一种等离子体处理装置制造方法及图纸

一种等离子体处理装置，包括：反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板，所述等离子体通道板包括：等离子体通道板主体；环绕所述等离子体通道板主体的侧部的通道板定位件；位于所述通道板定位件和所述反应腔主体的顶壁之间的导电导热环；位于所述等离子体通道板主体上方的等离子体发生单元。所述等离子体处理装置能够避免等离子体通道板在高温条件下损伤以及等离子体通道板接地不良的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置


[0001]本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，等离子体反应常被用于半导体晶圆及其它基片的化学物理沉积、刻蚀以及光刻胶灰化去除等，常用的等离子体源包括ICP、CCP以及微波等产生方式。对于光刻胶灰化去除工艺，通常经过下述几个过程：1）将光刻胶旋涂到半导体衬底上；2）有针对性地将光刻胶层暴露在光线中进行显影，在半导体衬底的顶部形成特定的光刻胶图案，即部分待处理的半导体衬底暴露出来；3）刻蚀或者高剂量离子注入到半导体衬底的暴露部分；4）去除刻蚀或者高剂量离子注入过程中起到掩膜作用的光刻胶，即我们说的光刻胶灰化去除工艺。典型地，光刻胶灰化去除工艺包括两种类型：刻蚀过程结束后的光刻胶掩膜去除；高剂量离子注入过程结束后的光刻胶掩膜去除。对于光刻胶灰化去除工艺，通常不希望等离子体中的高能离子与光刻胶进行直接作用，而是期望通过等离子体中的化学活性自由基中间体与光刻胶之间产生高温化学反应。
[0003]一般地，光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板，所述等离子体通道板包括：等离子体通道板主体；环绕所述等离子体通道板主体的侧部的通道板定位件；位于所述通道板定位件和所述反应腔主体的顶壁之间的导电导热环；位于所述等离子体通道板主体上方的等离子体发生单元。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环的表面硬度小于所述通道板定位件的硬度。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环为石墨导电导热环。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环包括导电导热环主体、位于所述导电导热环主体顶部的第一膜层、位于导电导热环主体底部的第二膜层；第一膜层、导电导热环主体以及第二膜层沿着导电导热环主体的中心轴排布；所述第一膜层与所述通道板定位件接触，所述第二膜层与反应腔主体的顶壁接触；所述导电导热环主体的硬度大于第一膜层和第二膜层的硬度，第一膜层和第二膜层的硬度小于所述通道板定位件的硬度。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇，吴堃，张鹏兵，陈世名，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：