下载形成具有低加工损伤的高碳含量可流动电介质膜的技术资料

文档序号:30191788

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一种制造电介质膜的方法,包括在衬底上沉积第一前体。所述第一前体包括包含六元环的环状碳硅氧烷基。所述方法还包括在所述衬底上沉积第二前体。所述第一前体与所述第二前体在所述衬底上形成预备膜,并且所述第二前体包含硅、碳与氢。所述方法还包括将所述预备...
该专利属于国际商业机器公司所有,仅供学习研究参考,未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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