目的在于提供能够针对半导体装置在维持产品的加工性的同时实现散热性的提高的技术。半导体装置(100)具有：功率芯片(2a～2f)；控制芯片(1a、1b)，它们对功率芯片进行控制；功率侧端子(6)，其与功率芯片连接；控制侧端子(5)，其与控制芯片连接；以及模塑树脂(8)，其将功率芯片、控制芯片、功率侧端子的一端侧以及控制侧端子的一端侧覆盖。功率侧端子的另一端侧以及控制侧端子的另一端侧从模塑树脂(8)的侧面向水平方向凸出，并且在中途部向下方弯曲。仅在功率侧端子以及控制侧端子中的功率侧端子的另一端侧形成有从向下方弯曲的部分向接近或者远离模塑树脂(8)的方向凸出的散热部(10)。者远离模塑树脂(8)的方向凸出的散热部(10)。者远离模塑树脂(8)的方向凸出的散热部(10)。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0002]半导体装置具有：功率芯片，其配置于引线框之上；控制芯片，其对功率芯片进行控制；模塑树脂，其将功率芯片以及控制芯片覆盖；以及端子，其从模塑树脂凸出并且与安装半导体装置的基板连接。由于功率芯片的发热，热量经由端子传递至基板，基板的温度上升成为问题。
[0003]通常，端子的剖面呈长方形，例如在专利文献1中公开了在从模塑封装体露出的安装端子形成用引线的两侧缘设置有凸部的构造。由此，能够对从安装端子向模塑封装体传递的热量进行散热，因此能够抑制模塑封装体内的内置电子部件受到的热冲击。
[0004]专利文献1：日本特开2006
‑
80180号公报
[0005]但是，在专利文献1所记载的技术中，在与功率芯片连接的功率侧端子和与控制芯片连接的控制侧端子这两者设置有凸部。由于两侧的端子数量、端子间距以及端子宽度等不同，因此，特别是在端子的宽度微小的控制侧端子处加工性的变差成为问题。
技术实现思路
[0006]因此，本专利技术的目的在于提供一种能够针对半导体装置在维持产品的加工性的同时实现散热性的提高的技术。
[0007]本专利技术所涉及的半导体装置具有：功率芯片；控制芯片，其对所述功率芯片进行控制；功率侧端子，其与所述功率芯片连接；控制侧端子，其与所述控制芯片连接；以及模塑树脂，其将所述功率芯片、所述控制芯片、所述功率侧端子的一端侧以及所述控制侧端子的一端侧覆盖，所述功率侧端子的另一端侧以及所述控制侧端子的另一端侧从所述模塑树脂的侧面向水平方向凸出并且在中途部向下方弯曲，仅在所述功率侧端子以及所述控制侧端子中的所述功率侧端子的另一端侧形成有从向下方弯曲的部分向接近或者远离所述模塑树脂的方向凸出的散热部。
[0008]专利技术的效果
[0009]根据本专利技术，能够针对半导体装置在维持产品的加工性的同时提高散热性。
附图说明
[0010]图1是实施方式1所涉及的半导体装置的内部结构图。
[0011]图2是表示将半导体装置上下颠倒后的状态的侧视图。
[0012]图3是半导体装置的电路图。
[0013]图4是功率侧端子以及其周边的放大斜视图。
[0014]图5示出功率侧端子的制造方法，是功率侧端子以及其周边的放大斜视图。
[0015]图6示出控制侧端子的制造方法，是控制侧端子以及其周边的放大斜视图。
[0016]图7是实施方式2所涉及的半导体装置所具有的功率侧端子以及其周边的放大主视图。
[0017]图8是实施方式3所涉及的半导体装置所具有的功率侧端子以及其周边的放大主视图。
具体实施方式
[0018]<实施方式1>
[0019]下面，使用附图对实施方式1进行说明。图1是实施方式1所涉及的半导体装置100的内部结构图。图2是表示将半导体装置100上下颠倒后的状态的侧视图。图3是半导体装置100的电路图。
[0020]如图1所示，半导体装置100具有绝缘片3、引线框4a～4f、功率芯片2a～2f、控制芯片1a、1b以及模塑树脂8。
[0021]绝缘片3是金属箔或者金属板与绝缘树脂紧贴而成的片，由绝缘性以及导热性优异的材料形成。在绝缘片3的上表面配置有引线框4c～4f。功率芯片2a～2c搭载于引线框4c的上表面。功率芯片2a～2c是被施加高电压的高压功率芯片。功率芯片2d～2f分别搭载于引线框4d～4f的上表面。功率芯片2d～2f是被施加的电压低于高压功率芯片的低压功率芯片。
