具有电容器连接的重布的集成存储器及形成集成存储器的方法技术

本申请案涉及具有电容器连接的重布的集成存储器及形成集成存储器的方法。一些实施例包含集成组合件。所述集成组合件包含各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域的有源区域。所述电容器接触区域经布置成一图案使得六个邻近电容器接触区域形成基本上矩形配置。导电重布材料与所述电容器接触区域耦合且从所述电容器接触区域向上且横向向外延伸。所述导电重布材料的上表面经布置成一图案使得所述上表面的七个邻近者形成基本上六边形密堆积配置的单元。电容器与所述导电重布材料的所述上表面耦合。的所述上表面耦合。的所述上表面耦合。

【技术实现步骤摘要】
具有电容器连接的重布的集成存储器及形成集成存储器的方法


[0001]集成组合件。集成存储器(例如DRAM)。具有电容器连接的重布的集成存储器。形成集成存储器的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路系统，且在计算机系统中用于存储数据。实例存储器是DRAM(动态随机存取存储器)。DRAM单元可各自包括与电容器组合的晶体管。DRAM单元可经布置成阵列；其中字线沿着阵列的行延伸，且数字线沿着阵列的列延伸。字线可与存储器单元的晶体管耦合。每一存储器单元可通过字线中的一者与数字线中的一者的组合唯一地寻址。
[0003]高填密电容器随着集成度增加变得越来越重要。期望开发实现DRAM阵列的电容器的高填密的架构及开发用于制造此类架构的方法。

技术实现思路

[0004]一些实施例包含一种集成组合件。所述集成组合件包含各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域的有源区域。所述电容器接触区域经布置成一图案使得六个邻近电容器接触区域形成基本上矩形配置。导电重布材料与所述电容器接触区域耦合且从所述电容器接触区域向上且横向向外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成组合件，其包括：有源区域，其各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域，所述电容器接触区域经布置成一图案使得六个邻近电容器接触区域形成基本上矩形配置；导电重布材料，其与所述电容器接触区域耦合且从所述电容器接触区域向上且横向向外延伸；所述导电重布材料的上表面经布置成一图案使得所述上表面的七个邻近者形成基本上六边形密堆积配置的单元；及电容器，其与所述导电重布材料的所述上表面耦合。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述电容器接触区域经布置成一阵列；所述阵列具有交替的第一行及第二行；所述导电重布材料沿着所述第一行具有第一配置，其中所述第一配置基本上沿着所述第一行在第一方向上从所述第一行的所述电容器接触区域横向向外延伸；且所述导电重布材料沿着所述第二行具有第二配置，其中所述第二配置基本上沿着所述第二行在第二方向上从所述第二行的所述电容器接触区域横向向外延伸；所述第二方向与所述第一方向基本上相反。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述有源区域是半导体材料支柱；所述支柱中的每一者具有在其中延伸的两个沟槽，其中所述两个沟槽是第一沟槽及第二沟槽；所述支柱中的每一者具有所述电容器接触区域的两者及所述数字线接触区域的一者，其中所述两个电容器接触区域是第一电容器接触区域及第二电容器接触区域；第一字线在所述第一沟槽内且门控地将所述第一电容器接触区域耦合到所述数字线接触区域；且第二字线在所述第二沟槽内且门控地将所述第二电容器接触区域耦合到所述数字线接触区域。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述数字线接触区域经布置成一阵列；数字线是沿着所述阵列的列且在所述数字线接触区域之上；且所述导电重布材料在所述数字线上方且与所述数字线部分横向重叠。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电重布材料包括金属。6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电重布材料包括钴、钨及钛中的一或多者。7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述导电重布材料包括金属硅化物之上的金属。8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述金属基本上由钨及钛中的一者或两者组成；且其中所述金属硅化物包括一或多个硅化钴、硅化钨及硅化钛。9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述导电重布材料进一步包括横向沿着所述金属的金属氮化物。10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述金属氮化物包括氮化钛及氮化钨中的
一者或两者。11.一种集成组合件，其包括：半导体材料支柱，其各自在一对电容器接触区域之间具有数字线接触区域；所述电容器接触区域经布置成一阵列，其中所述阵列具有交替的第一行及第二行；导电重布材料，其与所述电容器接触区域耦合；所述导电重布材料沿着所述第一行具有第一配置，其中所述第一配置基本上沿着所述第一行在第一方向上从所述第一行的所述电容器接触区域横向向外延伸；所述导电重布材料沿着所述第二行具有第二配置，其中所述第二配置基本上沿着所述第二行在第二方向上从所述第二行的所述电容器接触区域横向向外延伸；所述第二方向与所述第一方向基本上相反；所述导电重布材料具有上表面；及电容器，其与所述导电重布材料的所述上表面耦合。12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中：数字线沿着所述阵列的列且在所述数字线接触区域之上；且所述导电重布材料在所述数字线上方且与所述数字线部分横向重叠。13.根据权利要求11所述的集成组合件，其中：所述数字线接触区域沿着沿所述第一行的横截面与所述电容器接触区域间隔；数字线沿着所述横截面直接在所述数字线接触区域之上；导电插塞沿着所述横截面直接在所述电容器接触区域之上；绝缘块在所述导电插塞及所述数字线之上；且所述导电重布材料向下延伸穿过所述绝缘块且延伸到所述导电插塞中。14.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述导电插塞包括导电掺杂半导体材料。15.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述导电插塞包括导电掺杂硅。16.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述导电重布材料经配置为沿着所述横截面的靴形结构，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨广军，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：