一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法技术

本发明专利技术公开了一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，包括以下步骤：S2.1、控深锣：从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行控深锣；S2.2、激光烧灼：从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行激光烧灼，所需镂空区域被镂空成镂空区域；S2.3、等离子除胶：采用等离子除胶将所述铜柱上的黑色残留物质进行清除；S2.4、化学除胶：采用水平除胶将所述铜柱上的等离子除胶残留物质进行清洗。本发明专利技术的制作方法设计合理，（1）实现对铜柱下方的基材进行镂空的同时还可以不伤铜柱；（2）实现铜柱上没有残留，同时又不伤铜柱；（3）在品质方面：提升产品良率，提高产品核心竞争力；在效率方面：无需返工，提升产品竞争力。产品竞争力。产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法


[0001]本专利技术涉及5G通讯HDI板工艺
，尤其涉及一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法。

技术介绍

[0002]根据客户的样品需求，要制作如下图1所示的镂空铜柱工艺，该制作工艺难点在于：1、将铜柱（3）下方的HDI板（1）完全镂空，以形成镂空区域（2），并且不伤铜柱（3），而且铜柱（3）上不能有残留，同时又不能伤铜柱（3）；2、铜柱（3）的宽度200μm，厚度100μm，局部加厚铜工艺。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，以实现对铜柱下方的HDI板进行镂空。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案提供了一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，包括以下步骤：S2.1、控深锣：从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行控深锣；S2.2、激光烧灼：从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行激光烧灼，所需镂空区域被镂空成镂空区域；S2.3、等离子除胶：采用等离子除胶将所述铜柱上的黑色残留物质进行清除；S2.4、化学除胶：采用水平除胶将所述铜柱上的等离子除胶残留物质进行清洗。
[0005]进一步地，在所述步骤S2.4之后设有以下步骤：S2.5、超粗化：对所述HDI板进行超粗化；S2.6、阻焊：对所述HDI板进行阻焊工艺处理；S2.7、镍钯金：对所述HDI板进行镍钯金工艺处理。
[0006]进一步地，在所述步骤S2.6中，在进行阻焊工艺处理时：采用感光胶、77T网板将所述镂空区域遮盖，防止油墨进入所述镂空区域。
[0007]进一步地，所述HDI板的板厚为800
±
80um；在所述步骤S2.1中，在进行控深锣时产生的镂空深度为600
‑
700μm；在所述步骤S2.2中，在进行激光烧灼时所使用的激光发射器的光圈为1.1mm，在进行激光烧灼时所发射的激光次数包括三枪，在进行激光烧灼时所发射的三枪激光的脉冲宽度分别为12/6/5us，在进行激光烧灼时在所需镂空区域生成的镭射孔采用重叠设计。
[0008]进一步地，在所述步骤S2.1之前设有以下步骤：S1.1、外层线路蚀刻：对HDI板进行外层线路蚀刻；S1.2、整板沉铜、闪镀：对所述HDI板进行整板沉铜、闪镀；S1.3、超粗化微蚀：对所述HDI板进行超粗化微蚀，以增强干膜附着力；
S1.4、贴膜：使用贴膜机对所述HDI板进行贴干膜；S1.5、曝光、显影：对所述HDI板上的干膜进行曝光、显影，以使所述HDI板上的铜柱区域的干膜被显影掉；S1.6、铜柱区域电镀：对所述HDI板上的铜柱区域进行图形电镀，所述铜柱区域内形成铜柱；S1.7、退膜：退除所述HDI板上的干膜；S1.8、微蚀：对所述HDI板进行微蚀。
[0009]进一步地，所述步骤S1.4包括以下步骤：S1.41、真空贴膜：所述HDI板放置于真空贴膜机的内部，并使用真空贴膜机对所述HDI板进行贴干膜，所述干膜由真空贴膜机制作；S1.42、吸真空整平干膜：先将所述真空贴膜机的内部进行抽真空，以将所述HDI板上的线路之间的气体抽调，然后真空贴膜机对所述HDI板上的干膜进行软化、平压。
[0010]进一步地，在所述步骤S1.2中，整板沉铜的厚度≥0.5μm，闪镀的厚度为2
±
0.1μm；在所述步骤S1.3中，超粗化微蚀的深度为0.5
‑
1μm。
[0011]进一步地，在所述步骤S1.41中，所述干膜为厚度≥100um的超厚干膜，在进行贴干膜时干膜的温度设置为20
‑
25摄氏度；在所述步骤S1.42中，抽真空的持续时间为60
±
1s；平压的压力为0.6
±
0.005MPA，在平压时干膜的温度为40
±
1摄氏度，平压的持续时间60
±
1s。
[0012]进一步地，在所述步骤S1.5中，曝光后至少静置15min，然后显影；在所述步骤S1.6中，进行图形电镀时采用的电流密度为15asf以下。
[0013]进一步地，在所述步骤S1.8与所述步骤S2.1之间设有以下步骤：S1.9、AOI检查：对所述HDI板进行AOI检查，以检查所述HDI板上是否有渗镀残留。
