本发明专利技术揭示一种使用在电视机与电子设备的显示部的液晶显示装置，其目的在于提供视野角度宽广且视角特性优异的液晶显示装置。本发明专利技术利用电容耦合ＨＴ法改善低灰度侧的视角特性（▲记号）。利用驱动ＨＴ法改善从中灰度到高灰度侧的视角特性（■记号）。将电容耦合ＨＴ法与驱动ＨＴ法加以组合以驱动液晶，以此使两种ＨＴ法的改善效果相加，液晶显示装置的视角特性在从低灰度到高灰度的广大范围得到提高（○记号）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用在电视机及电子设备的显示部的液晶显示装置。
技术介绍
图22A与图22B表示MVA(Mult—domain Vertical Alignment;多领域垂直 排列)方式的垂直取向型液晶显示面板的结构的一个例子。图22A示意性表示 液晶显示面板101的剖面结构。图22B表示在法线方向上看见显示画面的MVA 方式的液晶显示面板101的像素的结构。如图22A及图22B所示，液晶显示面 板101具有形成薄膜晶体管(Thin Film Transistor: TFT)110等的TFT基板102、 以及形成共用电极与滤色片(CF)层(未图示)的对向基板103。两块基板102、 103 用周边密封材料105贴合。又，在两块基板102、 103间密封液晶层104。 TFT 基板102与对向基板103之间的空隙(单元间隙)以衬垫106维持规定的间隔。 该单元间隙有时利用突起状衬垫取代衬垫106，维持规定的间隙。在TFT基板 102和与对向基板103的对向侧的相反侧的面上，分别将偏振板107配置于例 如交叉尼科耳棱镜上。又，在TFT基板102上形成安装液晶驱动用IC(未图示) 的安装用端子108。如图22B所示，TFT基板102具有在图中的左右方向上延伸形成的栅极总 线112、以及在栅极总线112上隔着绝缘膜交叉，在图中上下方向上延伸形成 的漏极总线111。在两总线111、112的交叉位置近旁形成像素驱动用的TFT110。 栅极总线112的一部分作为TFT110的栅极电极发挥作用。TFT110的漏极电极 (D)电气连接在漏极总线111。 TFT110的源极电极(S)电气连接在两总线111、 112划定的像素区域上形成的像素电极109。形成横过像素区域，与栅极总线 112并列延伸的贮存电容总线117。贮存电容总线117上隔着绝缘膜在每个像 素上形成贮存电容电极(中间电极)116。利用贮存电容总线117、贮存电容电极 116以及在夹在其间的绝缘膜形成贮存电容Cs。在像素电极109上形成穿出电极材料的缝隙114。在对向基板103侧形成线 状突起115。缝隙114及线状突起115作为限制在施加电压时液晶层104的液 晶分子(未图示)倾倒下的方向的取向限制用构件起作用。像素区域内利用缝隙 114及线状突起115划分区域，使液晶分子倒向四个方向。由于液晶103倒向 四个方向，与只倾倒向一个方向的液晶显示装置相比，使视角的偏向平均化。 借助于此，视角特性大幅度改善。这样的技术被称为取向分割技术。图23A 图23C示意性表示使用取向分割技术的MVA方式的液晶显示装置 的剖面结构。图23A表示液晶层104不施加电压的状态。在图23和23C表示 液晶层104上施加电压的状态。在图23A及23B中，作为取向限制用构件的线 状突起115形成在按次序形成共用电极118及垂直配向膜119的对向基板103 与形成像素电极109的TFT基板102的两块基板上。图23C中，作为取向限制 用构件的缝隙114仅设于TFT基板102侧。但也有仅在一方的基板上设线状突 起115的情况(未图示)。如图23A所示，在不施加电压时，液晶分子120在TFT基板102的基板面 上实质上垂直取向。当在两块基板102、 103间施加电压时，如图23B所示， 按照线状突起115的形状决定液晶分子120倾倒的方向。又如图23C所示，在 形成缝隙114的结构中，当在两块基板102、 103间施加电压时，也由在液晶 层104上产生的电场的效应，决定了液晶分子120倾倒的方向。又已经知道有 在两块基板102、 103的一方上形成线状突起115 (未图示)，在另一方基板上 形成缝隙114的液晶显示面板，该结构在当前的MVA方式的液晶显示装置中 使用得最多。专利文献l:日本特开平2—12号公报专利文献2:美国专利第4840460号说明书专利文献3:日本特许第3076938号公报专利文献4:日本特开2002 — 333870号公报图24表示VA(Vertically Aligned)方式的液晶显示装置的透射率特性与施加 电压关系(T一V特性)的曲线图。