用于气相沉积的掩膜版及掩膜版组制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于气相沉积的掩膜版及掩膜版组，包括：基板，具有相对设置的两个长边及两个宽边；若干个贯穿基板的第一穿透缝及第二穿透缝，第一穿透缝自第一长边开始沿宽边方向延伸，第二穿透缝自第二长边开始沿宽边方向延伸，第一穿透缝与第二穿透缝平行且等间隔设置，其中，第一穿透缝及第二穿透缝与长边之间的锐角介于60

【技术实现步骤摘要】
用于气相沉积的掩膜版及掩膜版组


[0001]本技术属于气相沉积镀膜
，特别是涉及一种用于气相沉积的掩膜版及掩膜版组。

技术介绍

[0002]气相沉积是指气体或蒸汽在基质表面反应或结合形成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业以及光伏行业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：一种或两种以上的原材料升华气化通过掩膜板的质量和热量的路径调整，均匀的沉积到基质表面，形成膜层或者其他材料。
[0003]随着现在的工业化需求，蒸发源以及需要制备的膜层越来越大，快速均匀的制膜需求越来越迫切，蒸发源越大，制备速度越高，但是这会导致制备膜层的均一性比较差。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种用于气相沉积的掩膜版及掩膜版组，用于解决现有技术中随着蒸发源以及需要制备的膜层越来越大，制备速度越来越高，但会导致制备的膜层的均一性较差等的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于气相沉积的掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于气相沉积的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：基板，具有相对设置的两个长边及两个宽边，两个所述长边为第一长边及第二长边；若干个贯穿所述基板的第一穿透缝及第二穿透缝，所述第一穿透缝自所述第一长边开始沿所述宽边的方向延伸，所述第二穿透缝自所述第二长边开始沿所述宽边的方向延伸，所述第一穿透缝与所述第二穿透缝平行且等间隔设置，其中，所述第一穿透缝及所述第二穿透缝与所述长边之间的锐角介于60
°
～85
°
之间。2.根据权利要求1所述的用于气相沉积的掩膜版，其特征在于：所述第一穿透缝及所述第二穿透缝的缝宽介于0.5mm～5mm之间，所述第一穿透缝及所述第二穿透缝沿所述宽边的方向的投影长度介于所述宽边的长度的60％～90％之间。3.根据权利要求2所述的用于气相沉积的掩膜版，其特征在于：所述第一穿透缝及所述第二穿透缝的缝宽均匀。4.根据权利要求2所述的用于气相沉积的掩膜版，其特征在于：所述第一穿透缝及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，马立云，殷新建，陈瑛，周显华，樊中军，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：新型
国别省市：