形成具有低加工损伤的高碳含量可流动电介质膜制造技术

一种制造电介质膜的方法，包括在衬底上沉积第一前体。所述第一前体包括包含六元环的环状碳硅氧烷基。所述方法还包括在所述衬底上沉积第二前体。所述第一前体与所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳与氢。所述方法还包括将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成具有低加工损伤的高碳含量可流动电介质膜


[0001]本专利技术一般涉及半导体器件的制造方法和所得结构。更具体地说，本专利技术涉及以低加工损伤形成的高碳含量可流动电介质膜的制造方法和所得结构。

技术介绍

[0002]电子器件中的集成电路涉及半导体器件制造。一系列光刻和化学处理步骤在半导体晶片上产生电子电路。半导体晶片经受前段制程(FEOL)处理和后段制程(BEOL)处理。FEOL处理包括直接在硅中形成晶体管。BEOL处理包括互连各个半导体器件以形成电路。特别地，创建了由绝缘层隔离的互连金属线。绝缘介电材料例如是二氧化硅或低介电常数(k)材料。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例涉及一种用于制造电介质膜的方法。该方法的非限制性实例包括在衬底上沉积第一前体。所述第一前体包括包含六元环的环状碳硅氧烷基。该方法还包括在衬底上沉积第二前体。所述第一前体与所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳与氢。该方法还包括将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。该方法的优点包括提供比八元环碳硅氧烷对应物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造电介质膜的方法，所述方法包括：在衬底上沉积第一前体，所述第一前体包含含有六元环的环状碳硅氧烷基；在所述衬底上沉积第二前体，所述第一前体和所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含硅、碳和氢；以及将所述预备膜暴露于来自能量源的能量以形成多孔电介质膜。2.如权利要求1所述的方法，其中所述多孔电介质膜包含至少30原子百分比的碳。3.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底是图案化衬底，并且所述多孔膜沉积在所述图案化衬底内的沟槽中。4.如权利要求1所述的方法，还包括将所述预备膜暴露于含氮前体。5.如权利要求4所述的方法，其中所述含氮前体包括氨、一氧化二氮或其组合。6.如权利要求1所述的方法，其中所述多孔电介质膜还包含约1至约4原子百分比的氮。7.如权利要求1所述的方法，其中多孔电介质膜包括约2.2至约2.8的k值。8.一种制造电介质膜的方法，所述方法包括：在衬底上沉积第一前体，所述第一前体具有以下结构：以及a、b、c、d、e和f各自独立地为烷基或烯基；在所述衬底上沉积第二前体，所述第一前体和所述第二前体在所述衬底上形成预备膜，并且所述第二前体包含线性碳硅氧烷；以及将所述预备膜暴露于能量源以形成多孔电介质膜。9.如权利要求8所述的方法，其中所述烷基包括甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。10.如权利要求8所述的方法，其中所述烯基包括乙烯基、丙烯基、丁烯基或戊烯基。11.如权利要求8所述的方法，其中所述线性碳硅氧烷具有以下结构：以及g、h、i、j、k和l各自独立地为烷基、烯基或烷氧基。12.如权利要求8所述的方法，其中所述第二前体中碳与氧的比率大于1。13.如权利要求8所述的方法，还包括将所述预备膜暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：S阮，B布里格斯，H肖布哈，D西尔，TJ小海格，DF卡纳佩里，游汉，高徽，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：