻近所述第一真数字线的所述第一区的所述第二区段,且所述第六区横向邻近所述第一互补数字线的所述第二区的所述第四区段;所述第二真数字线通过所述第二感测放大器电路与所述第二互补数字线进行相对地比较;第一字线,其从沿着所述第二真数字线的所述第三区的存储器单元延伸到沿着所述第一真数字线的所述第一区的所述第一区段的存储器单元;第二字线,其从沿着所述第二真数字线的所述第四区的存储器单元延伸到沿着所述第一互补数字线的所述第二区的所述第三区段的存储器单元;第三字线,其从沿着所述第二互补数字线的所述第五区的存储器单元延伸到沿着所述第一真数字线的所述第一区的所述第二区段的存储器单元;及第四字线,其从沿着所述第二互补数字线的所述第六区的存储器单元延伸到沿着所述第一互补数字线的所述第二区的所述第四区段的存储器单元。7.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述存储器单元包含电容器。8.根据权利要求7所述的集成组合件,其中所述电容器的底部电极配置为向上打开的容器。9.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述第一字线与第一字线驱动器电路耦合且所述第二字线与不同于所述第一字线驱动器电路的第二字线驱动器电路耦合。10.根据权利要求6所述的集成组合件,其中所述第三字线与所述第一字线驱动器电路耦合且所述第四字线与所述第二字线驱动器电路耦合。11.根据权利要求6所述的集成组合件,其中:所述第一感测放大器电路沿着所述基底从所述第二感测放大器电路横向偏移;所述第一字线与第一字线驱动器电路耦合,且所述第二字线与不同于所述第一字线驱动器电路的第二字线驱动器电路耦合;及所述第一及第二字线驱动器电路在沿着所述基底的区内,所述区沿着所述...
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