[0022]引线框4a、4b配置于绝缘片3的外侧。控制芯片1a、1b分别搭载于引线框4a、4b的上表面。控制芯片1a是对高电压侧的功率芯片2a～2c进行控制的所谓HVIC(高电压集成电路：High Voltage Integrated Circuit)。控制芯片1b是对低电压侧的功率芯片2d～2f进行控制的所谓LVIC(低电压集成电路：Low Voltage Integrated Circuit)。
[0023]如图1和图3所示，各功率芯片2a～2f具有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)以及FWD(Free Wheeling Diode)。控制芯片1a与功率芯片2a～2c之间、控制芯片1b与功率芯片2d～2f之间、以及IGBT与FWD之间通过导线连接。
[0024]引线框4a、4b形成分别与控制芯片1a、1b连接的控制侧端子5的一部分，并且与控制侧端子5的剩余部分连接。引线框4c～4f形成与功率芯片2a～2f连接的功率侧端子6的一部分，并且与该功率侧端子6的剩余部分连接。功率侧端子6具有多个相的输出端子、正极端子以及负极端子。
[0025]模塑树脂8将功率芯片2a～2f、控制芯片1a、1b、功率侧端子6的一端侧以及控制侧端子5的一端侧覆盖。另外，如图1和图2所示，功率侧端子6的另一端侧以及控制侧端子5的另一端侧从模塑树脂8露出。此外，将模塑树脂8兼具绝缘片3的作用的半导体装置称为全模塑型，全模塑型的半导体装置不具有绝缘片3。
[0026]下面，使用图4说明作为实施方式1的特征的功率侧端子6的构造。图4是功率侧端子6以及其周边的放大斜视图。
[0027]如图4所示，功率侧端子6的另一端侧呈从模塑树脂8的侧面沿水平方向凸出并且在中途部向下方弯曲的形状。即，功率侧端子6的另一端侧在主视图中呈L字状。另外，虽然未示出，但控制侧端子5的另一端侧也呈从模塑树脂8的侧面沿水平方向凸出并且在中途部向下弯曲的形状。即，控制侧端子5的另一端侧在主视图中呈L字状。
[0028]为了维持产品的加工性并且提高散热性，仅在功率侧端子6以及控制侧端子5中的
功率侧端子6的另一端侧形成有一对散热部10。一对散热部10在主视图中呈矩形，形成于功率侧端子6的另一端侧的向下方弯曲的部分的上部。另外，一对散热部10从功率侧端子6的另一端侧的向下方弯曲的部分的宽度方向两端部向模塑树脂8的宽度方向即远离模塑树脂8的方向凸出。
[0029]此外，一对散热部10也可以不是向远离模塑树脂8的方向凸出，而是向接近模塑树脂8的方向凸出。另外，一对散热部10也可以仅形成于功率侧端子6中的在向半导体装置100连接了通过三相交流电力进行动作的设备的情况下特别担心温度上升的正极端子的另一端侧或者负极端子的另一端侧。
[0030]下面，使用图5(a)～(c)说明功率侧端子6的制造方法。图5(a)～(c)示出功率侧端子6的制造方法，是功率侧端子6以及其周边的放大斜视图。
[0031]如图5(a)所示，功率侧端子6的另一端侧形成为具有凸出部10a，该凸出部10a在水平方向上延伸并且从功率侧端子6的宽度方向两端向宽度方向凸出。首先，以将功率芯片2a～2f、控制芯片1a、1b、功率侧端子6的一端侧以及控制侧端子5的一端侧覆盖的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：功率芯片；控制芯片，其对所述功率芯片进行控制；功率侧端子，其与所述功率芯片连接；控制侧端子，其与所述控制芯片连接；以及模塑树脂，其将所述功率芯片、所述控制芯片、所述功率侧端子的一端侧以及所述控制侧端子的一端侧覆盖，所述功率侧端子的另一端侧以及所述控制侧端子的另一端侧从所述模塑树脂的侧面向水平方向凸出并且在中途部向下方弯曲，仅在所述功率侧端子以及所述控制侧端子中的所述功率侧端子的另一端侧形成有从向下方弯曲的部分向接近或者远离所述模塑树脂的方向凸出的散热部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述功率侧端子包含正极端子以及负极端子，所述散热部形成于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王翔太，关根敏孝，中村宏之，川原一浩，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。