晶体管制造方法、设备、计算机可读存储介质与程序产品技术

本发明专利技术公开了一种晶体管制造方法，包括：在外延片上热生长场氧化层后，多次进行导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结、源区PN结和截止区PN结，源区PN结与承压环PN结部分重叠；在场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在掺杂氧化层PSG开设源区接触孔和截止区接触孔；在掺杂氧化层PSG、源区接触孔和截止区接触孔淀积金属层，并去除源区接触孔对应的源极与截止区接触孔对应的场板之间的无效金属层。本发明专利技术还公开了晶体管制造设备、计算机可读存储介质、程序产品。本发明专利技术多次注入导电掺杂杂质，在外延片上形成导通性良好的承压环PN结、源区PN结和截止区PN结，且承压环PN结与源区PN结部分重叠，使得晶体管的高温特性稳定，高温漏电小。高温漏电小。高温漏电小。

【技术实现步骤摘要】
晶体管制造方法、设备、计算机可读存储介质与程序产品


[0001]本专利技术涉及晶体管
，尤其涉及晶体管制造方法、设备计算机可读存储介质与程序产品。

技术介绍

[0002]随着科学技术的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管(简称晶体管)作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其应用是非常广的，比如放大器就是晶体管的一个基础应用。
[0003]在实际应用中，晶体管的结构非常重要，良好的晶体管结构是设计上第一保障，是所有常规参数的基础要求。然而不管哪种晶体管的终端结构都在设计上十分复杂，如场板结构，就要求有多层台阶(多台阶是为了保持场板下的电场都是均匀分布)，同时对长度也有要求(场板长度太长或太短都会影响反压)；分压环结构，就要求对环宽、环间距(合理有效的环间距对反压有决定性影响)等参数有限制要求，且反压对环间距等设计尺寸十分敏感；结终端扩展结构，就要求对终端环注入剂量和环结深有明确的要求，一旦结深或注入剂量发生波动便会出现反压降低或反压漏电等严重影响；而VLD终端变掺杂终端结构又对变掺杂注入窗口尺寸、终端结与主结间距、注入剂量等参数有严格的限定要求，和结终端扩展终端一样，这些设计或工艺数据发生变化都会出现反压降低或反压漏电等不利影响；以上几大类终端都在设计尺寸或工艺参数上都有严格的限定范围且波动范围要求较小，但凡设计尺寸或工艺波动都会造成反压参数的严重降低或反压漏电成指数极增加而使产品失效。
[0004]因此，如何制造出合理设计尺寸的晶体管成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提出一种晶体管制造方法、设备、计算机可读存储介质与程序产品，旨在制造出合理结构的晶体管，以确保晶体管产品合格。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种晶体管制造方法，所述晶体管制造方法包括如下步骤：
[0007]在外延片上热生长场氧化层后，在所述场氧化层确定承压环注入掺杂窗口的第一位置，并基于所述第一位置，进行第一导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结；
[0008]在所述场氧化层确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，进行第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质的注入，以形成源区PN结和截止区PN结，所述源区PN结与所述承压环PN结部分重叠；
[0009]在所述场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在所述掺杂氧化层PSG确定源区接触孔的第四位置和截止区接触孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，开设源区接触孔和截止区接触孔；
[0010]在所述掺杂氧化层PSG、所述源区接触孔和所述截止区接触孔淀积金属层，并去除
所述源区接触孔对应的源极与所述截止区接触孔对应的场板之间的无效金属层。
[0011]优选地，所述在外延片上热生长场氧化层后，在所述场氧化层确定承压环注入掺杂窗口的第一位置，并基于所述第一位置，进行第一导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结的步骤包括：
[0012]在外延片热生长场氧化层后，在所述场氧化层上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第一预设掩模进行曝光、显影，以确定承压环注入掺杂窗口的第一位置；
[0013]基于所述第一位置，腐蚀承压环注入掺杂窗口对应的氧化层，并去除所述光刻胶；
[0014]在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，以形成承压环PN结。
[0015]优选地，所述在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，以形成承压环PN结的步骤包括：
[0016]在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，并基于预设温度和预设时间，对所述第一导电掺杂杂质进行高温扩散；
[0017]在承压环注入窗口上热生长预设厚度的第一屏蔽氧化层，以形成承压环PN结。
[0018]优选地，所述在所述场氧化层确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，进行第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质的注入，以形成源区PN结和截止区PN结，所述源区PN结与所述承压环PN结部分重叠的步骤包括：
[0019]在所述场氧化层上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第二预设掩模进行曝光、显影，以确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置；
