有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种有机半导体单晶膜，其能够配置于期望的基板上，且具有比以往薄的膜厚。本发明专利技术涉及一种有机半导体器件，其包含基板以及上述基板上的有机半导体单晶膜，上述有机半导体单晶膜的平均膜厚为2～100nm，上述基板的与上述有机半导体单晶膜相接的面的至少一部分为接触角80度以上的疏水性、溶剂溶解性、非耐热性或它们的组合。耐热性或它们的组合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]近年，对有机半导体的关注提高。作为有机半导体的特征，与以往的非晶硅及、多晶硅的无机半导体不同，可举出柔软性优异、能够通过辊对辊(roll to roll)工艺经济地进行大面积化等，正在研究有机半导体作为柱硅半导体在下一代电子器件中的应用。
[0003]特别是已知，通过在氟系高分子绝缘膜这类疏水性基板上形成有机半导体单晶膜，可制作特性良好的有机半导体器件。
[0004]另外，作为有机半导体器件的制造方法，以往使用涂布法、气相生长法(PVT：Physical Vapor Transport)等成膜方法(专利文献1，非专利文献1)，特别是，通过在成膜方法中使用涂布法，可期待材料的使用效率提高、大幅的成本降低。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
‑
185620号公报非专利文献
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机半导体器件，其特征在于，包含：基板、以及所述基板上的有机半导体单晶膜，所述有机半导体单晶膜的平均膜厚为2～100nm，所述基板的与所述有机半导体单晶膜相接的面的至少一部分为疏水性、溶剂溶解性、非耐热性或它们的组合。2.根据权利要求1所述的有机半导体器件，其中，所述有机半导体单晶膜的面积为2mm2以上。3.一种有机半导体单晶膜的制造方法，其特征在于，包含：使用涂布法，在亲水性且非水溶性的第一基板上形成平均膜厚为2～100nm的有机半导体单晶膜的工序；以及在所述第一基板和所述有机半导体单晶膜的界面应用水，使所述有机半导体单晶膜从所述第一基板分离的工序。4.根据权利要求3所述的有机半导体单晶膜的制造方法，其中，所述有机半导体单晶膜的面积为2mm2以上。5.根据权利要求3或4所述的有机半导体单晶膜的制造方法，其中，所述第一基板的接触角小于所述有机半导体单晶膜的接触角，所述第一基板和所述有机半导体单晶膜的接触角之差为80度以上。6.根据权利要求3～5中任一项所述的有机半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹谷纯一，渡边峻一郎，佐佐木真理，牧田龙幸，
申请(专利权)人：国立大学法人东京大学，
类型：发明
国别省市：