横轴表示对液晶层施加的电压V，纵轴表示 光的透射率。连结图中參记号的曲线A表示与显示画面垂直的方向(以下称为 "正面方向")上的T一V特性，连结图中*记号的曲线B表示相对于显示画面 在方位角90。、极角60°的方向(以下称为"斜方向")的T一V特性。在这里， 方位角采用以显示画面的右方向作为基准在逆时针旋转方向上计算的角度。又，极角是与显示画面中心竖立的垂线形成的角。如图24所示，在圆C围绕的区域近旁，在透射率(辉度)变化曲线上发生变形。例如，在施加电压约2.5V的比较低的灰度中形成斜方向的透射率比正面方 向的透射率更高的情况，但在施加电压约4.5V的比较高的灰度中形成斜方向的 透射率比正面方向的透射率更低的情况。其结果是，在从斜方向看的情况下有 效驱动电压范围中的辉度差变得小。该现象在颜色的变化上表现得最显著。图25A及图25B表示显示画面上显示的图像的能看见的变化。图25表示从 正面方向看的图像、图25B表示从斜方向看的图像。如图25A及图25B所示， 从斜方向看显示画面时，与从正面方向看时相比图像的颜色偏白。图26A 图26C表示偏红色的图像的红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色的灰度直 方图。图26A表示R的灰度直方图，图26B表示G的灰度直方图，图26C表 示B的灰度直方图。图26A C的横轴表示灰度(0 255的256个灰度)，纵轴 表示丰度比(％)。如图26A C所示，在该图像中，比较高的灰度R与比较低 的灰度G及B以高丰度比存在。将这样的图像在VA方式的液晶显示装置的显 示画面上显示，从斜方向看时，高灰度的R相对变暗，低灰度的G及B相对 变亮。因此三原色的辉度差变得小，所以作为画面整体颜色变得偏白。这样，MVA方式或VA方式的液晶显示装置在正面方向的视野角特性优异。 但是，液晶显示装置在从斜方向看时画面整体颜色变得偏白，具有视野特性不 够的问题。又，上述现象在作为已有型号的驱动方式的TN(TwistedNematic)方 式的液晶显示装置中也同样发生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种视野宽广且视角特性优异的液晶显示装置。 为达到上述目的，本专利技术的液晶显示装置，具有封存于对向配置的一对基板 间的液晶；在所述对向基板的一方矩阵状配置的多个像素；在所述每个像素中 形成的薄膜晶体管；将以比对应于输入图像数据的灰度值的规定辉度更高的辉 度驱动所述像素的高灰度帧与以比所述规定的辉度低的辉度驱动所述像素的 低辉度帧加以组合，决定所述高辉度帧中的所述像素的辉度(明辉度)和所述低 辉度帧中的所述像素的辉度(暗辉度)，以及所述高辉度帧与所述低辉度帧的存 在比例，以便得到与所述规定辉度实质上相等的辉度的图像处理部；所述像素 内形成的第1副像素；以及从和所述第1副像素分开形成在所述像素内的所述第1副像素得到的每单位面积的低辉度的辉度的第2副像素。采用本专利技术，则能够实现具有视角宽广且视角特性优异的液晶显示装置。附图说明图1表示本专利技术第1实施形态的液晶显示装置的结构的图。图2表示作为本专利技术第1实施形态的液晶显示装置，在电容本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置，其特征在于，具有封存于对向配置的一对基板间的液晶；在所述一对基板的一方上相互并列形成的多条栅极总线；在所述多条栅极总线上隔着绝缘膜交叉形成的多条漏极总线；具备设在所述两总线的每一交叉部、电气 连接在所述栅极总线的栅极电极、电气连接在所述漏极总线的漏极电极、以及在所述栅极电极上与漏极电极保持规定的间隙相对配置的源极电极的薄膜晶体管；以及具备第１像素电极与第２像素电极的面积比不同的多个像素的像素群，所述第１像素电极通过控制电 极电气连接在所述源极电极，所述第２像素电极与所述第１像素电极分离并在与所述控制电极之间夹着绝缘膜形成规定的电容。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：鎌田豪，仲西洋平，上田一也，吉田秀史，津田英昭，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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