[0020]基于所述第二位置和所述第三位置，腐蚀源区注入窗口对应的氧化层以及截止区注入窗口对应的氧化层，并分别在源区注入窗口和截止区注入窗口热生长预设厚度的第二屏蔽氧化层和第三屏蔽氧化层；
[0021]清除所述光刻胶，并分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质，以形成源区PN结和截止区PN结。
[0022]优选地，所述分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质，以形成源区PN结和截止区PN结的步骤包括：
[0023]分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第二导电掺杂杂质，并基于预设温度和预设时间，将所述第二导电掺杂杂质扩散到预设掺杂峰值深度；
[0024]分别在源区注入窗口和截止区注入窗口注入第一导电掺杂杂质，并基于预设温度和预设时间，对所述第一导电掺杂杂质进行高温扩散，以形成源区PN结和截止区PN结。
[0025]优选地，所述在所述场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在所述掺杂氧化层PSG确定源区接触孔的第四位置和截止区接触孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，开设源区接触孔和截止区接触孔的步骤包括：
[0026]在所述场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并基于预设温度和预设时间，以氧气氛围对所述掺杂氧化层PSG进行增密处理；
[0027]在所述掺杂氧化层PSG上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第三预设掩模进行曝光、显影，以确定源区接触孔的第四位置和截止区接触孔的第五位置；
[0028]基于所述第四位置和所述第五位置，分别腐蚀形成源区接触孔和截止区接触孔，并去除光刻胶。
[0029]优选地，所述在所述掺杂氧化层PSG、所述源区接触孔和所述截止区接触孔淀积金属层，并去除所述源区接触孔对应的源极与所述截止区接触孔对应的场板之间的无效金属层的步骤包括：
[0030]在所述掺杂氧化层PSG、所述源区接触孔和所述截止区接触孔淀积金属层，并在所述金属层涂布预设厚度的光刻胶；
[0031]基于第四预设掩模进行曝光、显影，以确定所述源区接触孔对应的源极与所述截止区接触孔对应的场板之间的无效区域；
[0032]腐蚀所述无效区域对应的无效金属层，并去除光刻胶。
[0033]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种晶体管制造设备，所述晶体管制造设备包括：存储器，用于存储可执行指令、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的晶体管制造程序，所述晶体管制造程序被所述处理器执行时实现如上所述的晶体管制造方法的步骤。
[0034]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管制造方法，其特征在于，所述晶体管制造方法包括如下步骤：在外延片上热生长场氧化层后，在所述场氧化层确定承压环注入掺杂窗口的第一位置，并基于所述第一位置，进行第一导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结；在所述场氧化层确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，进行第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质的注入，以形成源区PN结和截止区PN结，所述源区PN结与所述承压环PN结部分重叠；在所述场氧化层表面淀积掺杂氧化层PSG，并在所述掺杂氧化层PSG确定源区接触孔的第四位置和截止区接触孔的第五位置，并基于所述第四位置和所述第五位置，开设源区接触孔和截止区接触孔；在所述掺杂氧化层PSG、所述源区接触孔和所述截止区接触孔淀积金属层，并去除所述源区接触孔对应的源极与所述截止区接触孔对应的场板之间的无效金属层。2.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，在所述外延片上热生长场氧化层后，在所述场氧化层确定承压环注入掺杂窗口的第一位置，并基于所述第一位置，进行第一导电掺杂杂质的注入，以形成承压环PN结的步骤包括：在外延片热生长场氧化层后，在所述场氧化层上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第一预设掩模进行曝光、显影，以确定承压环注入掺杂窗口的第一位置；基于所述第一位置，腐蚀承压环注入掺杂窗口对应的氧化层，并去除所述光刻胶；在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，以形成承压环PN结。3.如权利要求2所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，以形成承压环PN结的步骤包括：在承压环注入掺杂窗口注入第一导电掺杂杂质，并基于预设温度和预设时间，对所述第一导电掺杂杂质进行高温扩散；在承压环注入窗口上热生长预设厚度的第一屏蔽氧化层，以形成承压环PN结。4.如权利要求1所述的晶体管制造方法，其特征在于，所述在所述场氧化层确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置，并基于所述第二位置和所述第三位置，进行第一导电掺杂杂质与第二导电掺杂杂质的注入，以形成源区PN结和截止区PN结，所述源区PN结与所述承压环PN结部分重叠的步骤包括：在所述场氧化层上涂布预设厚度的光刻胶，并基于第二预设掩模进行曝光、显影，以确定源区注入窗口的第二位置和截止区注入窗口的第三位置；基于所述第二位置和所述第三位置，腐蚀源区注入窗口对应的氧化层以及截止区注入窗口对应的氧化层，并分别在源区注入窗口和截止区注入窗口热生长预设厚度的第二屏蔽氧化层和第三屏蔽氧化层；清除所述光刻胶，并分别在源...

【专利技术属性】
技术研发人员：李青春，
申请(专利权)人：深圳铨力半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：