【技术实现步骤摘要】
带有启动电路的低压基准电压源电路
[0001]本申请涉及基准电路
,特别是涉及一种带有启动电路的低压基准电压源电路。
技术介绍
[0002]基准电压源是(Refernce Voltage)是指在模拟电路、混合信号电路中用作电压基准的参考电压源,它具有很多的优点。典型的优点是具有相对较高的精度和稳定度。它的稳定性和抗噪声性会影响到整个电路系统的精度和性能。模拟电路使用基准源,抑或为了得到与电源无关的偏置,抑或为了得到与温度无关的偏置,它的性能好坏将会直接影响到电路的性能温度。因此,性能优良的基准电压源是一切电子系统设计的最基本和最关键的要素。
[0003]传统的基准电压源一般是带隙电压为1.2V左右,需要配合启动电路使用。然而对于电源电压低于1.2V的电压基准必须采用特殊的电路结构。目前,市面上缺少适配于低压基准电压源的启动电路结构。此外,如果用常规的启动电路结构去适配低压基准电压源,会导致启动电路在启动低压基准电压源后,启动电路中的PMOS管没有充分关断,从而导致有电流流入低压基准电压源的核心模块,导致低压基准电压源的功能或性能降低。
[0004]如图3所示,传统的带有启动电路的基准电压源电路中,基准电压源电路是基于Sansen所著《模拟集成电路设计精粹》记载的内容进行设计,启动电路中的PMOS管中的PMOS管MP1可能出现没有充分关断的情况,导致处于弱反型状态,这样就会有电流自MP1流入基准电路的核心模块,导致基准电压源电路的功能或性能降低。
技术实现思路
[0005]基于此,有必 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带有启动电路的低压基准电压源电路,其特征在于,包括:低压基准电压源电路(10),包括互相电连接的第一MOS管电路(110)和第二MOS管电路(120),以及运算放大器(130),所述运算放大器(130)分别与第一MOS管电路(110)和第二MOS管电路(120)电连接;启动电路(20),与所述低压基准电压源电路(10)通过传输导线(30)电连接;所述启动电路(20)包括逻辑判断电路(210)、参考电压电路(220)、开关电路(230)和电流源(240);所述逻辑判断电路(210)包括与非门(211),以及与所述与非门(211)连接的第三MOS管电路(212)和第四MOS管电路(213),第三MOS管电路(212)和第四MOS管电路(213)互相电连接;所述第三MOS管电路(212)还与所述第二MOS管电路(120)电连接;所述参考电压电路(220)包括第五MOS管电路(221)和第六MOS管电路(222),第五MOS管电路(221)的一端连接于第三MOS管电路(212)和第四MOS管电路(213)之间的连接链路,第五MOS管电路(221)的另一端与第六MOS管电路(222)电连接;所述开关电路(230),一端与低压基准电压源电路(10)通过所述传输导线(30)电连接,另一端与与非门(211)电连接;所述电流源(240)电连接于第五MOS管电路(221)和第六MOS管电路(222)之间的连接链路;所述低压基准电压源电路(10)还包括第七MOS管电路(140),所述第七MOS管电路(140)电连接于所述传输导线(30);所述第七MOS管电路(140)还与所述第四MOS管电路(213)电连接。2.根据权利要求1所述的带有启动电路的低压基准电压源电路,其特征在于,所述运算放大器(130),包括同相输入端(131)、反相输入端(132)和输出端(133),所述第一MOS管电路(110)包括:第一电压源(111);第一PMOS管(112),所述第一PMOS管(112)的源极与第一电压源(111)电连接,所述第一PMOS管(112)的栅极与运算放大器(130)的输出端(133)电连接;第一电阻(113),与第一PMOS管(112)的漏极电连接;第二电阻(114),与第一电阻(113)串联;第一三极管(115),所述第一三极管(115)的发射极电连接于第一PMOS管(112)和第一电阻(113)之间的连接链路;所述第一三极管(115)的集电极接地;所述第一三极管(115)的基极与第二电阻(114)电连接;所述运算放大器(130)的反相输入端(132)电连接于第一电阻(113)和第二电阻(114)之间的连接链路。3.根据权利要求2所述的带有启动电路的低压基准电压源电路,其特征在于,所述第二MOS管电路(120)包括:第二电压源(121);第二PMOS管(122),所述第二PMOS管(122)的栅极与运算放大器(130)的输出端(133)电连接,所述第二PMOS管(122)的栅极还与第一PMOS管(112)的栅极电连接;所述第二PMOS管(122)的源极与第二电压源(121)电连接;
第三电阻(123),与第二PMOS管(122)的漏极电连接;第四电阻(124),与第三电阻(123)串联;第二三极管(125),所述第二三极管(125)的集电极接地,所述第二三极管(125)的基极与第四电阻(124)电连接;第五电阻(126),一端与第二三极管(125)的发射极连接,另一端电连接于第二PMOS管(122)和第三电阻(123)之间的连接链路;所述运算放大器(130)的同相输入端(131)电连接于第三电阻(123)和第四电阻(124)之间的连接链路。4.根据权利要求3所述的带有启动电路的低压基准电压源电路,其特征在于,所述与非门(211)包括第一输入端(211a)、第二输入端(211b)和输出端(211c),所述第三MOS管电路(212)包括:第三电压源(212a);第三PMOS管(212b),所述第三PMOS管(212b)的源极与第三电压源(212a)电连接;第一NMOS管(212c),...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘辉,
申请(专利权)人:杭州雄迈集成电路技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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