【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其形成方法。
技术介绍
[0002]随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称DRAM)属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案。
[0003]通常，动态随机存取存储器是由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。
[0004]然而，现有的动态随机存取存储器仍存在诸多问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，能够有效提升动态随机存储存储器的集成度。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种动态随机存取存储器，包括：衬底，所述衬底包括若干沿第一方向平行排列的沟道柱区，所述沟道柱区包括若...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括若干沿第一方向平行排列的沟道柱区，所述沟道柱区包括若干第一沟道柱和若干第二沟道柱，若干所述第一沟道柱和若干所述第二沟道柱沿第二方向间隔排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一沟道柱和所述第二沟道柱的延伸方向与所述衬底表面垂直，每个所述沟道柱区中的若干所述第一沟道柱具有平行于第二方向的第一中轴线，每个所述沟道柱区中的若干所述第二沟道柱具有平行于第二方向的第二中轴线，且所述第一中轴线与所述第二中轴线不重合；位于所述第一沟道柱和所述第二沟道柱的表面的栅极氧化层；位于所述衬底上的若干平行于所述第二方向的字线，每个所述字线环绕覆盖一个所述沟道柱区中的若干所述第一沟道柱和若干所述第二沟道柱表面的所述栅极氧化层；分别位于衬底相对两面上的电容层和位线层，所述电容层包括若干电容结构，所述位线层包括若干位线。2.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，在平行于所述第一方向上，所述第一中轴线和所述第二中轴线之间的间距为5nm～50nm。3.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线的材料包括导电材料，所述导电材料包括：钨、氮化钛、铜、铝、锰、银和多晶硅中的一种或多种。4.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述衬底包括相对的第一面和第二面；所述动态随机存取存储器还包括：位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖第一沟道柱和所述第二沟道柱的侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述衬底的第一面。5.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一沟道柱的第一面内和所述第二沟道柱的第一面内的第一源漏掺杂区；位于所述第一沟道柱的第二面内和所述第二沟道柱的第二面内的第二源漏掺杂区。6.如权利要求5所述动态随机存取存储器，其特征在于，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂区电连接；所述位线平行于所述第一方向，且所述位线与若干所述沟道柱区的每个所述第一沟道柱内的所述第二源漏掺杂区电连接，或者所述位线与若干所述沟道柱区中的每个所述第二沟道柱内的所述第二源漏掺杂区电连接。7.如权利要求6所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂区上的第一导电插塞，每个所述电容结构与一个所述第一导电插塞电连接。8.如权利要求6所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第二源漏掺杂区上的第二导电插塞，所述位线与若干所述沟道柱区中的每个所述第一沟道柱上的所述第二导电插塞电连接，或者所述位线与若干所述沟道柱区中的每个所述第二沟道柱上的所述第二导电插塞电连接。9.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述电容结构包括：上极板、下极板、以及位于所述上极板和所述下极板之间的介电层。10.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括若干沿第一方向平行排列的沟道柱区，所述沟道柱区包括若干第一沟道柱和若干第二沟道柱，若干所述第一沟道柱和若干所述第二沟道柱沿第二方向间隔排列，...
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