[0014]综上所述，运用本专利技术的技术方案，具有如下的有益效果：本专利技术的制作方法设计合理，有益效果1：（1）由于控深锣精度容易伤铜，而采用镭射时，只要铜柱没有产生棕化，基本上对铜柱伤害较少，因此本专利技术通过控深锣、激光烧灼的配合，从而在实现对铜柱下方的基材进行镂空的同时还可以不伤铜柱；（2）虽然控深锣、激光烧灼可以初步将镂空区域的基材打干净，但是铜柱上会残留黑色碳化物质，这种黑色碳化物质为基材镭射后不完全燃烧产物，其会影响表面处理，因此本专利技术通过采用等离子除胶将剩余黑色残留物质全部清除，再通过水平除胶清洗等离子除胶残留物质，从而实现铜柱上没有残留，同时又不伤铜柱；（3）从而在品质方面：提升产品良率，提高产品核心竞争力；在效率方面：无需返工，提升产品竞争力。
[0015]有益效果2：通过依次进行外层线路蚀刻、整板沉铜、闪镀、超粗化微蚀、曝光、显影、铜柱区域电镀、退膜、微蚀，从而在HDI板上形成了铜柱、线路，从而实现了局部加厚铜工艺，从而为后续的镂空工艺提供了基础。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的制作方法所制作的HDI板的结构示意图；图2是本专利技术的制作方法的流程图。
[0017]附图标记说明：1
‑
HDI板，2
‑
镂空区域，3
‑
铜柱。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，但并不构成对本专利技术保护范围的限制。
[0019]在本专利技术中，为了更清楚的描述，作出如下说明：观察者面对附图1进行观察，观察者前方设为下，观察者后方设为上，应当指出文中的术语“前端”、“后端”、“左侧”“右侧”“中部”“上方”“下方”等指示方位或位置关系为基于附图所设的方位或位置关系，仅是为了便于清楚地描述本专利技术，而不是指示或暗示所指的结构或零部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于为了清楚或简化描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或数量。
[0020]参见图1、图2，本实施例提供一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，包括以下步骤：S2.1、控深锣：从HDI板1远离铜柱3的一侧对所需镂空区域进行控深锣；S2.2、激光烧灼：从HDI板1远离铜柱3的一侧对所需镂空区域进行激光烧灼，所需镂空区域被镂空成镂空区域2；S2.3、等离子除胶：采用等离子除胶将铜柱3上的黑色残留物质进行清除；作为优选，除胶时间设置20分钟；S2.4、化学除胶：采用水平除胶将铜柱3上的等离子除胶残留物质进行清洗。
[0021本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S2.1、控深锣：从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行控深锣；S2.2、激光烧灼：从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行激光烧灼，所需镂空区域被镂空成镂空区域；S2.3、等离子除胶：采用等离子除胶将所述铜柱上的黑色残留物质进行清除；S2.4、化学除胶：采用水平除胶将所述铜柱上的等离子除胶残留物质进行清洗。2.根据权利要求1所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，其特征在于：在所述步骤S2.4之后设有以下步骤：S2.5、超粗化：对所述HDI板进行超粗化；S2.6、阻焊：对所述HDI板进行阻焊工艺处理；S2.7、镍钯金：对所述HDI板进行镍钯金工艺处理。3.根据权利要求2所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，其特征在于：在所述步骤S2.6中，在进行阻焊工艺处理时：采用感光胶、77T网板将所述镂空区域遮盖，防止油墨进入所述镂空区域。4.根据权利要求1到3任一项所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，其特征在于：所述HDI板的板厚为800
±
80um；在所述步骤S2.1中，在进行控深锣时产生的镂空深度为600
‑
700μm；在所述步骤S2.2中，在进行激光烧灼时所使用的激光发射器的光圈为1.1mm，在进行激光烧灼时所发射的激光次数包括三枪，在进行激光烧灼时所发射的三枪激光的脉冲宽度分别为12/6/5us，在进行激光烧灼时在所需镂空区域生成的镭射孔采用重叠设计。5.根据权利要求1到3任一项所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法，其特征在于：在所述步骤S2.1之前设有以下步骤：S1.1、外层线路蚀刻：对HDI板进行外层线路蚀刻；S1.2、整板沉铜、闪镀：对所述HDI板进行整板沉铜、闪镀；S1.3、超粗化微蚀：对所述HDI板进行超粗化微蚀，以增强干膜附着力；S1.4、贴膜：使用贴膜机对所述HDI板进行贴干膜；S1.5、曝光、显影：对所述HDI板上的干膜进行曝光、显影，以使所述HDI板上的铜柱区域的干膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欣，邹铁钦，刘首锟，
申请(专利权)人：广东科翔电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：